이방성 전도접착제를 이용하여 Cu/Au 칩 범프를 Cu 기판 배선에 플립칩 실장한 접속부에 대해 CNT-Ag 복합패드가 접속저항에 미치는 영향을 연구하였다. CNT-Ag 복합패드가 내재된 플립칩 접속부가 CNT-Ag 복합패드가 없는 접속부에 비해 더 낮은 접속저항을 나타내었다. 각기 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 내재된 접속부는 $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$ 및 $132m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속부는 $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$ 및 $140m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.
이방성 전도접착제를 이용하여 Cu/Au 칩 범프를 Cu 기판 배선에 플립칩 실장한 접속부에 대해 CNT-Ag 복합패드가 접속저항에 미치는 영향을 연구하였다. CNT-Ag 복합패드가 내재된 플립칩 접속부가 CNT-Ag 복합패드가 없는 접속부에 비해 더 낮은 접속저항을 나타내었다. 각기 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 내재된 접속부는 $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$ 및 $132m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속부는 $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$ 및 $140m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.
We investigated the effect of CNT-Ag composite pad on the contact resistance of flip-chip joints, which were formed by flip-chip bonding of Cu/Au chip bumps to Cu substrate metallization using anisotropic conductive adhesive. Lower contact resistances were obtained for the flip-chip joints which con...
We investigated the effect of CNT-Ag composite pad on the contact resistance of flip-chip joints, which were formed by flip-chip bonding of Cu/Au chip bumps to Cu substrate metallization using anisotropic conductive adhesive. Lower contact resistances were obtained for the flip-chip joints which contained the CNT-Ag composite pad than the joints without the CNT-Ag composite pad. While the flip-chip joints with the CNT-Ag composite pad exhibited average contact resistances of $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$, and $132m{\Omega}$ at bonding pressures of 25 MPa, 50 MPa, and 100 MPa, the flip-chip joints without the CNT-Ag composite pad had an average contact resistance of $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$, and $140m{\Omega}$ at each bonding pressure.
We investigated the effect of CNT-Ag composite pad on the contact resistance of flip-chip joints, which were formed by flip-chip bonding of Cu/Au chip bumps to Cu substrate metallization using anisotropic conductive adhesive. Lower contact resistances were obtained for the flip-chip joints which contained the CNT-Ag composite pad than the joints without the CNT-Ag composite pad. While the flip-chip joints with the CNT-Ag composite pad exhibited average contact resistances of $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$, and $132m{\Omega}$ at bonding pressures of 25 MPa, 50 MPa, and 100 MPa, the flip-chip joints without the CNT-Ag composite pad had an average contact resistance of $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$, and $140m{\Omega}$ at each bonding pressure.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
문제 정의
본 연구에서는 기판에 CNT-Ag-고분자 복합배선을 형성하고 이에 Cu/Au 칩 범프를 ACA로 플립칩 본딩하는 대신에, 실험의 수월성을 위해 Cu/Au 칩 범프가 플립칩 본딩되는 부위에만 CNT-Ag 복합패드를 형성하여 이를 기판의 Cu 배선에 ACA로 플립칩 본딩하였다. CNT-Ag-고분자 복합패드 대신에 CNT-Ag 복합패드를 사용한 이유는 고분자를 함유한 복합패드 페이스트의 제조공정이 어렵기 때문에 이에 대한 선행연구로서 고분자를 함유하고 있지 않은 CNT-Ag 복합패드를 사용하여 기초자료를 얻고자 하였다. 향후 CNT-Ag-고분자 복합 페이스트가개발되면 CNT-Ag-고분자 복합패드에서의 접속저항을 본 연구의 결과와 비교하고자 한다.
Fig. 6에 나타낸 CNT-Ag 복합패드를 내재한 플립칩 접속부의 평균 접속저항을 참고문헌에 보고된 값들과 비교해 보고자 하였다. 칩과 기판의 Au metallization에 plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)을 사용하여 CNT 번들을 수직으로 성장시켜 CNT 범프를 형성한 후,칩 CNT 범프를 기판 CNT 범프에 플립칩 접속하였다는 보고가 있으나,24,25) 이와 같은 CNT-CNT 플립칩 접속부는 본 연구에서 사용한 Cu/Au/CNT-Ag/Cu 플립칩 접속부와 완전히 다른 구조로 접속저항 특성의 직접적인 비교가 어렵다.
본 연구에서는 신축성 전자패키지를 개발하기 위한 기초연구로서, ACA를 사용하여 형성한 플립칩 접속부의 접속저항에 미치는 CNT-Ag 복합패드의 영향을 규명하고자 하였다. 본 연구에서는 기판에 CNT-Ag-고분자 복합배선을 형성하고 이에 Cu/Au 칩 범프를 ACA로 플립칩 본딩하는 대신에, 실험의 수월성을 위해 Cu/Au 칩 범프가 플립칩 본딩되는 부위에만 CNT-Ag 복합패드를 형성하여 이를 기판의 Cu 배선에 ACA로 플립칩 본딩하였다.
신축성 전자패키지를 개발하기 위한 기초연구로서,ACA를 이용하여 Cu/Au 칩 범프를 기판의 Cu 배선에 플립칩 실장한 접속부에 대해 CNT-Ag 복합패드가 접속저항에 미치는 영향을 연구하였다. CNT-Ag 복합패드의 유무에 상관없이 Cu/Au 칩 범프와 기판 Cu 패드 사이에 ACA의 Ni-코팅된 전도 입자들이 포획되어 플립칩 접속 부를 형성하고 있었다.
신축성 전자패키지에서는 기판 재료로서 신축성이 뛰어난 탄성 고분자인 polydimethylsiloxane (PDMS)를 주로 사용하고 있으나,2,13,14) 본 연구는 신축성 PDMS 기판에 플립칩 공정을 적용하기 위한 기초연구로서 플립칩 공정용 칩과 기판을 모두 Si 웨이퍼를 사용하여 형성하였다. 또한 CNT-Ag 복합패드를 기판 배선에 형성하고 이에 Cu/Au 칩 범프를 플립칩 본딩하는 대신에, 용이한 실험을 위해 Cu/Au 칩 범프에 CNT-Ag 복합패드를 형성한 후 이를 기판 배선의 패드에 플립칩 본딩하여 Fig.
제안 방법
80μm 두께의 스테인레스 강으로 제작한 메탈 마스크를 칩 시편의 Cu/Au 범프 위에 배열한 후 CNT-Ag 나노복합 페이스트를 스크린 프린팅하고 120oC에서 20분간 유지시켜 CNT-Ag 나노복합 페이스트를 경화시켜 Cu/Au 칩 범프 위에 CNT-Ag 복합패드를 형성하였다.
C까지 승온하여 30초간 유지하여 플립칩 본딩하였다. CNT-Ag 복합패드가 플립칩 접속부의 접속저항에 미치는 영향을 분석하기 위해 Cu/Au 칩 범프 위에 CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 칩을 기판의 Cu 패드에 플립칩 실장한 시편도 함께 제작하여 CNT-Ag 복합패드의 유무에 따른 플립칩 접속부의 접속저항을 비교 분석하였다.
CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 플립칩 본딩한 시편과 CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 플립칩 본딩한 시편에 대해 본딩압력에 따른 플립칩 접속부의 평균 접속저항을 측정하였으며, 이들을 Fig. 6에 나타내었다. CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 25MPa의 본딩압력에서 플립칩 본딩한 시편은 164mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, 50MPa의 본딩압력 조건에서는 141mΩ, 100MPa의 본딩압력 조건에서는 132 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다.
Cu 배선이 형성되어 있는 플립칩 본딩용 기판 시편을 제작하기 위해 Si 웨이퍼에 칩 시편의 제작시와 동일한 방법으로 0.1μm 두께의 Ti와 2μm 두께의 Cu 박막을 순차적으로 스퍼터링하고, 그 위에 AZ4620 포토레지스트를 사용하여 daisy chain 형상의 패턴을 형성하였다.
Si 웨이퍼에 접착층으로서 Ti를 0.1μm 두께로 스퍼터링한 후, 그 위에 접속저항 측정을 위한 배선층과 Au 전기도금의 씨앗층 역할을 할 Cu를 2 μm 두께로 스퍼터링 하였다.
기존 연구와 본 연구에서는 모두 플립칩 공정에 4μm 입경의 Ni-코팅된 전도입자가 함유된 동일한 ACA를 사용하였다.
본 연구는 신축성 PDMS 기판에 플립칩 공정을 적용하기 위한 기초연구로서 플립칩 공정용 칩과 기판을 모두 Si 웨이퍼를 사용하여 형성하였다. 또한 CNT-Ag 복합패드를 기판 배선에 형성하고 이에 Cu/Au 칩 범프를 플립칩 본딩하는 대신에, 용이한 실험을 위해 Cu/Au 칩 범프에 CNT-Ag 복합패드를 형성한 후 이를 기판 배선의 패드에 플립칩 본딩하여 Fig. 1의 모식도와 같은 시편을 제작하였다.
본 연구에서는 신축성 전자패키지를 개발하기 위한 기초연구로서, ACA를 사용하여 형성한 플립칩 접속부의 접속저항에 미치는 CNT-Ag 복합패드의 영향을 규명하고자 하였다. 본 연구에서는 기판에 CNT-Ag-고분자 복합배선을 형성하고 이에 Cu/Au 칩 범프를 ACA로 플립칩 본딩하는 대신에, 실험의 수월성을 위해 Cu/Au 칩 범프가 플립칩 본딩되는 부위에만 CNT-Ag 복합패드를 형성하여 이를 기판의 Cu 배선에 ACA로 플립칩 본딩하였다. CNT-Ag-고분자 복합패드 대신에 CNT-Ag 복합패드를 사용한 이유는 고분자를 함유한 복합패드 페이스트의 제조공정이 어렵기 때문에 이에 대한 선행연구로서 고분자를 함유하고 있지 않은 CNT-Ag 복합패드를 사용하여 기초자료를 얻고자 하였다.
이와 같이 15μm 높이의 Cu/Au 범프가 형성된 Si 칩에서 회로배선을 제외한 부위의 Ti/Cu 박막을 습식에칭으로 제거하였다.
이와 같이 Ti/Cu를 스퍼터링한 Si 웨이퍼에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, Cu 도금액에 장입하고 20mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 10μm 두께의 Cu를 전기도 금하였다.
1μm 두께의 Ti와 2μm 두께의 Cu 박막을 순차적으로 스퍼터링하고, 그 위에 AZ4620 포토레지스트를 사용하여 daisy chain 형상의 패턴을 형성하였다. 이후 노출된 Ti/Cu를 10% HNO3와 10% HF를 순차적으로 이용하여 습식에칭하고 포토레지스트 패턴을 제거하여 Cu 배선이 형성된 기판 시편을 제작하였다.
3에 Si 칩에 전기도금으로 형성한 Cu/Au 범프의 광학현미경 사진과 주사전자현미경 사진을 나타내었다. 접착제 플립칩 공정에서는 금속 범프의 평탄도가 플립칩 접속저항에 영향을 미치는데, 본 실험에서는 전기도금으로 Fig. 3과 같이 평탄도가 비교적 우수한 Cu/Au 범프를 형성하였다.
대상 데이터
Cu 전기도금액의 조성은 CuSO4·5H2O 62.42 g/L, H2SO498 g/L, CuCl2 0.17g/L, PEG600 300 ppm, MPSA 10ppm이었으며, Au 도금액의 조성은 KAu(CN)2 3g/L, make-up 용액 500ml/L로 구성되었다.
Cu/Au 범프들은 직경 150μm의 원통형 형상으로 범프들 사이의 피치는 300 이며, 한 칩에 88개의 범프를 형성하였다.
Cu/Au 범프들은 직경 150μm의 원통형 형상으로 범프들 사이의 피치는 300 이며, 한 칩에 88개의 범프를 형성하였다. Cu/Au 칩 범프 위의 CNT-Ag 복합패드는 (주)바이오니아에서 제공한 CNT에 Ag 나노입자가 결합된 CNT-Ag 나노복합 페이스트(Fig. 2 참조)를 사용하여 형성하였다. 80μm 두께의 스테인레스 강으로 제작한 메탈 마스크를 칩 시편의 Cu/Au 범프 위에 배열한 후 CNT-Ag 나노복합 페이스트를 스크린 프린팅하고 120oC에서 20분간 유지시켜 CNT-Ag 나노복합 페이스트를 경화시켜 Cu/Au 칩 범프 위에 CNT-Ag 복합패드를 형성하였다.
성능/효과
1) CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Sn 범프 접속부는 25 MPa과 50MPa의 본딩압력에서는 접속저항이 너무 커서 측정이 안 되며 100 MPa의 본딩압력 조건에서는 213 mΩ인 반면, CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Sn 범프 접속부는 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력 조건에서 각기 1370mΩ, 372 mΩ 및 112mΩ의 접속저항을 갖는다고 보고되었다.1) 본 연구에서 측정한 Cu/Au 범프 접속부보다 기존 보고에 의한 Cu/Sn 범프접속부가 CNT-Ag 복합패드의 유무에 무관하게 더 큰 접속저항을 나타내었다.
1) CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Sn 범프 접속부는 25 MPa과 50MPa의 본딩압력에서는 접속저항이 너무 커서 측정이 안 되며 100 MPa의 본딩압력 조건에서는 213 mΩ인 반면, CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Sn 범프 접속부는 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력 조건에서 각기 1370mΩ, 372 mΩ 및 112mΩ의 접속저항을 갖는다고 보고되었다.1) 본 연구에서 측정한 Cu/Au 범프 접속부보다 기존 보고에 의한 Cu/Sn 범프접속부가 CNT-Ag 복합패드의 유무에 무관하게 더 큰 접속저항을 나타내었다.1) 이와 같이 두 연구에서의 상이한 결과는 기존 연구에서 사용한 Cu/Sn 칩 범프의 Sn과 본 연구에서 사용한 Cu/Au 칩 범프의 Au의 경도 차이에 기인하는 것으로 판단된다.
1) 본 연구에서 측정한 Cu/Au 범프 접속부보다 기존 보고에 의한 Cu/Sn 범프접속부가 CNT-Ag 복합패드의 유무에 무관하게 더 큰 접속저항을 나타내었다.1) 이와 같이 두 연구에서의 상이한 결과는 기존 연구에서 사용한 Cu/Sn 칩 범프의 Sn과 본 연구에서 사용한 Cu/Au 칩 범프의 Au의 경도 차이에 기인하는 것으로 판단된다. 1 N의 하중을 인가하면서 측정한 Au 전기도금 박막과 Sn 전기도금 박막의 비커스 경도(Hv)는 각기 34 ± 2와 5 ± 0.
CNTAg 복합패드의 유무에 상관없이 Cu/Au 칩 범프와 기판 Cu 패드 사이에 ACA의 Ni-코팅된 전도 입자들이 포획되어 플립칩 접속부를 형성하고 있는 것이 관찰되었다. CNT-Ag 복합패드가 존재하는 접속부와 존재하지 않는 접속부에서 모두 Ni-코팅된 전도 입자들이 변형되어 칩과 기판 사이의 전기 통로를 형성하고 있는 것을 관찰할 수 있었다. 플립칩 접속부에 CNT-Ag 복합패드가 있는 경우에는 CNT-Ag 복합패드가 없는 접속부와 비교하여 동일한 본딩압력에서 Ni-코팅된 전도 입자들의 변형되는 정도가 약간이나마 작았는데, 이는 플립칩 접속부에 존재하는 CNT-Ag 복합패드가 플립칩 본딩압력에 대한 완충재 역할을 어느 정도 한 것으로 판단된다.
CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 25MPa의 본딩압력에서 플립칩 본딩한 시편은 164mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, 50MPa의 본딩압력 조건에서는 141mΩ, 100MPa의 본딩압력 조건에서는 132 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다.
반면에 CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 25MPa의 본딩압력에서 플립칩 본딩한 시편은 200mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, 50 MPa의 본딩압력 조건에서는 150mΩ, 100 MPa의 본딩압력 조건에서는 140 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다. CNT-Ag 복합패드의 유무에 무관하게 본딩압력이 25 MPa에서 100MPa로 증가함에 따라 플립칩 접속저항이 감소하였다. ACF를 사용한 플립칩 공정에서 플립칩 접속부의 접속저항은 본딩압력에 의존하는데, 본딩압력을 증가시킴에 따라 접속저항이 증가하다 최소값에 도달한 후 본딩압력을 더 감소시키면 접속저항이 증가한다고 보고되고 있다.
5에는 CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Au 범프를 갖는 칩을 플립칩 실장한 시편에서 관찰한 플립칩 접속부의 단면주사전자현미경 사진을 나타내었다. CNTAg 복합패드의 유무에 상관없이 Cu/Au 칩 범프와 기판 Cu 패드 사이에 ACA의 Ni-코팅된 전도 입자들이 포획되어 플립칩 접속부를 형성하고 있는 것이 관찰되었다. CNT-Ag 복합패드가 존재하는 접속부와 존재하지 않는 접속부에서 모두 Ni-코팅된 전도 입자들이 변형되어 칩과 기판 사이의 전기 통로를 형성하고 있는 것을 관찰할 수 있었다.
각기 25 MPa, 50MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 형성된 접속부는 164mΩ, 14 mΩ 및 132mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속 부는 200 mΩ, 150mΩ 및 140mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다.
반면에 CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 Cu/Au 칩 범프를 사용하여 25MPa의 본딩압력에서 플립칩 본딩한 시편은 200mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, 50 MPa의 본딩압력 조건에서는 150mΩ, 100 MPa의 본딩압력 조건에서는 140 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다.
각기 25 MPa, 50MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 형성된 접속부는 164mΩ, 14 mΩ 및 132mΩ의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속 부는 200 mΩ, 150mΩ 및 140mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다. 이와 같은 결과로부터 ACA를 사용하여 CNTAg 복합배선에 플립칩 실장시 Cu 배선에 대한 기존의 금속 범프와 금속 패드간의 플립칩 본딩과 비교하여 접속 저항이 증가하는 문제점은 발생하지 않을 것으로 판단할 수 있다.
후속연구
CNT-Ag-고분자 복합패드 대신에 CNT-Ag 복합패드를 사용한 이유는 고분자를 함유한 복합패드 페이스트의 제조공정이 어렵기 때문에 이에 대한 선행연구로서 고분자를 함유하고 있지 않은 CNT-Ag 복합패드를 사용하여 기초자료를 얻고자 하였다. 향후 CNT-Ag-고분자 복합 페이스트가개발되면 CNT-Ag-고분자 복합패드에서의 접속저항을 본 연구의 결과와 비교하고자 한다.
질의응답
핵심어
질문
논문에서 추출한 답변
신축성 전자패키지에서 가장 어려운 기술은?
신축성 전자패키지에서 가장 어려운 기술이 신축성 회로배선기술로서, 일반적으로 두 가지 회로배선기술이 사용되고 있다. 첫 번째 회로배선기술은 말굽 형태의 금속 도선을 사용한 기술로서 현재 대부분의 신축성 전자패키지에서 가장 일반적으로 사용되고 있는 기술이나, 신축성이 제한적이며 배선의 고밀도화가 어려운 단점이 있다.
신축성 회로배선기술 중 말굽 형태의 금속 도선을 사용한 기술의 단점은?
신축성 전자패키지에서 가장 어려운 기술이 신축성 회로배선기술로서, 일반적으로 두 가지 회로배선기술이 사용되고 있다. 첫 번째 회로배선기술은 말굽 형태의 금속 도선을 사용한 기술로서 현재 대부분의 신축성 전자패키지에서 가장 일반적으로 사용되고 있는 기술이나, 신축성이 제한적이며 배선의 고밀도화가 어려운 단점이 있다. 두 번째 회로배선기술은 카본나노튜브(CNT), 나노금속과 고분자로 구성된 신축성 복합배선기술로서 복합배선의 전도도가 말굽형태의 금속배선에 비해 낮은 단점이 있으나, 신축성이 우수한 장점이 있다.
회로배선기술 중 카본나노튜브(CNT), 나노금속과 고분자로 구성된 신축성 복합배선기술의 장단점은?
첫 번째 회로배선기술은 말굽 형태의 금속 도선을 사용한 기술로서 현재 대부분의 신축성 전자패키지에서 가장 일반적으로 사용되고 있는 기술이나, 신축성이 제한적이며 배선의 고밀도화가 어려운 단점이 있다. 두 번째 회로배선기술은 카본나노튜브(CNT), 나노금속과 고분자로 구성된 신축성 복합배선기술로서 복합배선의 전도도가 말굽형태의 금속배선에 비해 낮은 단점이 있으나, 신축성이 우수한 장점이 있다.1,2,4-18) CNT-금속-고분자 구조의 복합배선을 사용하여 신축성 전자패키지를 구성하기 위해서는 Si 반도체 칩을 기판의 복합배선과 연결하는 플립칩 공정기술의 개발이 요구된다.
참고문헌 (26)
J. Y. Choi and T. S. Oh, "Flip Chip Process on CNT-Ag Composite Pads for Stretchable Electronic Packaging", J. Microelectron. Packag. Soc., 20(4), 17 (2013).
M. Gonzalez, B. Vandervelde, W. Chistianens, Y.-Y. Hsu, F. Iker, F. Bossuyt, J. Vanfleteren, O. van der Sluis, and P. H. M. Timmermans, "Thermo-Mechanical Analysis of Flexible and Stretchable Systems", 11th International Conference of Thermal, Mechanical and Multiphysics Simulation and Experiments in Micro-Electronics and Micro-Systems (Euro- SimE), Berlin, 1, Institute of Electrical and Electronics Engineers (2010).
J. H. Ahn, H. Lee, and S. H. Choa, "Technology of Flexible Semiconductor/Memory Device", J. Microelectron. Packag. Soc., 20(2), 1 (2013).
J. Xiao, A. Carlson, Z. J. Liu, Y. Huang, H. Jiang, and J. A. Rogers, "Stretchable and Compressible Thin Films of Stiff Materials on Compliant Wavy Substrates", App. Phys. Lett., 93, 013109 (2008),
T. Loher, D. Manessis, R. Heinrich, B. Schmied, J. Vanfleteren, J. DeBaets, A. Ostmann, and H. Reichl, "Stretchable Electronic Systems", Proc. 59th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego, 893, IEEE Components, Packaging and Manufacturing Technology Society (CPMT) (2009).
T. Sekitani, Y. Noguchi, K. Hata, T. Fukushima, T. Aida, and T. Someya, "A Rubberlike Stretchable Active Matrix Using Elastic Conductors", Science, 321, 1468 (2008).
D. H. Kim, J. H. Ahn, W. M. Choi, H. S. Kim, T. H. Kim, J. Song, Y. Y. Huang, Z. Liu, C. Lu, and J. A. Rogers, "Stretchable and Foldable Silicon Integrated Circuits", Science, 320, 507 (2008).
M. Gonzalez, F. Axisa, M. V. Bulcke, D. Brosteaux, B. Vandevelde, and J. Vanfleteren, "Design of metal interconnects for stretchable electronic circuits", Microelectron. Reliab., 48, 825 (2008).
T. Sekitani, H. Nakajima, H. Maeda, T. Fukushima, T. Aida, K. Hata, and T. Someya, "Stretchable Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Display Using Printable Elastic Conductors", Nature Mater., 8, 494 (2009).
J. Y. Choi, D. H. Park, and T. S. Oh, "Chip Interconnection Process for Smart Fabrics Using Flip-Chip Bonding of SnBi Solder", J. Microelectron. Packag. Soc., 19(3), 71 (2012).
T. Loher, D. Manessis, R. Heinrich, B. Schmied, J. Vanfleteren, J. DeBaets, A. Ostmann, and H. Reichl, "Stretchable Electronic Systems", Proc. 8th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 271, IEEE Component, Packaging and Manufacturing Technology Society (CPMT) (2006).
S. P. Lacoura, S. Wagner, Z. Huang, and Z. Suo, "Stretchable Gold Conductors on Elastomeric Substrates", Appl. Phys. Lett., 82, 2404 (2003).
K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, "Large-Scale Pattern Growth of Graphene Films for Stretchable Transparent Electrodes", Mature Lett., 457, 706 (2009).
T. S. Hansen, K. West, O. Hassager, and N. B. Larsen, "Highly Stretchable and Conductive Polymer Material Made from Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and Polyurethane Elastomers", Adv. Funct. Mater., 17, 3068 (2007).
J. A. Rogers, T. Someya, and Y. Huang, "Materials and Mechanics for Stretchable Electronics", Science, 327, 1603 (2010).
J. S. Ha, J. P. Jung, and T. S. Oh, "Effects of Intermetallic Compounds Formed during Flip Chip Process on the Interfacial Reactions and Bonding Characteristics", J. Microelectron. Packag. Soc., 19(2), 35 (2012).
D. M. Jung, M. Y. Kim, and T. S. Oh, "Warpage Characteristics of Bottom Packages for Package-on-Package(PoP) with Different Chip Mounting Processes", J. Microelectron. Packag. Soc., 20(3), 63 (2013).
J. Y. Choi and T. S. Oh, "A Flip Chip Process Using an Interlocking- Joint Structure Locally Surrounded by Non-conductive Adhesive", Korean J. Met. Mater., 50(10), 785 (2012).
K. J. Shin and T. S. Oh, "Micro-Power Generation Characteristics of Thermoelectric Thin Film Devices Processed by Electrodeposition and Flip-Chip Bonding", J. Electron. Mater., 44(6) 2026 (2015).
M. J. Yim and K. W. Paik, "Review of Electrically Conductive Adhesive Technologies for Electronic Packaging", Electron. Mater. Lett., 2(3), 183 (2006).
M. A. Uddin and H. P. Chan, "Contact Resistance of Anisotropic Conductive Adhesive Film Based Flip-chip on Glass Packages", Rev. Adv. Mater. Sci., 27(2), 151 (2011).
C. Brun, C. C. Yap, D. Tan, S. Bila, S. Paccini, D. Baillargeat, and B. K. Tay, "Flip Chip Based on Carbon Nanotube-Carbon Nanotube Interconnected Bumps for High-Frequency Applications", IEEE Trans. Nanotechnol., 12, 609 (2013).
C. C. Yap, C. Brun, D. Tan, H. Li, E. H. T. Teo, D. Baillargeat, and B. K. Tay, "Carbon Nanotube Bumps for the Flip Chip Packaging System", Nanoscale Res. Lett., 7, 105 (2012).
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.