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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.2, 2016년, pp.69 - 74
김승태 (광운대학교 전자재료공학과) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
In this study, we proposed an a-IGZO (amorphous In-Ga-Zn-O) TFT (thin-film transistor) with off-planed source/drain structure. Furthermore, two different electrode materials (ITO and Ti) were applied to the source and drain contacts for performance improvement of a-IGZO TFTs. When the ITO with a lar...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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비정질 실리콘 TFT가 디스플레이 구동소자로 적합하지 않은 이유는? | 산화물 반도체 기반의 박막트랜지스터 (thin-film transistor, TFT)는 기존의 비정질 실리콘 (a-Si:H) 기반의 TFT와 비교하여 차세대 디스플레이 구동회로를 구성하기 위한 소자로 최근 많은 관심을 받고 있다[1]. 비정질 실리콘 TFT는 디스플레이 픽셀 회로에 적용될 때 구조가 복잡하고 1 cm2/V·s 이하의 낮은 전자 이동도를 가지기 때문에 디스플레이 구동소자로 적합하지 않다 [2]. 이와 같은 비정질 실리콘 TFT의 문제점을 해결하기 위해 다결정 실리콘 TFT가 제안되었지만, 공정 온도가 높고 소자 특성의 균일도가 떨어지며 누설전류가 크다는 문제가 있다 [3,4]. | |
박막트랜지스터란? | 산화물 반도체 기반의 박막트랜지스터 (thin-film transistor, TFT)는 기존의 비정질 실리콘 (a-Si:H) 기반의 TFT와 비교하여 차세대 디스플레이 구동회로를 구성하기 위한 소자로 최근 많은 관심을 받고 있다[1]. 비정질 실리콘 TFT는 디스플레이 픽셀 회로에 적용될 때 구조가 복잡하고 1 cm2/V·s 이하의 낮은 전자 이동도를 가지기 때문에 디스플레이 구동소자로 적합하지 않다 [2]. | |
비정질 실리콘 (a-Si:H) 기반의 TFT의 문제를 해결하기 위한 다결정 실리콘 TFT의 단점은? | 비정질 실리콘 TFT는 디스플레이 픽셀 회로에 적용될 때 구조가 복잡하고 1 cm2/V·s 이하의 낮은 전자 이동도를 가지기 때문에 디스플레이 구동소자로 적합하지 않다 [2]. 이와 같은 비정질 실리콘 TFT의 문제점을 해결하기 위해 다결정 실리콘 TFT가 제안되었지만, 공정 온도가 높고 소자 특성의 균일도가 떨어지며 누설전류가 크다는 문제가 있다 [3,4]. 따라서, 낮은 임계전압 이하 드레인 누설전류 기울기(subthreshold slope, SS), 낮은 문턱치 전압(threshold voltage, VTH), 높은 온-오프 전류비(on/off current ratio)와 큰 전계효과 이동도(field-effect mobility, μFE)를 가지는 전기적인 특성이 우수하고 저온에서 공정이 가능한 산화물 반도체 기반의 TFT가 차세대 디스플레이 구동 소자로 주목받고 있다 [5-7]. |
M. Ito, M. Kon, C. Miyazaki, N. Ikeda, M. Ishizaki, Y. Ugajin, and N. Sekine, IEICE transactions on electronics, 90, 11 (2007).
T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Science and Technology of Advanced Materials, 11, 4 (2010).
K. Sera, F. Okumura, H. Uchida, S. Itoh, S. Kaneko, and K. Hotta, Electron Devices, IEEE Transactions on, 36, 12 (1989). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.40970]
S. J. Lim, S. J. Kwon, H. Kim, and J. S. Park, Applied Physics Letters, 91, 18 (2007).
H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, and H. Hosono, Applied physics letters, 89, 11 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2353811]
A. Suresh and J. F. Muth, Applied Physics Letters, 92, 3 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2824758]
S. Y. Park, J. H. Song, C. K. Lee, B. G. Son, C. K. Lee, H. J. Kim, and H. J. Kim, Electron Device Letters, IEEE, 34, 7 (2013).
B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. C. Paine, Applied physics letters, 89, 6 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2335372]
V. Subramanian, M. Toita, N. R. Ibrahim, S. J. Souri, and K. C. Saraswat, Electron Device Letters, IEEE, 20, 7 (1999). [DOI:http://dx.doi.org/10.1109/55.772370]
A. Suresh, P. Wellenius, A. Dhawan, and J. Muth, Applied physics letters, 90, 12 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2716355]
K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Japanese Journal of Applied Physics, 45, 5S (2006).
Y. Shimura, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films, 516, 17 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.051]
W. S. Kim, Y. K. Moon, K. T. Kim, J. H. Lee, and J. W, Thin Solid Films, 518, 22 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2010.03.028]
J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa, Applied Physics Letters, 93, 6 (2008).
J. M. Lee, I. T. Cho, J. H. Lee, and H. I. Kwon, Applied Physics Letters, 93, 9 (2008).
S. H. Rha, U. K. Kim, J. S. Jung, H. K. Kim, Y. S. Jung, E. S. Hwang, Y. J. Chung, M. J. Lee, J. H. Choi, and C. S. Hwang, Electron Devices, IEEE Transactions on, 60, 3 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2012.2236558]
K. W. Jo, AND W, J. Cho, Applied Physics Letters, 105, 21 (2014).
A. Suresh, and J. F. Muth, Applied Physics Letters, 92, 3 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2824758]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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