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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.2, 2016년, pp.110 - 113
김소정 (한중대학교 전기전자공학과) , 이상헌 (선문대학교 전자공학과)
(YNdSm)-Ba-Cu-O system high Tc composite superconductors were directionally grown by zone melting process, having large temperature gradient, in air atmosphere. Cylindrical green rods of
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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산화물계 고온초전도체 실용화를 위해 필요한 것은? | 1987년에 산화물계 YBCO 고온초전도체가 발견된이래 활성화된 고온초전도체에 관한 연구는, 현재 초전도응용기기를 중심으로 응용 및 실용화를 위한 연구가 한창이다. 이러한 산화물계 고온초전도체를 실용화하기위해서는 고자기장 영역에서 높은 임계전류밀도 값이 요구된다. 이와 함께 실용화를 위해 요구되는 사항으로 초전도재료의 공정분야에 대한 개선을 들 수 가 있다. | |
다결정급 고온초전도체의 장애요인은? | 이와 함께 실용화를 위해 요구되는 사항으로 초전도재료의 공정분야에 대한 개선을 들 수 가 있다. 고전적인 세라믹 공정법으로 제조한 다결정급 고온초전도체의 경우에는 입계에서 weak link가 전류흐름의 큰 장해요인으로 작용하고 있다. 초전도재료의 외적특성에 기인하는 결정립간의 grain boundary weak link 문제를 해결하기 위해 여러가지 제조 공정법이 도입되고 있는데, 이러한 방법 중의 하나가 고온초전도체를 국부적으로 용융가열시켜 입계간의 각도를 저각입계로 하는 국부용융성장공정법(zone melt textured growth method)이다 [1]. | |
국부용융성장공정법을 이용하여 어떤 특성을 갖는 고온초전도체를 제조할 수 있는가? | 이에 의하면, 초전도체내의 전기전자재료학회논문지, 제29권 제2호 pp. 110-113, 2016년 2월: 김소정 등 111입계들을 한 방향으로 배열, 성장시켜서 초전도체 전체적으로 단결정급의 매우 높은 임계전류밀도 값을 갖는고온초전도체의 제조가 가능한 것으로 보고되고 있다[2,3]. 이와 같은 맥락에서 고자기장하에서 높은 임계전류밀도를 얻을 목적으로 현재 많은 연구가 시도되고 있는 것이 YBCO계 고온초전도체의 Y자리에 희토류계원소(RE : Nd, Sm, Gd 등)를 치환시켜 얻어진 희토류계 고온초전도체(RE-B-C-O)이다 [4]. |
P. McGinn, W. Chen, N. Zhu, M. Lanagan, and U. Balachandran, Appl. Phys. Lett., 57, 1455 (1990). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.104125]
D. Shi, H. Krishnan, J. M. Hong, D. Miller, P. J. McGinn, W. H. Chen, M. Xu, J. G. Chen, M. M. Fang, U. Welp, M. T. Lanagan, K. C. Goretta, J. T. Dusek, J. J. Picciolo, and U. Balachandran, J. Appl. Phys., 68, 228 (1990). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.347122]
S. J. Kim, J. Ceramic Processing Research, 7, 235 (2006).
M. Murakami, N. Sakai, T. Higuchi, and S. I. Yoo, Supercond. Sci. Technol., 9, 1015 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0953-2048/9/12/001]
C. J. Kim, H. W. Park, K. B. Kim, and G. W. Hong, Supercond. Sci. Technol., 8, 652 (1995). [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0953-2048/8/8/009]
S. J. Kim, J. Korean. Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 15, 269 (2002). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2002.15.3.269]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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