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콜로이달 양자점을 이용한 디스플레이 응용 기술 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.19 no.3, 2016년, pp.71 - 77  

김재민 (경기대학교 신소재 공학과) ,  김지완 (경기대학교 신소재 공학과)

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문제 정의

  • 먼저 상업적으로 제품이 나와 있는 PL 방식의 응용을 살펴보자. PL 방식 응용은 간단히 설명하면 현재 가장 많이 사용되고 있는 LCD의 Backlight Unit (BLU)에 들어가는 형광체 대신에 양자점을 적용하는 방식이다.
  • 우수한 발광특성과 좁은 발광선폭(Full-Width at Half Maximum, FWHM)을 가지고 있는 양자점이 이미 산업적으로 이용이 되고 있으며, 자체 전계 발광 소자의 특성도 빠르게 향상되고 있다. 본고에서는 이러한 양자점 소재의 기술 현황과 향후 디스플레이 산업으로의 응용 전망에 대해 서술하고자 한다.
  • 지금까지 현재 사용되고 있고, 앞으로 발전 가능성이 많은 다양한 양자점을 이용한 디스플레이 관련 응용 기술에 대하여 알아보았다. 현재 LG 디스플레이를 제외하고 대형 OLED TV 관련 기술을 가지고 있는 세트 업체가 없는 상황에서 삼성전자가 SUHD라는 고급 TV 라인에 양자점 기술을 도입하여 충분히 프리미엄 LCD TV 시장이 가능하다는 것을 보여주었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
양자점이란? 양자점이란 스스로 빛을 내는 수 나노미터 크기의 반도체 결정체를 말한다. 반도체 양자점은 conduction band edge와 valence band edge 에서 불연속적인 에너지 준위를 나타내고 있으며, 그 크기가 작아짐에 따라 에너지 준위의 불연속성은 심화되며, 결과적으로 양자점의 에너지 밴드갭 (Energy Band-Gap)이 증가하는 결과를 나타낸다.
양자점의 발광현상은 어디에서 일어나는가? 양자점은 core/shell/ligand의 구조로 이루어져있다. 주요 발광 현상은 수 nm크기의 core에서 발생하며, core 를 둘러싼 shell은 core보다 밴드갭이 큰 물질을 이용하여 발광 효율을 높이고 안정성을 높여주는 역할을 한다. 밴드갭이 작은 코어의 표면에는 발광 효율을 저하시키는 표면 결함이 많이 존재하기 때문에 코어 표면에 거의 동일한 결정구조를 가짐으로써 격자 적합성이 우수하고 밴드갭이 큰 반도체 물질을 화학적인 방법으로 성장시켜 코어 표면의 표면결함을 제거할 수 있다.
양자점의 장점은? 양자점은 일반적으로 사용되고 있는 형광염료 (fluorescent dye)와 비교하여 다양한 장점을 지니고 있다. 우선 크기조절에 의한 양자제한효과를 통해 동일 조성의 양자점에서 다양한 스펙트럼을 방출할 수 있으며, 유기물질의 염료와 비교하여도 80% 이상의 매우 높은 양자효율 (quantum yield)을 나타낸다, 또한 30nm 이하의 발광선폭은 기존의 형광체에 비해 매우 좁기 때문에 색순도가 매우 우수한 발광 스펙트럼의 확보가 가능하다. 아울러 양자점은 무기물 계열의 반도체 조성이기 때문에 유기물 계열의 형광 염료와 비교하여 우수한 광안정성 (Photostability)을 가질 수 있다.
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참고문헌 (7)

  1. Y. Shirasaki, G. J. Supran, M. Bawendi, and V. Bulovic, "Emergence of colloidal quantum-dot light-emitting technologies", Nat. Photonics, 7 13-23 (2012). 

  2. J. Chen, V. Hardev, and J. Yurek, "Quantum-Dot Displays : Giving LCDs a Competitive Edge through Color", Information Display, 29 12-17 (2013). 

  3. T. H. Kim, K. S. Cho, E. K. Lee, S. J. Lee, J. Chae, J. W. Kim, D. H. Kim, J. Y. Kwon, G. Amaratunga, S. Y. Lee, B. L. Choi, Y. Kuk, J. M. Kim, and K. Kim, "Full-colour quantum dot displays fabricated by transfer printing", Nat. Photonics, 5 176-182 (2011). 

  4. X. Dai, Z. Zhang, Y. Jin, Y. Niu, H. Cao, X. Liang, L. Chen, J. Wang, and X. Peng, "Solution-processed, high-performance light-emitting diodes based on quantum dots", Nature, 515 96-99 (2014). 

  5. Y. Yang, Y. Zheng, W. Cao, A. Titov, J. Hyvonen, J. R. Manders, J. Xue, P. H. Holloway, and L. Qian, "High-efficiency light-emitting devices based on quantum dots with tailored nanostructures", Nat. Photonics, 9 259-266 (2015). 

  6. W. K. Bae, Y. S. Park, J. H. Lim, D. Lee, L. A. Padilha, H. McDaniel, I. Robel, C. Lee, J. M. Pietryga, and V. I. Kilimo, "Controlling the influence of Auger recombination on the performance of quantum-dot light-emitting diodes," Nat. Commun., 4 2661 (2013). 

  7. DisplaySearch (2013) 

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