다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.12, 2016년, pp.759 - 763
조보은 (숭실대학교 화학공학과) , 강문성 (숭실대학교 화학공학과)
AI-Helper
We demonstrate the utilization of ion gel gate dielectrics for operating non-volatile transistor memory devices based on polymer semiconductor thin films. The gating process in typical electrolyte-gated polymer transistors occurs upon the penetration and escape of ionic components into the active ch...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| NTM을 고분자 반도체로 이용했을 때 기대 효과는? | 다양한 전자소자 중 트랜지스터형 비휘발성 메모리 소자 NTM (non-volatile transistor memory)는 전기신호에 기초한 전자정보를 저장/삭제하는데 사용하는 기본적인 단위 소자로, 기존 CMOS 회로와의 상용성이 우수할 뿐만 아니라, 정보를 기억 과정에서 별도의 에너지 소모가 없는 등의 장점을 가지고 있다 [2-4]. NTM을 고분자 반도체를 이용하여 구현할 수 있다면, 최근 대두되고 있는 웨어러블 전자소자를 비롯한 각종 휴대용 스마트전자소자의 상용화에 박차를 가할 수 있을 것으로 기대된다. 특히나, 값싼 용액공정이 가능하면서 유연한 기판에 적용가능한 고분자 반도체의 장점을 극대화 하기 위해서는 고분자 반도체에 기초한 NTM을 보다 적은 전력과 전압으로 구동가능 방법 개발이 필요하다. | |
| NTM을 적은 전력과 전압으로 구동하기 위한 개발이 필요한 이유는? | 특히나, 값싼 용액공정이 가능하면서 유연한 기판에 적용가능한 고분자 반도체의 장점을 극대화 하기 위해서는 고분자 반도체에 기초한 NTM을 보다 적은 전력과 전압으로 구동가능 방법 개발이 필요하다. 이는 그래야만 경량의 저전압 박막형 배터리로 전자소자의 구동이 가능하기 때문이다. 그러나 현재까지 발표된 고분자 기반 NTM 소자들은 대부분 신호를 저장하고 삭제하기 위해 수십 V의 높은 전압이 요구된다. | |
| 트랜지스터형 비휘발성 메모리 소자란? | 기계적 유연성이 뛰어나며 동시에 용액공정이 가능한 고분자 반도체는 트랜지스터 및 다이오드 등의 기초 전자소자응용에 초점이 맞춰졌던 초기 개발단계를 지나, 최근에는 태양전지, 발광다이오드, 센서, 메모리 소자 등의 응용소자에 활발히 적용되고 있다 [1]. 다양한 전자소자 중 트랜지스터형 비휘발성 메모리 소자 NTM (non-volatile transistor memory)는 전기신호에 기초한 전자정보를 저장/삭제하는데 사용하는 기본적인 단위 소자로, 기존 CMOS 회로와의 상용성이 우수할 뿐만 아니라, 정보를 기억 과정에서 별도의 에너지 소모가 없는 등의 장점을 가지고 있다 [2-4]. NTM을 고분자 반도체를 이용하여 구현할 수 있다면, 최근 대두되고 있는 웨어러블 전자소자를 비롯한 각종 휴대용 스마트전자소자의 상용화에 박차를 가할 수 있을 것으로 기대된다. |
H. Klauk, Organic Electronics: Materials, Manufacturing, and Applications (1st ed.) (Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 2006).
K. J. Baeg, Y. Y. Noh, H. Sirringhaus, and D. Y. Kim, Adv. Funct. Mater., 20, 224 (2010). [DOI: https:/doi.org/10.1002/adfm.200901677]
W. L. Leong, N. Mathews, B. Tan, S. Vaidyanathan, F. Dotz, and S. Mhaisalkar, J. Mater. Chem., 25, 8971 (2011). [DOI: https:/doi.org/10.1039/c1jm10966a]
R.C.G. Naber, B. D. Boer, P.W.M. Blom, and D.M.D. Leeuw, Appl. Phys. Lett., 87, 203509 (2005). [DOI: https:/doi.org/10.1063/1.2132062]
M. S. Kang, J. H. Cho, and S. H. Kim, Ch. 8 Electrolyte-Gating Organic Thin Film Transistors (1st ed.) (VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 2015) p. 253.
J. C. Scott and L. D. Bozano, Adv. Mater., 19, 1452 (2007). [DOI: https:/doi.org/10.1002/adma.200602564]
S. K. Hwang, T. J. Park, K. L. Kim, S. M. Cho, B. J. Jeong, and C. Park, ACS Appl. Mater. Interface, 6, 20179 (2014). [DOI: https:/doi.org/10.1021/am505750v]
H. Bong, W. H. Lee, D. Y. Lee, B. J. Kim, J. H. Cho, and K. Cho, Appl. Phys. Lett., 96, 192115 (2010). [DOI: https:/doi.org/10.1063/1.3428357]
J. S. Lee, Electron. Mater. Letter., 7, 175 (2011). [DOI: https:/doi.org/10.1007/s13391-011-0901-5]
K. J. Baeg, Y. Y. Noh, J. Ghim, S. J. Kang, H. Lee, and D. Y. Kim, Adv. Mater., 18, 3179 (2006). [DOI: https:/doi.org/10.1002/adma.200601434]
Y. H. Chou, H. C. Chang, C. L. Liu, and W. C. Chen, Poly. Chem., 6, 341 (2015). [DOI: https:/doi.org/10.1039/C4PY01213E]
Y. Guo, C. A. Di, S. Ye, X. Sun, J. Zheng, Y. Wen, W. Wu, G. Yu, and Y. Liu, Adv. Mater., 21, 1954 (2009). [DOI: https:/doi.org/10.1002/adma.200802430]
J. Lee, S. Lee, M. H. Lee, and M. S. Kang, Appl. Phys. Lett., 106, 063302 (2015). [DOI: https:/doi.org/10.1063/1.4908187]
B. Cho, S. H. Yu, M. H. Lee, J. Lee, J. Y. Lee, J. H. Cho, and M. S. Kang, Org. Electron., 15, 3439 (2014). [DOI: https:/doi.org/10.1016/j.orgel.2014.09.034]
N. M. Murani, Y. J. Hwang, F. S. Kim, and S. A. Jenekhe, Org. Electron., 31, 104 (2016). [DOI: https:/doi.org/10.1016/j.orgel.2016.01.015]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.