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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.20 no.3, 2016년, pp.571 - 576
정학기 (Department of Electronic Engineering, Kunsan National University)
Asymmetric double gate(DG) MOSFET has the different top and bottom gate oxides thicknesses. It is analyzed the deviation of subthreshold swing(SS) and conduction path for the ratio of top and bottom gate oxide thickness of asymmetric DGMOSFET. SS varied along with conduction path, and conduction pat...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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트랜지스터 구조개선의 목적은 무엇인가? | 단채널 효과는 궁극적으로 채널길이가 감소하면서 게이트전압에 의한 채널 내 전하의 제어능력 감소 때문에 발생하므로 이러한 현상을 해결하기 위한 노력이 진행 중이다. 트랜지스터 구조개선은 채널주변에 게이트의 수를 증가 시켜 게이트전압에 의한 전류제어 능력을 향상시키는데 목적이 있다. 이러한 구조로 가장 활발히 연구되고 있는 구조가 다중게이트 MOSFET이다[1-3]. | |
문턱전압이하 스윙 값의 저하의 문제점은? | 단채널 효과로 알려진 문턱전압이하 스윙 값의 저하는 차단상태에서 차단전류의 증가로 인하여 고집적회로의 소비전력 증가 및 발열 등을 발생시켜 트랜지스터를 미세화 하는데 가장 큰 걸림돌이 되고 있다. 기존의 CMOSFET는 이러한 단채널 효과 때문에 20 nm 이하의 채널길이를 갖는 구조를 제작하기 어려워 트랜지스터 배치에 대한 3차원 구조 뿐만 아니라 트랜지스터의 새로운 구조 연구가 활발히 진행 중에 있다. | |
다중게이트 MOSFET은 어떤 어려움을 겪고 있는가? | 이러한 구조로 가장 활발히 연구되고 있는 구조가 다중게이트 MOSFET이다[1-3]. 그러나 모두 3차원적인 구조로써 공정에 어려움을 겪고 있다. 그중 가장 간단한 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단에 게이트를 제작하여 2 개의 게이트를 이용하는 구조이다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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