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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.4, 2016년, pp.199 - 204
This paper was proposed floating island power MOSFET for lowering on state resistance and the proposed device was maintained 600 V breakdown voltage. The electrical field distribution of floating island power MOSFET was dispersed to floating island between P-base and N-drift. Therefore, we designed ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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플로팅 아일랜드 구조란 무엇인가? | 플로팅 아일랜드 구조는 전력 MOSFET의 온 저항을 감소시키기 위해 저농도 도핑된 N 드리프트 영역에 P 형 플로팅 아일랜드를 삽입한 구조이다. 기존의 DMOS (double diffused MOSFET)의 경우에는 역방향 바이 어스의 상태에서 P 베이스와 N 드리프트 영역 사이에 전계가 집중되지만 플로팅 아일랜드 구조에서는 P 베이스와 N 드리프트 사이에서 한 번 P 플로팅 아일랜드와 N 드리프트 사이에서 두 번 전계가 분산되어 있다. | |
FLIMOS 구조의 N 드리프트 농도가 높음으로 인해 얻는 이득은? | 반면, N 드리프트 영역 전계의 기울기는 N 드리프트 농도에 비례하기 때문에 FLIMOS의 N 드리프트 농도는 기존의 MOSFET의 N 드리프트 농도보다 2배 높다. N 드리프트 농도가 높을수록 전도도가 높아지고 저항률이 낮아지게 되어 소자의 저항 또한 낮아지게 된다. 따라서 FLIMOS는 항복 전압 변화 없이 온 저항 특성을 향상시킬 수 있는 효율적인 구조라고 할 수 있다. | |
파워 반도체 소자의 중요한 변수에는 어떠한 것들이 있는가? | 파워 반도체 소자의 중요한 설계 변수는 전력소모 외에도 고전압, 고전류의 처리과정에서 소자 자체에 가해지는 열과 스트레스에 대한 내성을 나타내는 견고성, off 상태를 유지할 수 있는 최대 전압을 뜻하는 항복전압 특성이 있으며, 전력 반도체 소자 설계의 최적화와 새로운 구조 및 공정 개발을 통해 온 저항을 감소시키면서 항복전압을 증가시키는 방법으로 많은 연구가 이루어지고 있다. 전력용 소자중 파워 (power) MOSFET은 전력 절감화, 고효율화, 소형화, 고신뢰성화, 고속 스위칭화, 저노이즈화 등을 배경으로 발전하였으며 전력 MOSFET는 고속 스위칭 트랜지스터 소자의 대용으로 사용할 수 있어서 최근에 주목이 되고 있으며 각종 전동기에의 적용 기술의 개발이 급속히 진보되고 있다. |
P. J. Verlinden, R. M. Swanson and R. A Crane, Progress in Photovolatic and Applications, 2, 143 (1994). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pip.4670020209]
C. Hu, M. Chi, and V. M. Patel, IEEE Transactions on Electron Devices, ED-31, 1693 (1984).
T. S. Ma and W. B. Grabowski, Solid-State Electronics, 35, 201 (1992). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(92)90061-G]
N. Keskar, M. Trivedi, and K. Shenai, Microelectronics Reliability, 39, 1121 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(99)00159-6]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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