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NTIS 바로가기에너지공학 = Journal of energy engineering, v.25 no.1, 2016년, pp.192 - 197
박석준 (한국과학기술정보연구원) , 최성배 (한국과학기술정보연구원) , 오창섭 (한국과학기술정보연구원)
We have surveyed on technical method of fault analysis of semiconductor device. Fault analysis of semiconductor should first be found the places of fault spots. For this process they are generally used the testers; EB(emission beam tester), EM(emission microscope), OBIRCH(optical beam induced resist...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Si기판의 이면에서 고장장소를 식별하는 방법이 개발되고 있는 이유는? | 이들 외에도 트랜지스터의 스위칭 시의 발광현상을 이용한 PICA(Pico-second Imaging Circuit Analysis)법이나 근적외선을 이용하는 IR-방사(emission) 현미경법 등도 이용되고 있다. 배선이 다층화 된 최근의 디바이스에는 표면에서 고장장소를 발견 하는 것은 어렵게 되어 그 대책으로서 Si기판의 이면에서 고장장소를 식별하는 방법이 개발되고 있다. 그러나 Si기판의 경우 사용할 수 있는 광파장이 약 1㎛ 이상으로 제약되어 있기 때문에 상 분해능에 난점이 있고 충분한 위치의 특정은 어렵다. | |
결함장소 특정법인 LVP는 어떤 현상을 이용하는가? | 반도체의 광 흡수율이 전계강도에 의해 변화하는 현상(Franz-Keldysh Effect)을 이용한 결함장소 특정법이다. 칩 이면으로부터 트랜지스터에 레이저빔을 조사하여 채널면의 전계에 의존하는 반사광강도로부터 트랜지스터의 전위파형을 측정하는 것으로 90㎚ 세대의 인버터소자의 LVP 측정 등에 이용된다. | |
반도체 디바이스 고장에 대한 결함해석은 어떻게 진행되는가? | 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술하고자 한다. 디바이스에 동작불량이 발생하면 어떤 회로에서 단선이나 합선이 있는지 먼저 전기적인 고장을 조사한 다음에 광학검사 장치로 고장장소를 줄여간다. 여기서는 고장부위의 근소한 저항치의 변화로 인한 전류량이나 자장의 변화를 검출하는데 여기까지의 검사에 대충 어느 셀이 고장인지를 추측할 수 있다. 그 다음 추측한 위치에 예측한 결함이 있는지 물리적 해석을 수행하는데 물리해석에는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)이나 투과전자현미경(TEM: Transmission Electron Microscope), 집속이온빔(FIB: Focused Ion Beam)가공 장치와 같은 전자나 이온을 이용한 장치가 사용된다. 이상이 디바이스의 전기적 고장부터 그 원인이 되는 디바이스의 구조나 조성의 결함에 대한 해석의 전반적인 흐름이다. |
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