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문제 정의
- 이와 같이 새로운 재료가 점점 개발되어 신 재료의 적용이 구조의 미세화를 촉진하고 있는 반도체 디바이스의 제조공정에서는 초기불량이나 일정시간 가동 후의 고장이 끊이지 않고 있어 그 결함의 해석은 날이 갈수록 중요성을 더해가고 있다. 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술하고자 한다. 디바이스에 동작불량이 발생하면 어떤 회로에서 단선이나 합선이 있는지 먼저 전기적인 고장을 조사한 다음에 광학검사 장치로 고장장소를 줄여간다.
- 최근 반도체 디바이스의 고장해석으로부터 고장부의 구조 및 조성결함의 해석법과 그 응용 예에 대하여 서술하였다. 향후에는 디바이스 스피드의 고속화와 디바이스 다기능화가 진행되어 디바이스의 구조는 더욱 미세화하고 사용재료도 더욱 복합화 될 것으로 전망된다.
- 디바이스의 결함해석은 우선 고장위치의 특정에서부터 시작하며 고장위치의 특정에는 광, 전자, 자장 등을 이용한 장치가 사용된다. 현재 이용되고 있는 대표적인 검사 장치와 방법의 원리 및 특징에 대하여 기술하고자 한다.
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