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NFC의 자기차폐용 Ni-Zn-Cu 페라이트의 자기특성에 미치는 소결온도의 영향
Influence of Sintering Temperature on Magnetic Properties of Ni-Zn-Cu Ferrites Used for Mangetic Shielding in NFC 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.23 no.2, 2016년, pp.132 - 135  

류요한 (충북대학교 신소재공학과) ,  김성수 (충북대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This study investigates the influence of sintering temperature on the magnetic properties and frequency dispersion of the complex permeability of Ni-Zn-Cu ferrites used for magnetic shielding in near-field communication (NFC) systems. Sintered specimens of $(Ni_{0.7}Zn_{0.3})_{0.96}Cu_{0.04}Fe_...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 모바일 기기의 자기차폐용 고투자율 페라이트 자성체의 제조 및 고주파 자기특성에 대해 조사하였다. Ni-Zn-Cu 페라이트를 고상소결법으로 제조하고, 소결온도를 변화시켜 13.
  • 본 실험은 모바일 기기(RF-ID, NFC)의 자기 차폐용 고투자율 페라이트 자성체의 제조를 목표로 하고 있다. 기본 소재로는 투자율과 소결성이 우수한 Ni-Zn-Cu 페라이트를 선정하였다[8-10].
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
13.56 MHz 대 NFC 시스템의 동작원리는? 13.56 MHz 대 NFC 시스템은 리더/라이터와 무선태그에 탑재된 spiral 안테나(평면 코일 loop) 간의 전자유도 방식에 의해 양 기기 간의 전력 공급과 교신을 동작시킨다. 교신에 자계를 이용하는 13.
Ni-Zn-Cu 페라이트 분말 합성에 사용된 출발원료는? 04Fe2O4인 Ni-Zn-Cu 페라이트 분말을 고전적인 세라믹 공정인 고상소결 방법으로 제조하였다. 분말 합성에 사용된 출발원료는 NiO, ZnO, CuO, Fe2O3로 고순도 화학의 99% 이상의 고순도 분말이었다. 혼합된 원료를 스테인레스 볼, 에탄올과 함께 무게 비로 1:1:1의 비율로 폴리에틸렌 용기에 넣고 볼밀에서 12시간 혼합하였다.
13.56 MHz 대 NFC 시스템에서 통신기능이 떨어지는 문제를 해결하는 방법은? 56 MHz 대 NFC 시스템에서 안테나 가까이에 금속 차폐재가 존재할 때 통신기능이 현저히 떨어지는 문제가 발생한다. 이러한 문제의 해결방안으로 자속을 집중하는 투자율이 큰 자성체의 사용이 제안되었다[3-7]. 금속 면과 리더/라이터 모듈 사이에 고투자율 페라이트를 삽입하면 spiral 안테나에서 발생하는 자계를 하부에 위치한 페라이트 판에 집속시켜 상부 방향으로 자기 폐회로를 형성하여 자계의 누설을 방지한다.
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참고문헌 (10)

  1. J. Fisher: IEEE Commun. Mag., 47 (2009) 22. 

  2. R. Want: IEEE Pervasive Comput., 10 (2011) 4. 

  3. B. Lee, B. Kim and S. Yang: Inter. J. Antennas Propag., 2014 (2014) 187029. 

  4. X. Shen, Y. Wang, X. Yang, L. Lu and L. Huang: J. Mater. Sci. Mater. Electron., 21 (2010) 630. 

  5. J. K. Ji, W. K. Ahn, J. S. Kum, S. H. Park, G. H. Kim and W. M. Seong: IEEE Magn. Lett., 1 (2010) 5000104. 

  6. K. Chen, L. Jia, X. Yu and H. Zhang: J. Appl. Phys., 115 (2014) 17A520. 

  7. S. Bae, Y. K. Hong, J. J. Lee, W. M. Seong, W. M. Kum, J. S. Ahn, W. K. Park and S. H. Park: IEEE Trans. Magn., 46 (2010) 2361. 

  8. J. J. Shrotri, S. D. Kulkarni, C. E. Deshpande, A. Mitra, S. R. Sainkar, P. S. A. Kumar and S. K. Date: Mater. Chem. Phys., 59 (1999) 1. 

  9. H. Su, H. Zhang, X. Tang and X. Xiang: J. Magn. Magn. Mater., 283 (2004) 157. 

  10. T. T. Ahmed, I. Z. Rahman and M. A. Rahman: J. Mater. Process. Technol., 153 (2004) 797. 

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