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인포메이션 디스플레이 = Information display, v.17 no.1, 2016년, pp.11 - 17
유재형 (한국조명연구원) , 황명근 (한국조명연구원)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 현재 UV LED는 무엇을 사용하여 만드는가? | UV LED는 현재 InGaN와 AlGaN의 화합물을 사용 하여 만들고 있다. 그림 2에서 보면 UV LED를 구현할 수 있는 재료와 이에 대한 외부양자효율을 확인할 수 있다. | |
| UV-B, C 영역의 UV LED 기술이 상업화가 아닌 아직 연구개발 단계에 있는 이유는? | 그림 2와 같이 재료에 따라 외부양자효율이 차이를 보이는 가장 큰 이유는 UV-A 영역인 경우 일반적으로 InGaN를 사용하여 제조하게 되는데 그간 결정결함 감소 기술 및 활성층, p층, n층등의 성장기술이 발전하게 되어 고효율 UV LED 제조 기술이 확보되었기 때문에 나타나는 현상이나 UV-B, C를 구현하기 위해서는 기존의 InGaN가 아닌 AlGaN를 사용하여 제조해야 하는데 이 영역의 UV는 활성층에서 생성된 UV의 빛이 GaN에 흡수되기 때문에 GaN보다 에너지 밴드갭이 큰 AlGaN나 AlN 물질을 사용해야 하고 여기서 LED 제조시 가장 일반적으로 사용되는 기판인 사파이어 위에 AlGaN나 AlN를 성장시킬 때 p-type 성장이 어렵기 때문에 고효율 달성이 어렵다. 이의 해결을 위해 AlN 기판을 사용하기도 하나 AlN 기판 제조기술이 미흡하여 어려운 상황이다. | |
| UV LED 관련 국내·외 시장의 성장이 가속화될 것으로 전망하는 이유는? | 시장 성장이 가속화될 것으로 전망하는 이유는 UV LED 광원이 기존 수은 램프를 빠르게 대체할 수 있을뿐만 아니라 새로운 응용 분야도 창출할 수 있기 때문이라고 보고 있다. |
K. Evastratyeva, Market Overview for global LED Industry 2013 - 2018, Strategies in Light (2014).
D. Morita et al., Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5954 (2004).
Krames, et al., IEEE J. Diplay Technology, March (2007).
M. Shatalov, et al., Conf. Lasers and ElectroOptics Pacific Rim (CLEO-PR), MH1-2 (2013).
H. Hirayama., et al., Electronics and Communications in Japan, 98, 5 (2015).
H. Weman, High-efficiency AlGaN nanowire/graphene deep UV LEDs, LEDTIWAN (2015).
M. K. Hwang, et al., The 4th CJK Lighting Conference, 385-391, (2011).
M. Ippommatsu et al., Conf. Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR) MH1-3 (2013).
J. Yan, et al., J. Cryst. Growth. 414, 254 (2015).
J. Kwak, et al., Nano Lett. 15, 3793 (2015).
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