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무기물 GaN 기반의 마이크로 LED 기술동향 원문보기

인포메이션 디스플레이 = Information display, v.17 no.1, 2016년, pp.18 - 26  

정탁 (반도체광원연구센터)

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문제 정의

  • GIST의 박성주 교수 그룹에서는 LLO 방식을 이용한 무기물 기반의 유연 LED 제작 방법에 대해 보고하였으며, 유연 LED 제작을 위해 효율적이며 대면적 GaN layer 전사가 가능한 연구 결과를 주로 발표하였다.
  • 현재까지 무기물 GaN 기반의 마이크로 LED 광원 및 전사공정을 개발 완료하여 상용화한 기업은 전 세계적으로 없으며, 해외 선진사에 비해 국내 기술 수준은 아직 미흡한 상태이나 국제 표준이 정해지지 않았고 국내 산학연의 연구개발 성과에 따라 전 세계 시장을 주도 할 수 있는 여지가 충분하다고 볼 수 있다. 본 기고문에서는 마이크로 LED 광원의 국내외 기술개발 동향과 응용분야에 대해 간략히 소개하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
마이크로 LED를 기판에 전사하는 기술 중 정전헤드를 이용하는 방법은 무엇인가? 마이크로 LED를 플렉서블 또는 리지드(Rigid) 기판에 전사(이송)하기 위한 방법은 현재까지 두 가지가 알려져 있는데, 그 중 정전헤드(Electrostatic Head)를 이용하는 방법은 미국의 Ruxvue Technology사가 개발한 방법으로, Si 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 걸 수 있도록 전극을 형성한 뒤에 이미 제작된 마이크로 LED 상에 정전헤드를 위치시킨 후 전압을 걸어 LED를 픽업(Pick-up)하고 이송하는 방식이다[5]. 이 방법의 경우 프로그래밍을 통하여 임의로 선택된 칩 또는 어레이만을 이송할 수 있는 장점이 있지만 정전기방식으로 인해 LED를 픽업할 때 칩 손상에 대한 이슈가 존재한다.
사파이어 기반의 InGaN 마이크로 청색 LED를 제조하는 공정 방법의 장단점은 무엇인가? 위 공정 방법의 핵심기술은 Si이나 유리기판과 같은 이종기판을 LED 기판과 웨이퍼 본딩 한 후에 웨이퍼본딩된 계면의 InPdx와 같은 유테틱(eutectic) 물질을 산 용액을 이용하여 제거하는데, 이때 일부 InPdx 물질이 제거되지 않고 남아있어 LED 박막이 약한 결합력으로 Si기판에 고정될 수 있다. 본 방법은 산 용액을 이용하여 비교적 쉽게 웨이퍼 본딩 계면을 에칭하고 박막의 GaN만을 분리할 수 있는 장점이 있으나, 웨이퍼 전체적으로 에칭 균일성이 떨어질 경우 GaN 박막 전사 시에 수율이 저하될 수 있는 이슈가 존재한다.
조명으로써 LED의 장점은 무엇인가? LED는 반도체 고체조명으로 환경 친화적이고, 기존의 일반 조명 기구에 비하여 에너지 절약 효과가 우수할 뿐만 아니라, 장시간 사용이 가능한 반영구적인 긴 수명 등의 장점으로 인하여 국가적 관심 산업이 되어 과거 정부에서도 많은 예산을 투입하여 LED 기술의 개발과 보급에 힘써왔다. 하지만 최근 LED 산업은 글로벌 시장경쟁이 심화되고 있으며 주요국에서는 국가 차원의 지원정책을 바탕으로 매우 빠르게 시장을 장악하여 국내기업의 시장 경쟁력 한계가 도래하고 있는 실정이고, 설상가상으로 최근 정부의 LED 사업 예산은 해마다 줄고 있어 국내 LED 산업이 크게 위축되는 것 아니냐는 우려의 목소리를 내고 있다.
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참고문헌 (9)

  1. N. Holonyak, Jr. and S. F. Bevacqua, Applied Physics Letters 1, 82 (1962). 

  2. Sang-Il Park, Yujie Xiong, Rak-Hwan Kim, Paulius Elvikis, Matthew Meitl, Dae-Hyeong Kim, Jian Wu, Jongseung Yoon, Chang-Jae Yu, Zhuangjian Liu, Yonggang Huang, Keh-chih Hwang, Placid Ferreira, Xiuling Li, Kent Choquette, and John A. Rogers, Science 325, 977 (2009). 

  3. Hoon-sik Kim,, Eric Brueckner, Jizhou Song, Yuhang Li, Seok Kim, Chaofeng Lu, Joshua Sulkin, Kent Choquette, Yonggang Huang, Ralph G. Nuzzoa, and John A. Rogers, PNAS 108, 10072 (2011). 

  4. Tae-il Kim, Yei Hwan Jung, Jizhou Song, Daegon Kim, Yuhang Li, Hoon-sik Kim, Il-Sun Song, Jonathan J. Wierer, Hsuan An Pao, Yonggang Huang, and John A. Rogers, SMALL 8, 1625 (2012). 

  5. 미국 특허, US8646505 

  6. Sang Yong Lee, Kwi-Il Park, Chul Huh, Min Koo, Hyeon Gyun Yoo, Seung jun Kim, Chil Seong Ah, Gun Yong Sung, and Keon Jae Lee, Nano Energy 1, 145 (2012). 

  7. Tae-il Kim, Jordan G. McCall, Yei Hwan Jung, Xian Huang, Edward R. Siuda, Yuhang Li, Jizhou Song, Young Min Song, Hsuan An Pao, Rak-Hwan Kim, Chaofeng Lu, Sung Dan Lee, Il-Sun Song, Gunchul Shin, Ream Al-Hasani, Stanley Kim, Meng Peun Tan, Yonggang Huang, Fiorenzo G. Omenetto, John A. Rogers, and Michael R. Bruchas, Science 340, 211 (2013). 

  8. 미국 특허, US8552436 

  9. Rak-Hwan Kim, Dae-Hyeong Kim, Jianliang Xiao, Bong Hoon Kim, Sang-Il Park, Bruce Panilaitis, Roozbeh Ghaffari, Jimin Yao, Ming Li, Zhuangjian Liu, Viktor Malyarchuk, Dae Gon Kim, An-Phong Le, Ralph G. Nuzzo, David L. Kaplan, Fiorenzo G. Omenetto, Yonggang Huang, Zhan Kang and John A. Rogers, Nature Materials 9, 928 (2010). 

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