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NTIS 바로가기전기학회논문지. The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. P, v.65 no.2, 2016년, pp.114 - 121
성치호 (Dept. of Electrical Engineering, Pukyong National University) , 허영환 (Gimhae-Si Urban Development Corporation) , 문상필 (Dept. of Electrical Engineering, Masan University) , 박한석 (Dept. of Electrical Engineering, Pukyong National University)
This paper is Instant space vector PWM(Pulse Width Modulation)power conversion devices in switching power semiconductors from my generation to losses and switching when the voltage surge and current surge of electronic noise(EMI: Electro Magnetic Interference / RFI: Radio Frequency Interference)to e...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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새로운 액티브 보조 공진 DC 링크 스너버 회로의 단점은 무엇인가? | 또한 공진 DC 링크 회로의 소자 수가 적기 때문에 회로 구성이 간단하다. 그러나 공진 피크 전류가 다른 방식에 비해 크다는 단점이 있지만 기존 방식에 비해 도통 손실이 경감에 효과적이며, 낮은 전자노이즈의 실현이 가능해진다. | |
고주파 스위칭 동작은 어떠한 항목을 개선하는데 이용되어지고 있는가? | 또한, IGBT, IEGT, MAGT, HIGT, SIT, IGCT, STTH 등의 스위칭 파워 반도체 디바이스의 대용량화, 스위칭 속도의 고속화, 높은 파괴 내량화, 낮은 구동 전력화, 저손실화, 고기능화 등 기본 성능을 향상시키는 고주파 스위칭 PWM 전력 변환 장치의 연구 개발이 더욱 적극적으로 진행되고 있다. 이러한 고주파 스위칭 동작은 반도체 전력 변환 장치의 전력 변환 효율의 향상에 의한 에너지절약화, 고속 응답성의 개선에 의한 고성능화, 소형, 경량화등 많은 항목을 개선하는데 이용되어지고 있다. 그러나 고주파 스위칭화를 위해 전력 반도체 스위칭 장치를 고속 스위칭함으로써, 전압 및 전류의 급격한 변화(dv/dt, di/dt)로 인한 회로 구성 요소 및 배선에 의한 부유 커패시턴스와 인덕턴스 등의 전력 변환 회로의 기생 회로 파라미터 대지 부유 용량은 전자파 노이즈(EMI/RFI)의 문제 및 표면화 펄스 변조 스위칭 주파수의 고주파화에 한계가 발생된다[5-8]. | |
전력 반도체 스위칭 장치를 고속 스위칭함으로써 어떠한 한계가 발생하는가? | 이러한 고주파 스위칭 동작은 반도체 전력 변환 장치의 전력 변환 효율의 향상에 의한 에너지절약화, 고속 응답성의 개선에 의한 고성능화, 소형, 경량화등 많은 항목을 개선하는데 이용되어지고 있다. 그러나 고주파 스위칭화를 위해 전력 반도체 스위칭 장치를 고속 스위칭함으로써, 전압 및 전류의 급격한 변화(dv/dt, di/dt)로 인한 회로 구성 요소 및 배선에 의한 부유 커패시턴스와 인덕턴스 등의 전력 변환 회로의 기생 회로 파라미터 대지 부유 용량은 전자파 노이즈(EMI/RFI)의 문제 및 표면화 펄스 변조 스위칭 주파수의 고주파화에 한계가 발생된다[5-8]. |
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