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[국내논문] 감압대기 및 불활성가스 분위기에서 적합한 정전기 제거장치의 개발
Development of the Most Optimized Ionizer for Reduction in the Atmospheric Pressure and Inert Gas Area 원문보기

한국안전학회지 = Journal of the Korean Society of Safety, v.31 no.3, 2016년, pp.42 - 46  

이동훈 (부경대학교 안전공학과) ,  정필훈 (선재하이테크 기술연구소) ,  이수환 (선재하이테크 기술연구소) ,  김상효 (선재하이테크 기술연구소)

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In LCD Display or semiconductor manufacturing processes, the anti-static technology of glass substrates and wafers becomes one of the most difficult issues which influence the yield of the semiconductor manufacturing. In order to overcome the problems of wafer surface contamination various issues su...

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문제 정의

  • 본 연구에서는 감압대기 및 불활성가스 환경에서 정전기제거를 위하여 진공자외선(Vacuum Ultra Violet ray)을 이용한 정전기 제거장치를 개발하였다.

가설 설정

  • 1) 감압에서는 연X선조사식 정전기제거장치를 사용할 수 없다. 이는 감압의 상태가 되면 광자를 흡수하는 가스분자 또는 원자의 양이 극히 적어 이온생성이 극히 감소하여 정전기제거능력이 현저히 저하한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
디스플레이 및 반도체 제조공정에서 이용하는 정전기를 제거하는 방식으로 무엇이 있는가? 이러한 제조공정에서 정전기를 제거하는 방식으로는 코로나방전을 이용하는 방식과 연X선(Soft X-ray)을 이용하는 방법이 있다.
중수소 램프는 무엇으로 구성되는가? 진공자외선을 발생하기 위하여 중수소 램프를 사용 하였다. 중수소 램프는 석영관, 발광부, 리드선, 핀치부 등으로 구성되고, 아크방전(Arc Discharge)을 이용한 방전관으로 석영유리관 내에 중수소 가스(Deuterium gas, D2)가 봉입되어 있고, 아크방전이 발생할 때 양극부분에서 100 ㎚ ∼ 200 ㎚의 연속 스펙트럼광(Continuous Spectrum Light)을 얻을 수 있다.
본 연구의 대기, 질소 및 아르곤 가스의 감압변화에 따른 제전완화시간 분석실험에서, 대기상태의 경우 10 Torr 이상에서는 제전완화시간이 수십 초대로 정전기제거능력이 제전목표에 미치지 못하는 반면, 1 Torr에서는 제전완화시간이 0초대로 나타나는 이유는 무엇인가? 반면 1 Torr에서는 제전완화시간이 0초대로 나타났다. 이는 전자와 분자의 평균자유행정 (Mean free path)이 길어져서 전송속도가 빨라졌기 때문이다. 전송속도가 빨라짐에 따라 이온과 전자의 재결합(Recombination)과 확산(Deffusion)이 억제되었기 때문이다. 10-1 Torr ~ 10-3 Torr에서는 제전완화시간이 10-1.
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참고문헌 (7)

  1. D. H. Lee, D. S. Choi, Y. C. Jung and S. M. Kim, "A Study on Improvement of the Performance of Pulsed AC Ion Bar(1)", Journal of the Korean Society of Safety, Vol.29, No.3, pp. 34-38, 2014. 

  2. D. H. Lee, D. S. Choi, S. M. Kim and Y. C. Jung, "A Study on Improvement of the Performance of Pulsed AC Ion Bar(2)", Journal of the Korean Society of Safety, Vol.29, No.6, pp. 40-45, 2014. 

  3. Ministry of Commerce Industry and Energy, Korean Agency for Technology and Standards, "The Standard Study for Ionizer Evaluation Method", pp.224-236, 2005. 

  4. T.Namura, H.Okada, Y.Naitoh, Y.Todokora and M.Inoue, "Charged Build Up in Magnetized Process Plasma", Japan Journal Applied Physics, Vol. 30, pp.1576-1580, 1991. 

  5. T.Ohmi and T.Shibata, "Closed Manufacturing System for Advanced Semiconductor Manufacturing", Automated Integrated Circuits Manufacturing, PV.91-5, pp.3-64, 1991. 

  6. H. Inaba, T. Ohmi, T. Yoshida and T. Okada, "Neutralization of Static Electricity by Soft X-rays & Vacuum UV Radiation", Journal of Electrostatics, Vol.33, pp.15-42, 1994. 

  7. S. Sakata, H. Inaba, T. Yoshida and T. Okada, "Contamination Free Ionizer for Static Control in Super Clean Room", Proc. 3rd Int. Aerosol Conference, pp.817-820, 1990. 

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