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[국내논문] 플래시 스토리지의 성능 지연 방지를 위한 비휘발성램 기반 쓰기 증폭 감소 기법
NVM-based Write Amplification Reduction to Avoid Performance Fluctuation of Flash Storage 원문보기

The journal of the institute of internet, broadcasting and communication : JIIBC, v.16 no.4, 2016년, pp.15 - 20  

이은지 (충북대학교 소프트웨어학과) ,  정민성 (충북대학교 소프트웨어학과) ,  반효경 (이화여자대학교 컴퓨터공학과)

초록
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플래시 메모리는 초소형 전자기기부터 미디어 서버에 이르기까지 현대의 다양한 시스템에서 스토리지로 활용되고 있다. 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다. 본 논문은 비휘발성램을 플래시 메모리 스토리지의 버퍼캐시로 사용하고 두 계층 간의 협동적 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 쓰깆 WAF를 절감하는 기법에 대해 제안한다. 비휘발성램에 캐쉬된 데이터는 플래시 메모리에서 가비지 컬렉션 수행 시 복사하지 않도록 한다. 이것은 복사되는 페이지의 수를 감소시켜 스토리지의 성능 및 내구성을 향상시킨다. 제안된 기법은 ssdsim 시뮬레이터에 구현되었으며 WAF와 응답시간표준편차를 각각 51.4%와 35.4% 개선할 수 있음을 보인다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Write amplification is a critical factor that limits the stable performance of flash-based storage systems. To reduce write amplification, this paper presents a new technique that cooperatively manages data in flash storage and nonvolatile memory (NVM). Our scheme basically considers NVM as the cach...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 바이트 단위의 접근이 가능하면서도 내구성을 제공하는 비휘발성 메모리는, 기존 DRAM 기반의 컴퓨터 스토리지 계층구조에서 다양한 형태로 사용되어 성능 및 내구성을 향상시키는 데 기여할 수 있을 것으로 기대되고 있다[2]. 본 논문에서는 NVM(Non-volatile Memory)을 플래시 스토리지의 캐쉬장치로 사용할 때 두 계층 간의 협동적인 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 쓰기 증폭현상을 감소시키는 방법을 제안하고자 한다.
  • 본 논문은 NVM이 캐쉬에 적용될 때 플래시 스토리지를 위한 새로운 데이터 관리 기법을 제안했다. 제안된 기법은 비휘발성 캐쉬와 플래시 스토리지에서 데이터를 협동적으로 관리함으로써 GC(Garbage Collection)의 효율성을 향상시키고 전체적인 성능 및 편차를 개선한다.
  • 본 논문은 플래시 메모리의 쓰기 증폭을 완화시키기 위해 비휘발성램 버퍼캐시에 캐쉬 된 데이터를 플래시 메모리의 삭제 연산 시 새로운 블록에 복사하지 않고 지울 수 있도록 허용하는 기법을 제안한다. 비휘발성램은 전원이 없이도 데이터를 영속적으로 저장할 수 있기 때문에 향후 데이터를 복구할 수 있다.
  • 최근 NVMe나 Universal PCI Express 같은 스토리지 인터페이스는 사용자 특성에 맞게 인터페이스를 확장하는 것이 가능해지고 있지만[13], 빈번한 정보 교류는 상당한 성능저하로 이어질 것이다. 본 연구는 향후 이러한 오버헤드를 최소화할 수 있는 방안을 고안하고자 한다.
  • 또한 수정이 필요한 계층도 FTL로 단일화가 되기 때문에 개발 용이성 측면에서도 좋다. 이에 본 논문에서는 후자의 아키텍쳐를 타겟으로 성능평가를 진행하였다.
  • 이에 우리는 비휘발성램이 메인메모리로 사용될 때, 버퍼캐시와 플래시 메모리의 협동적인 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 WAF를 감소시키는 기법에 대해 제안한다.
  • 제안된 기법은 크게 두 가지의 아키텍쳐에서 적용 가능하다. 첫 번째는 호스트 페이지 캐시를 비휘발성램으로 사용할 때 스토리지와 호스트 캐쉬 간에 협동적인 데이터 관리를 하는 것이다. 이 경우 상대적으로 대용량의 비휘발성램을 탑재할 수 있기 때문에 WAF 감소효과가 클 것으로 예상되나 호스트와 디바이스 간의 커뮤니케이션 오버헤드가 상당히 발생할 수 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
플래시 메모리의 쓰기 증폭이 발생하는 곳은? 플래시 메모리는 초소형 전자기기부터 미디어 서버에 이르기까지 현대의 다양한 시스템에서 스토리지로 활용되고 있다. 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다.
WAF란? WAF(Write Amplification Factor)란 플래시 메모리가 물리적으로 덮어쓰기를 허용하지 않기 때문에 데이터를 변경하기 위해서는 반드시 원래의 데이터를 지우고 다시 쓸 때 발생하는 엄청난 수의 불필요한 쓰기 이다. 상용 SSD의 내부 정보는 사용자에게 제공되지 않는 이유로 우리는 높은 정확도를 가지는 SSD 시뮬레이터인 SSDsim을 사용하여 SSD의 WAF를 조사하였다(실험의 환경설정에 대한 자세한 설명은 4장에서 할 예정임).
플래시 메모리의 갑작스러운 속도지연으로 발생하는 것은? 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다. 본 논문은 비휘발성램을 플래시 메모리 스토리지의 버퍼캐시로 사용하고 두 계층 간의 협동적 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 쓰깆 WAF를 절감하는 기법에 대해 제안한다.
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참고문헌 (13)

  1. https://en.wikipedia.org/wiki/3D_XPoint 

  2. E. Lee, S. Yoo, H. Bahn, "Performance Evaluation and Analysis of NVM Storage for Ultra-Light Internet of Things," The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication(JIIBC), Vol. 15, No. 6, pp. 181-186, 2015 

  3. Y. Lu, J. Shu, and W. Zheng, "Extending the Lifetime of Flash-based Storage through Reducing Write Amplification from File Systems," Proceedings of the 11th USENIX Conference on File and Storage Technologies (FAST), pp. 73-80, 2013. 

  4. P. Desnoyers, "Analytic modeling of SSD write performance," Proceedings of the 5th ACM International Systems and Storage Conference (SYSTOR), 2012. 

  5. M. Yang, Y. Chang, C. Tsao, and P. Huang, "New ERA: new efficient reliability-aware wear leveling for endurance enhancement of flash storage devices," Proceedings of the 50th Annual Design Automation Conference (DAC), 2013. 

  6. D. Apalkov, A. Khvalkovskiy, S. Watts, V. Nikitin, X. Tang, D. Lottis, K. Moon, X. Luo, E. Chen, A. Ong, A. Driskill-Smith, and M. Krounbi, "Spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM)," ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, 9(2), 2013. 

  7. O. Zilberberg, S. Weiss, and S. Toledo, "Phase-change memory: An architectural perspective," ACM Computing Surveys, 45(3), 2013. 

  8. Y. Li and K. N. Quader, "NAND Flash memory: challenges and opportunities," Computer, pp. 23-29, 2013. 

  9. N. Agrawal, V. Prabhakaran, T. Wobber, J. Davis, M. Manasse, and R. Panigrahy, "Design tradeoffs for SSD performance," Proc. USENIX ATC, pp. 57-70, 2008. 

  10. JEDEC, Master trace for 128 GB SSD, http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd219a_mt. 

  11. UMASS trace repository, http://traces.cs.umass.edu. 

  12. F. Shu, "Data set management commands proposal for ATA8-ACS2," T13 Technical Committee, United States: At Attachment:e07154r1, 2007. 

  13. A. Huffman, "NVM Express: Going Mainstream and What's Next", Intel Developers Forum, 2014. 

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