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NTIS 바로가기The journal of the institute of internet, broadcasting and communication : JIIBC, v.16 no.4, 2016년, pp.15 - 20
이은지 (충북대학교 소프트웨어학과) , 정민성 (충북대학교 소프트웨어학과) , 반효경 (이화여자대학교 컴퓨터공학과)
Write amplification is a critical factor that limits the stable performance of flash-based storage systems. To reduce write amplification, this paper presents a new technique that cooperatively manages data in flash storage and nonvolatile memory (NVM). Our scheme basically considers NVM as the cach...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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플래시 메모리의 쓰기 증폭이 발생하는 곳은? | 플래시 메모리는 초소형 전자기기부터 미디어 서버에 이르기까지 현대의 다양한 시스템에서 스토리지로 활용되고 있다. 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다. | |
WAF란? | WAF(Write Amplification Factor)란 플래시 메모리가 물리적으로 덮어쓰기를 허용하지 않기 때문에 데이터를 변경하기 위해서는 반드시 원래의 데이터를 지우고 다시 쓸 때 발생하는 엄청난 수의 불필요한 쓰기 이다. 상용 SSD의 내부 정보는 사용자에게 제공되지 않는 이유로 우리는 높은 정확도를 가지는 SSD 시뮬레이터인 SSDsim을 사용하여 SSD의 WAF를 조사하였다(실험의 환경설정에 대한 자세한 설명은 4장에서 할 예정임). | |
플래시 메모리의 갑작스러운 속도지연으로 발생하는 것은? | 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다. 본 논문은 비휘발성램을 플래시 메모리 스토리지의 버퍼캐시로 사용하고 두 계층 간의 협동적 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 쓰깆 WAF를 절감하는 기법에 대해 제안한다. |
https://en.wikipedia.org/wiki/3D_XPoint
E. Lee, S. Yoo, H. Bahn, "Performance Evaluation and Analysis of NVM Storage for Ultra-Light Internet of Things," The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication(JIIBC), Vol. 15, No. 6, pp. 181-186, 2015
Y. Lu, J. Shu, and W. Zheng, "Extending the Lifetime of Flash-based Storage through Reducing Write Amplification from File Systems," Proceedings of the 11th USENIX Conference on File and Storage Technologies (FAST), pp. 73-80, 2013.
P. Desnoyers, "Analytic modeling of SSD write performance," Proceedings of the 5th ACM International Systems and Storage Conference (SYSTOR), 2012.
M. Yang, Y. Chang, C. Tsao, and P. Huang, "New ERA: new efficient reliability-aware wear leveling for endurance enhancement of flash storage devices," Proceedings of the 50th Annual Design Automation Conference (DAC), 2013.
D. Apalkov, A. Khvalkovskiy, S. Watts, V. Nikitin, X. Tang, D. Lottis, K. Moon, X. Luo, E. Chen, A. Ong, A. Driskill-Smith, and M. Krounbi, "Spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM)," ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, 9(2), 2013.
O. Zilberberg, S. Weiss, and S. Toledo, "Phase-change memory: An architectural perspective," ACM Computing Surveys, 45(3), 2013.
Y. Li and K. N. Quader, "NAND Flash memory: challenges and opportunities," Computer, pp. 23-29, 2013.
N. Agrawal, V. Prabhakaran, T. Wobber, J. Davis, M. Manasse, and R. Panigrahy, "Design tradeoffs for SSD performance," Proc. USENIX ATC, pp. 57-70, 2008.
JEDEC, Master trace for 128 GB SSD, http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd219a_mt.
UMASS trace repository, http://traces.cs.umass.edu.
F. Shu, "Data set management commands proposal for ATA8-ACS2," T13 Technical Committee, United States: At Attachment:e07154r1, 2007.
A. Huffman, "NVM Express: Going Mainstream and What's Next", Intel Developers Forum, 2014.
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