[논문]높은 Q-지수를 갖는 대칭 구조의 CMOS 2 단자 능동 인덕터

구자건; 정승호; 정용채

doi:10.5515/kjkiees.2016.27.10.877

높은 Q-지수를 갖는 대칭 구조의 CMOS 2 단자 능동 인덕터
CMOS Symmetric High-Q 2-Port Active Inductor 원문보기

韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.27 no.10, 2016년, pp.877 - 882

구자건 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터) , 정승호 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터) , 정용채 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터)

초록
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본 논문에서는 LC 공진회로를 이용한 2 단자 능동 인덕터를 제안한다. 제안된 회로는 기존 자이레이터 구조의 1 단자 능동 인덕터들을 캐스코드 형태로 결합하였으며, 두 자이레이터 사이에 LC 공진회로를 추가시켰다. LC 공진회로는 능동 인덕터를 구성하는 트랜지스터의 기생 성분들을 상쇄시킴으로써 넓은 대역에서 높은 Q-지수를 제공한다. 제안된 회로는 삼성전자 65 nm 공정을 이용하여 시뮬레이션과 제작을 수행하였으며, 1~6 GHz 대역에서 2 nH의 일정한 인덕턴스와 40 이상의 높은 Q-지수를 가진다.

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, a novel CMOS high Q factor 2-port active inductor has been proposed. The proposed circuit is designed by cascading basic gyrator-C structural active inductors and attaching the feedback LC resonance circuit. This LC resonator can compensate parasitic capacitance of transistor and can improve Q factor over wide frequency range. The proposed circuit was fabricated and simulated using 65 nm Samsung RF CMOS process. The fabricated circuit shows inductance of above 2 nH and Q factor higher than 40 in the frequency range of 1~6 GHz.

주제어

참고문헌 (7)

R. Sharman, A. K. A'ain, M. Azmi, and H. M. Zhe, "Design approach for tunable CMOS active inductor", Semiconductor Electronics, ICSE 2004, IEEE Internation Conf. pp. 143-147, Dec. 2004.
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