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[국내논문] P-type Skutterudite 열전소재의 열전도도 제어 연구
Research for Controlled Thermal Conductivity of p-Type Skutterudite Materials 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.11, 2016년, pp.671 - 675  

손근식 (한국기술교육대학교 에너지신소재공학과) ,  최순목 (한국기술교육대학교 에너지신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Skutterudite materials show PGEC (phonon glass electron crystal) characteristics which is an optimal strategy for designing high performance thermoelectric materials. Now two methods are in parallel to control thermal conductivity of skutterudites, a rattler-atoms doping method and a process for nan...

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문제 정의

  • 본 논문에서는 skutterudite 열전 소재, 그 중에서도 특별히 p-type의 CoSb3의 ZT 값 향상을 위해 진행되었던 연구들에 대해서 고찰해보고자 한다.
  • 또한 R. Liu그룹은 double filler가 도핑된 skutterudite 에 filler가 첨가되는 양이 같을 때, filler 원자의 질량 차이에 따른 격자 열전도도 차이에 대하여 연구하였다. 비슷한 원자 질량을 가지는 Ba과 Ce을 co-filling 하는 경우보다 큰 무게 차이를 지닌 Ce과 Yb에서 더 많은 격자 열전도도가 감소했다 [16].
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
나노 그레인의 결정구조를 만드는 방법에는 어떠한 것들이 있는가? 나노 그레인의 결정구조를 만드는 방법으로 볼 밀링과 melt-spinning 등의 방법이 사용된다. 그 중에서 그림 1(a)는 Yein Tech사의 melt-spinning의 모식도를 나타낸 것이다.
열전소자의 효율을 나타내는 식에서 각 변수가 의미하는 것은? 이 식에서 S는 제벡계수, T는 절대온도이며 σ는 전기전도도이고, k는 열전도도를 나타낸다. 열전도도는 전자와 phonon에 의한 열전도도의 합으로 나타난다. Power factor (S2σ)는 도핑된 정도에 따른 캐리어 농도에 영향을 받으며 그 한계치가 정해져 있다.
ZT를 향상시키기 위해 낮은 격자 열전도도를 얻게 해주는 filler atom의 효과는? 조성의 측면에서는 filler atom을 첨가하는 방법이 있다. Single filler atom의 경우 Ce을 첨가하였을 때 가장 낮은 격자 열전도도를 지니게 되는 것으로 보고되었고, double filler의 경우 filler원자의 질량 차이가 클 때 더 많은 격자 열전도도를 감소시킬 수 있다. 또한, DD가 첨가될 때 효과적인 격자 열전도도가 감소될 수 있다고 보고되고 있다.
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참고문헌 (27)

  1. Z. G. Chen, Chinese Materials Research Society, 22, 535 (2012). 

  2. K. H. Lee, J. Y. Kim, and S. M. Choi, Journal of the Korean Ceramic Society, 52, 1 (2014). 

  3. H. J. Goldsmid, CRC Handbook of Thermoelectrics (ed., D. M. Rowe) (CRC Press, USA, 1995) p. 19. 

  4. G. S. Nolas, D. T. Morelli, and T. M. Tritt, Annual Review of Materials Science, 29, 94 (1999). 

  5. G. A. Slack, CRC Handbook of Thermo-electrics (eds. M. Rowe) (CRC Press, USA, 1995). 

  6. S. I. Kim and K. H. Lee, Science, 348, 109 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1126/science.aaa4166] 

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  10. R. Liu, J. Mater. Res., 26, 1813 (2011). 

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  14. J. P. Fleurial, Proc. 15th International Conference on Thermoelectrics (California, USA, 1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/ict.1996.553263] 

  15. R. Liu, Intermetallics, 19, 1747 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.intermet.2011.06.010] 

  16. S. Q. Bai, Y. Z. Pei, and L. D. Chen, Acta Materialia, 57, 3135 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2009.03.018] 

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  22. G. Rogl, Intermetallics, 18, 2435 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.intermet.2010.08.041] 

  23. J. Yu, J. Electron. Mater., 41, 1414 (2012). 

  24. G. Tan, J. Alloy. Compd., 513, 328 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2011.10.042] 

  25. G. Rogl, Acta Materialia, 76, 434 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2014.05.051] 

  26. G. J. Tan, J. Electron. Mater., 41, 434 (2012). 

  27. C. Zhou, J. Electron. Mater., 41, 1030 (2012). 

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