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(Ga,Al)이 도핑된 ZnO를 투명전극으로 가진 Cu(In,Ga)Se2 태양전지에 수분이 미치는 영향
Effect of Moisture on Cu(In,Ga)Se2 Solar Cell with (Ga,Al) Co-doped ZnO as Window Layer 원문보기

Current photovoltaic research = 한국태양광발전학회논문지, v.5 no.4, 2017년, pp.135 - 139  

양소현 (화학공학과, 영남대학교) ,  배진아 (화학공학과, 영남대학교) ,  송유진 (화학공학과, 영남대학교) ,  전찬욱 (화학공학과, 영남대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We fabricated two different transparent conducting oxide thin films of ZnO doped with Ga ($Ga_2O_3$ 0.9 wt%) as well as Al ($Al_2O_3$ 2.1 wt%) (GAZO) and ZnO doped only with Al ($Al_2O_3$ 3 wt%) (AZO). It was investigated how it affects the moisture resistance of the...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 Ga (Ga2O3 0.9 wt%)과 Al (Al2O3 2.1 wt%)가 동시 도핑된 GAZO 투명전극과 Al (Al2O3 3 wt%)만 도핑된 AZO 투명전극을 만들어, Al의 일부가 Ga으로 대체될 때 투명전극의 내습성에 어떠한 영향을 끼치는지 조사하였다.
  • 앞서 제시한 투명전극의 광학적 특성 변화 즉, 노출시간 증가에 따라 다소의 투과율 감소를 보인 결과는 단락전류 거동과는 정반대이다. 현재로서는, 그리드 전극으로 사용한 Ag와 산화물 전극 간 계면특성이 오히려 고온 노출에 의해 개선된 것이 단락전류 증가와 관련이 있는 것으로 짐작하고 있으나, 그에대한 직접적인 증거를 확보하지는 못하였으며, Ag/산화물 접합에 대한 연구를 통해 파악하고자 한다. AZO 소자의 효율은, 노출 시간 증가에 따라 초기에는 서서히 감소하나, 240 분 후 최대 20%의 감소를 보였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO를 투명전극으로 사용할 때, 전기광학적 특성은 무엇에 의해 조정되는가? 3ev이며 약 80% 이상의 높은 광투과도를 가진 ZnO (Zinc oxide)을 투명전극으로 사용할 수 있다. ZnO의 전기광학적 특성은 3족 원소(Al, Ga, In, B)의 도핑에 의해 조정될 수 있다6,8). ZnO의 내습성향상과 전도성 향상을 위해 Al과 Ga를 ZnO의 도핑원소로 사용하며, 특히 내습성 향상에는 Ga이 큰 영향을 끼치는 것으로 알려져 있다9,10).
태양 전지 기술은 주로 어떻게 사용되고 있는가? 태양 전지 기술은 현재 많은 주목을 받고 있는 기술 중 하나이다. 특히, Cu(In,Ga)Se2(CIGS)흡수층은 제조원가가 다른 물질보다 낮고 적은 양의 In, Ga으로도 고효율을 낼수 있어 많이 사용되고 있다1). 박막태양전지를 구성하기 위해 사용되는 투명전극 (TCO, Transparent Conductive Oxides)은 투명 박막 트랜지스터(Transparent Thin Film Transistor), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode) 및 터치 패널 디스플레이와 같은 전자 장치에도 사용되는 필수적인 물질이다2-5).
ITO의 특징은? 따라서, 광투과율이 높아야 하고 전기전도성이 우수해야한다. 투명전극 재료 중 ITO (Indium Tin Oxide, In2O3:SnO2)는 뛰어난 전기 및 광학적 특성으로 인해 디스플레이 분야에서 가장 대표적으로 사용되는 재료이다6). 하지만, 원료의 높은 단가로 인해 태양전지와 같은 저가 제품에의 사용은 제한될 수 밖에 없다7).
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참고문헌 (18)

  1. M. Kaelin, D. Rudmann, A. N. Tiwari, "Low cost processing of CIGS thin film solar cells", Solar Energy, Vol. 77, pp. 749-756, 2004. 

  2. S. H. Jeong, N. Matsushita, K. H. Kim, "Investigation of the effect of oxygen gas on properties of GAZO thin films fabricated by facing targets sputtering system", Semicond. Sci. Technol., Vol. 29, pp. 075007 (5pp), 2014. 

  3. J. S. Hong, S. M. Kim, S. J. Park, H. W. Choi, K. H. Kim, "Preparation of $In_{2}O_{3}-ZnO$ (IZO) Thin Film on Glass Substrate for Organic Light Emitting Device (OLED)", Mol. Cryst. Liq. Cryst, Vol. 520, pp. 19-27, 2010. 

  4. S. T. Meyers, J. T. Anderson, C. M. Hung, J. Thompson, J. F. Wager, D. A. Keszler, "Aqueous Inorganic Inks for Low-Temperature Fabrication of ZnO TFTs", Am. Chem. Soc., Vol. 130, pp. 17603-17609, 2008. 

  5. H. Wei, H. Gong, Y. Wang, X.Hu, L. Chen, H. Xu, P. Liu, B. Cao, "Three kinds of $Cu_{2}O/ZnO$ heterostructure solar cells fabricated with electrochemical deposition and their structure-related photovoltaic properties", Cryst. Eng. Comm., Vol. 13, pp. 6065-6070, 2011. 

  6. Y. Sato, H. Makino, N. Yamamoto, T. Yamamoto, "Structural, electrical and moisture resistance properties of Ga-doped ZnO films", Thin Solid Films, Vol. 520, pp. 1395-1399, 2011. 

  7. M. C. Li, C. C. Kuo, S. H. Peng, S. H. Chen, C. C. Lee, "Influence of hydrogen on the properties of Al and Ga-doped ZnO films at room temperature", Applied Optics, Vol. 50, pp. C197-C200, 2011. 

  8. K. S. Jung, S. J. Kwon, E. S. Cho, "Effect of Temperature on the Characteristics of ZnO Thin Film Applied to the Window Layer of CIGS Solar Cells", J. KIEEME, Vol. 26, pp. 304-308, 2013. 

  9. I. Y. Kim, S. W. Shin, M. S. Kim, J. H. Yun, G. S. Heo, C. H. Jeong, J. H. Moon, J. Y.Lee, J. H. Kim, "Effect of Sputtering Powers on Mg and Ga Co-Doped ZnO Thin Films with Transparent Conducting Characteristics", Kor. J. Mater. Res., Vol. 23, pp. 155-160, 2013. 

  10. C. F. Yu, S. H. Chen, S. J. Sun, H. Chou, "Influence of the grain boundary barrier height on the electrical properties of Gallium doped ZnO thin films", Applied Surface Science, Vol.257, pp. 6498-6502, 2011. 

  11. Y. S. Jung, H. W. Choi, K. H. Kim, "Properties of AZO Thin Films for Solar Cells Deposited on Polycarbonate Substrates", J. Kor. Phys. Soc., Vol. 55, pp. 1945-1949, 2009. 

  12. T. Minami, H. Sato, K. Ohashi, T. Tomofuji, S. Takata, "Conduction mechanism of highly conductive and transparent zinc oxide thin films prepared by magnetron sputtering", J of Crystal Growth, Vol. 117, pp. 370-374, 1992. 

  13. O. Bamiduro, H. Mustafa, R. Mundle, R. B. Konda, A. K. Pradhan,"Metal-like conductivity in transparent Al:ZnO films", Appl. Phys. Lett., Vol. 90, pp. 252108, 2007. 

  14. E. Fortunato, L. Raniero, L. Silva, A. Goncalves, A. Pimentel, P. barquinha, H. Aguas, L. Pereira, G. Goncalves, I. Ferreira, E. Elangovan, R. Martins, "Highly stable transparent and conducting gallium-doped zinc oxide thin films for photovoltaic applications", Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 92, pp. 1605-1610, 2008. 

  15. V. Bhosle, A. Tiwari, J. Narayan, "Electrical properties of transparent and conducting Ga doped ZnO", J. Appl. Phys., Vol. 100, pp. 033713, 2006. 

  16. J. S. Hong, K. W. Jang, Y. S. Park, H. W. Choi, K. H. Kim, "Preparation of ZnO Based Thin Films for OLED Anode by Facing Targets Sputtering System", Mol. Cryst. Liq. Cryst, Vol. 538, pp.103-111, 2011. 

  17. Y. K. Hyun, J. W.Choi, D. H. Lee, "Characteristics of ZnO films deposited onto Al/Si substrate by r.f. magnetron sputtering", Thin Solid Films, Vol 302, pp.116-121, 1997. 

  18. D. W. Kim, D. W. Lee, H. S. Lee, S. T. Kim, C. H. Park, Y. N. Kim, "Effect of Degraded Al-doped ZnO Thin Films on Performance Deterioration of CIGS Solar Cell", J. Kor. Ceramic Soc., Vol. 48, pp. 328-333, 2011. 

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