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비휘발성 메모리 메타물질 원문보기

전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.30 no.3, 2017년, pp.17 - 24  

김우영 (제주대학교 전자공학과) ,  박남규 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ,  김튼튼 (IBS 나노구조물리 연구단) ,  김현돈 (한국과학기술원 기계공학과) ,  민범기 (한국과학기술원 기계공학과)

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 본고에서는 여러 메모리 메타물질을 소개하고자 하는데, 메모리 기능을 나타내는 매개물질을 기준으로 분류하여 요약할 것이다. 지금까지 보고된 대표적인 메모리 메타물질은 주로 3가지 매개물질로 분류될 수 있는데, 바나듐산화물(VO2), 칼코게나이드(chalcogenide), 그래핀-강유전체 복합구조체가 그것이다.
  • 지금까지 보고된 대표적인 메모리 메타물질은 주로 3가지 매개물질로 분류될 수 있는데, 바나듐산화물(VO2), 칼코게나이드(chalcogenide), 그래핀-강유전체 복합구조체가 그것이다. 본론에서는 이 매개물질들을 이용하여 구현한 메모리 메타물질의 사례를 중심으로 기술할 것이다.

가설 설정

  • 등) 와 같이 매우 다양한 상으로 존재할 수 있다. 메모리 메타물질에의 응용은 VO2의 경우에 대해서만 보고되었으므로 본고에서 기술하는 바나듐산화물은 조성비가 V : O = 1 : 2인 경우(VO2)로 한정할 것이다. 바나듐산화물은 상온에서 절연체인 Monoclinic 구조로 존재하고, 섭씨 68도에서 금속성인 Rutile 구조로 변환되는데 상변화 시간이 1 ps(1조분의 1초) 이하로 매우 빠르다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
능동 메타물질의 장단점은? 이 접합 커패시턴스는 공핍층의 폭에 따라 가변되고, 공핍층의 폭은 외부에서 인가하는 전압의 크기에 의해 조절되므로 결과적으로 외부에서 인가하는 전압에 의해 메타물질의 광학적 특성이 조절되는 것이다. 능동 메타물질은 메타물질의 광학적 특성을 원하는 대로 조절할 수 있다는 장점이 있지만 원하는 광학적 특성을 유지하기 위해 지속적으로 외부의 자극을 인가해야 하는 단점이 있다 [7]. 즉, 외부에서 인가하는 자극을 제거하면 변형된 광학적 특성은 초기화 상태로 돌아가게 된다.
칼코게나이드의 결정질 및 비정질 상태의 물성 차이를 기반으로 하는 대표적인 기록 장치는 무엇인가? 광학적 특성으로는 결정질 상태의 반사도가 비정질 상태보다 높고 전기적 특성으로는 결정질 상태의 전도도가 더 높다. DVD 플레이어 및 상변화 메모리(Phase-change random access memory, PRAM)가 이러한 특성을 이용한 대표적인 예이다. 메모리 메타물질의 매개물질로는 갈륨-란타늄-황화물(GaLaS, GLS), 저메늄-안티몬-텔루륨화물(GeSbTe, GST) 의 경우에 대해서 보고되었다.
메타물질이란 무엇인가? 메타물질(metamaterial)이란 자연에서 발견되지 않는 특이한 광학적 성질을 얻기 위해 인위적으로 설계된 물질이며, 음굴절률 [1], 고굴절률 [2], 투명망토 [3], 변환광학 [3] 및 강한 카이랄성 [5] 등 다양한 광학 현상을 가능하게 한다. 일반적으로 메타물질은 유전체에 삽입된 금속 구조체 배열로써 구성되는데, 그의 기본 단위구조체는 사용하는 빛의 파장보다 훨씬 작은 스케일로 제작된다.
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참고문헌 (20)

  1. J. B. Pendry, "Negative Refraction Makes a Perfect Lens", Phys. Rev. Lett., 85, 3966-3969 (2000). 

  2. M. Choi, S. H. Lee, Y. Kim, S. B. Kang, J. H. Shin, M. H. Kwak, K. Y. Kang, Y. H. Lee, N. K. Park, and B. K. Min, "A terahertz metamaterial with unnaturally high refractive index," Nature , 470, 369-373 (2011). 

  3. X. J. Ni, Z. J. Wong, M. C. Mrejen, Y. Wang, and X. Zhang, "An ultrathin invisibility skin cloak for visible light", Science , 349, 1310-1314 (2015). 

  4. Y. S. Kim, S. Y. Lee, J. W. Ryu, I. B. Kim, J. H. Han, H. S. Tae, M. H. Choi, and B. K. Min "Designing whispering gallery modes via transformation optics," Nature Photonics , 10, 647-652 (2016). 

  5. J. B. Pendry, "A Chiral Route to Negative Refraction", Science , 306, 1353-1355 (2004). 

  6. H. T. Chen, W. J. Padilla, J. M. O. Zide, Arthur C. Gossard, Antoinette J. Taylor, and Richard D. Averitt, "Active terahertz metamaterial devices", Nature , 444, 597-600 (2006). 

  7. M. J. Dicken, K. Aydin, I. M. Pryce, L. A. Sweatlock, E. M. Boyd, S. alavalkar, J. Ma, and H. A. Atwater, "Frequency tunable near-infrared metamaterials based on $VO_2$ phase transition", Optics Express , 17, 18330-18339 (2009). 

  8. T. Driscoll, H. T. Kim, B. G. Chae, B. J. Kim, Y. W. Lee, N. M. Jokerst, S. Palit, D. R. Smith, M. Di Ventra, and D. N. Basov, "Memory Metamaterials", Science , 325, 1518-1521 (2009). 

  9. M. D. Goldflam, T. Driscoll, B. Chapler, O. Khatib, N. Marie Jokerst, S. Palit, D. R. Smith, Bong-Jun Kim, Giwan Seo, Hyun-Tak Kim, M. Di Ventra, and D. N. Basov, "Reconfigurable gradient index using $VO_2$ memory metamaterials", Appl. Phys. Lett. , 99, 044103 (2011). 

  10. M. D. Goldflam, T. Driscoll, D. Barnas, O. Khatib, M. Royal, N. Marie Jokerst, D. R. Smith, B. J. Kim, Giwan Seo, H. T. Kim, and D. N. Basov, "Two-dimensional reconfigurable gradient index memory metasurface", Appl. Phys. Lett. , 102, 224103 (2013). 

  11. Z. L. Samson, K. F. MacDonald, F. De Angelis, B. Gholipour, K. Knight, C. C. Huang, E. Di Fabrizio, D. W. Hewak, and N. I. Zheludev, "Metamaterial electro-optic switch of nanoscale thickness", Appl. Phys. Lett. , 96, 143105 (2010). 

  12. B. Gholipour, J. Zhang, K. F. MacDonald, D. W. Hewak, and N. I. Zheludev, "An All-Optical, Nonvolatile, Bidirectional, Phase-Change Meta-Switch", Advanced Materials, 25, 3050-3054 (2013). 

  13. Q. Wang, J. Maddock, E. T. F. Rogers, T. Roy, C. Craig, K. F. Macdonald, D. W. Hewak, and N. I. Zheludev, "1.7 Gbit/in.2 gray-scale continuous-phase-change femtosecond image storage", Appl. Phys. Lett. , 104, 121105 (2014). 

  14. A. K. U. Michel, P. Zalden, D. N. Chigrin, M. Wuttig, A. M. Lindenberg, and T. Taubner, "Reversible Optical Switching of Infrared Antenna Resonances with Ultrathin Phase-Change Layers Using Femtosecond Laser Pulses", ACS Photonics , 1, 833-839 (2014). 

  15. Q. Wang, E. T. F. Rogers, B. Gholipour, C. M. Wang, G. Yuan, J. Teng, and N. I. Zheludev, "Optically reconfigurable metasurfaces and photonic devices based on phase change materials", Nature Photonics , 10, 60-66 (2016). 

  16. E. Petronijevic and C. Sibilia, "All-optical tuning of EIT-like dielectric metasurfaces by means of chalcogenide phase change materials", Optics Express , 24, 30411-30420 (2016). 

  17. S. H. Lee, M. Choi, T. T. Kim, S. W. Lee, M. Liu, X. Yin, H. K. Choi, S. S. Lee, C. G. Choi, S. Y. Choi, X. Zhang, and B. K. Min, "Switching terahertz waves with gate-controlled active graphene metamaterials", Nature Materials, 11, 936-941 (2012). 

  18. W. Y. Kim, H. D. Kim, T. T. Kim, H. S. Park, K. H. Lee, H. J. Choi, S. H. Lee, J. H. Son, N. K. Park, and B. K. Min, "Graphene-ferroelectric metadevices for nonvolatile memory and reconfigurable logic-gate operations", Nature Communications , 7:10429 (2016). 

  19. G. X. Ni, Y. Zheng, S. K. Bae, C. Y. Tan, O. H. Kahya, J. Wu, B. H. Hong, K. Yao, and B. Ozyilmaz, "Graphene-Ferroelectric Hybrid Structure for Flexible Transparent Electrodes", ACS Nano , 6, 3935-3942 (2012). 

  20. J. Wei, H. Ji, W.a Guo, A. H. Nevidomskyy, and D. Natelson, "Hydrogen stabilization of metallic vanadium dioxide in single-crystal nanobeams", Nature Nanotechnology , 7, 357-362 (2012). 

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