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(Ga,Al):ZnO 투명전극층의 두께에 따른 CIGS 박막 태양전지의 성능 변화 연구
Influence of (Ga,Al) : ZnO Window Layer Thickness on the Performance of CIGS Thin Film Solar Cells 원문보기

Current photovoltaic research = 한국태양광발전학회논문지, v.5 no.1, 2017년, pp.28 - 32  

차정화 (영남대학교 화학공학과) ,  전찬욱 (영남대학교 화학공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, (Ga,Al):ZnO layers were deposited by sputtering to evaluate the device performance according to the thickness of the layer. As the thickness increased, low transmittance was observed, but the electrical resistance was improved. On the other hand, the highest efficiency was recorded at...

주제어

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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 두께를 달리한 GAZO (Ga and Al co-doped ZnO) 박막의 전기적, 광학적 특성을 바탕으로 투명전극의 두께가 CIGS 태양전지의 성능에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다
  • 본 연구에서는 GAZO 투명전극의 두께를 달리하여 단위 박막이 갖는 물성을 비교하였고, 이를 태양전지 소자에 적용하여 소자 성능에 미치는 영향에 대해 알아보고자 하였다. 투명전극의 두께가 감소함에 따라 광학적 특성이 개선되었으나, 전기적 특성이 저하되는 경향을 확인하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
태양전지에 사용하는 투명 전극이 갖춰야 하는 조건은 무엇인가? 투명 전도성 산화물 (Transparent conductive oxide, TCO)은 박막 태양전지, 평판 디스플레이 (Flat-panel display, FPD), 발광 다이오드 (Light-emitting diode, LED) 등의 광전자 소자 분야에 널리 적용되고 있다1,2,3). 이 중에서 태양전지를 위한 투명 전극은 태양광을 흡수층으로 전달하기 위하여 반드시 필요한 층으로, 직렬 저항을 감소시키기 위한 낮은 비저항뿐만 아니라, 입사광에 대한 높은 투과율이 요구된다4,5,6). 대표적인 CIGS 박막 태양전지의 투명전극 물질로는 인듐 주석 산화물 (Indium tin oxide, ITO)과 B, Al, Ga 등 3족 원소를 도핑한 산화 아연 (Zinc oxide, ZnO) 등이 알려져 있고7,8,9), ITO의 대체 재료로서 도핑을 통해 광학적, 전기적 물성의 조절이 가능하여 많은 연구 그룹에서 사용하고 있다10,11,12).
산화 아연이 태양전지에 널리 이용되는 이유는 어떤 물성 때문인가? ZnO는 3.3 eV의 넓은 밴드갭을 가지며 가시광 및 근적외선 범위에 대해 우수한 투과도를 보이고, 도핑을 통해 재료의 안정성 및 물성 제어에 이점을 가질 수 있다9,10,11). 이와 같은 물성덕분에 CIGS 태양전지의 투명전극층과 n형 접합에 널리 사용되고 있으며, CIGS 박막 태양전지의 고효율화 구현을 위한 많은 연구들이 진행되고 있다13,14).
투명 전도성 산화물의 쓰임은 무엇인가? 투명 전도성 산화물 (Transparent conductive oxide, TCO)은 박막 태양전지, 평판 디스플레이 (Flat-panel display, FPD), 발광 다이오드 (Light-emitting diode, LED) 등의 광전자 소자 분야에 널리 적용되고 있다1,2,3). 이 중에서 태양전지를 위한 투명 전극은 태양광을 흡수층으로 전달하기 위하여 반드시 필요한 층으로, 직렬 저항을 감소시키기 위한 낮은 비저항뿐만 아니라, 입사광에 대한 높은 투과율이 요구된다4,5,6).
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참고문헌 (17)

  1. C. W. Hsu, T. C. Cheng, C. H. Yang, Y. L. Shen, J. S. Wu, "Effect of oxygen addition on physical properties of ZnO thin film grown by radio frequency reactive magnetron sputtering", J. Alloys Compd. Vol. 509, pp. 1774-1776, 2011. 

  2. A. Klein, C. Korber, A. Wachau, F. Sauberlich, Y. Gassenbauer, S. P. Harvey, D. E. Proffit, T. O. Mason, "Transparent conducting oxides for photovoltaics: manipulation of Fermi level, work function and energy band alignment", Materials, Vol. 3 No. 11, pp. 4892-4914, 2010. 

  3. C. G. Granqvist, "Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review." Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 91, No. 17, pp. 1529-1598, 2007. 

  4. S.J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, T. Steiner, "Recent progress in processing and properties of ZnO", Prog. Mater. Sci. Vol. 50, pp. 293-340, 2005. 

  5. P. Reinhard, A. Chirila, P. Blosch, F. Pianezzi, S. Nishiwaki, S. Buecheler, A.N. Tiwari, "Review of Progress Toward 20% Efficiency Flexible CIGS Solar Cells and Manufacturing Issues of Solar Modules", IEEE J. Photovoltaics, Vol. 3, No. 1, pp. 572-580, 2013. 

  6. S. Rani, P. Suri, P. K. Shishodia, R. M. Mehra, "Synthesis of nanocrystalline ZnO powder via sol-gel route for dye-sensitized solar cells", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 92, pp. 1639-1645. 2008. 

  7. A. Kumar, C. Zhou, "The Race To Replace Tin-Doped Indium Oxide: Which Material Will Win?", ACS Nano, Vol. 4, No. 1, pp. 11-14, 2010. 

  8. M. C. Jun, S. U. Park, J. H. Koh, "Comparative studies of Al-doped ZnO and Ga-doped ZnO transparent conducting oxide thin films", Nanoscale Res. Lett. Vol. 7, pp. 639-644, 2012. 

  9. N. F. Cooray, K. Kushiya, A. Fujimaki, I Sugiyama, T. Miura, D. Okumura, M. Sato, M. Ooshita, O. Yamase, "Large area ZnO films optimized for graded band-gap $Cu(In,Ga)Se_2$ -based thin-film mini-modules", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 49, pp. 291-297, 1997. 

  10. Y. Hagiwara, T. Nakada, A. Kunioka, "Improved $J_{SC}$ in CIGS thin film solar cells using a transparent conducting ZnO:B window layer", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 67, pp. 267-271, 2001. 

  11. J. A. van Delft, D. Garcia-Alonso, W. M. M. Kessels, "Atomic layer deposition for photovoltaics: applications and prospects for solar cell manufacturing", Semicond. Sci. Technol. Vol. 27 pp. 074002-074002-13, 2012. 

  12. K. Kushiya, M. Tachiyuki, Y. Nagoya, A. Fujimaki, B. Sang, D. Okumura, M. Satoh, O. Yamase, "Progress in large-area $Cu(In,Ga)Se_2$ -based thin film modules with a $Zn(O,S,OH)_x$ buffer layer", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 67, pp. 11-20, 2001. 

  13. F. Wang, M. Z. Wu, Y. Y. Wang, Y. M. Yu, X. M. Wu, L. J. Zhuge, "Influence of thickness and annealing temperature on the electrical, optical and structural properties of AZO thin films", Vacuum, Vol. 89, pp. 127-131, 2013. 

  14. T. Nakada, M. Mizutani, "18% Efficiency Cd-Free $Cu(In,Ga)Se_2$ Thin-Film Solar Cells Fabricated Using Chemical Bath Deposition (CBD)-ZnS Buffer Layers", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41, pp. L165-L167, 2002. 

  15. S. A. Vanalakar, S. S. Mail, M. P. Suranasshi, P. S. Patil, "Quantum size effect in chemosynthesized nanostructured CdS thin films", Digest J. Nanomater. Biostruct., Vol. 5, pp. 805-810, 2010. 

  16. S. Ishizuka, K. Sakurai, A. Yamada, K. Matsubara, P. Fons,K. Iwata, T. Kojima, "Fabrication of wide-gap $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ thin film solar cells: a study on the correlation of cell performance with highly resistive i-ZnO layer thickness", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 87, No. 1, pp. 541-548, 2005. 

  17. M. M. Islam, S. Ishizuka, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, T. Sakurai, K. Akimoto, "Thickness study of Al:ZnO film for application as a window layer in $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ thin film solar cell", Appl. Surf. Sci., Vol. 257, No. 9, pp. 4026-4030, 2011. 

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