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NTIS 바로가기전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.66 no.4, 2017년, pp.636 - 642
허준 (Dept. of Electronic Engineering, Pukyong National University) , 전성즙 (Dept. of Electronic Engineering, Pukyong National University)
Recently, new power devices, SiC and GaN FETs, are commercialized. They are expected to change power electronics environments. They will raise operating frequencies of power electronic equipments. Accordingly, design method will be changed greatly. In this paper, an 1 MHz resonant converter with ful...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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공진형 컨버터에서 자기 인덕턱스를 2차의 전류가 1차 전압에 비례하게 만들면 어떤 이점이 있는가? | 일반적인 공진형 컨버터에서는 누설인덕턴스만 공진에 사용하는 것과는 달리[9] 본 논문에서는 자기 인덕턴스 전체를 1차와 2차 회로의 공진에 사용하여 2차의 전류가 1차 전압에 비례하도록 하였다. 이런 경우 1차 또는 2차에 추가로 인덕터를 삽입하지 않아도 되므로 전체적으로 자기회로가 변압기 하나만으로 구성되는 이점이 있다. 또한 선로의 인덕턴스가 변압기의 자기 인덕턴스와 직렬로 나타나는데 선로 인덕턴스를 자기 인덕턴스에 포함시켜 공진회로를 구성하므로 선로 인덕턴스는 회로에 다른 나쁜 영향을 미치지 아니한다. flyback converter가 단일 변압기만으로 전력변환회로를 구성하여 2차 측에 인덕터가 없어 단순하면서도 좋은 스위칭 특성을 나타낸다. | |
공진형 컨버터의 출력을 제어하기 위한 방법 중 동작 주파수는 일정하게 유지하고 전압으로 출력을 제어하는 방법은 무엇이 있는가? | 하나는 동작 주파수로 출력을 제어하는 방법으로 부하의 변동이 클 경우 주파수의 변동 범위가 매우 넓은 단점이 있으나 소프트 스위칭을 구현할 수 있어 가장 많이 사용되었다 [9]. 두 번째 방법은 동작 주파수는 일정하게 유지하고 전압으로 출력을 제어하는 방법인데 제어 정류회로나 다른 dc-dc 변환기로 공진형 컨버터의 입력전압을 PAM (Pulse Amplitude Modulation)하는 방식과 입력 전압은 일정하게 두고 PWM (Pulse Width Modulation)을 사용하는 방법이 있다. PWM을 사용하는 경우에는 소프트 스위칭이 보장되지 않는 관계로 많이 사용되지 못하였으나 SiC나 GaN FET 소자의 등장으로 사용이 확대될 것으로 보인다. | |
Schottky 다이오드의 특징은 무엇인가? | 최근 들어 실용화되어 가고 있는 새로운 전력용 반도체소자인 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor)와 GaN (Gallium Nitride) FET는 전력전자 회로의 많은 부분을 변화시킬 것으로 보인다[1]-[4]. SiC로 만들어지는 FET는 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)가 차지하고 있던 분야에서 점점 그 활용 범위가 넓어져 가고 있는데 FET 내에 만들어지는 Schottky 다이오드는 역회복(reverse recovery) 과정을 겪지 않고 역저지 능력이 확립되기 때문에 스위칭 손실이 적어 스위칭 주파수를 한 층 높일 수 있어 하드스위칭으로도 100[kHz]까지 가능한 것으로 알려져 있다[2]. GaN FET는 micro wave 영역에 서도 동작이 가능할 정도로 스위칭 특성이 우수하다[1],[3]. |
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M.N.O. Sadiku, S. M. Musa and C. K. Alexander, "Applied Circuit Analysis", McGraw Hill, 2013.
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