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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.27 no.4, 2017년, pp.216 - 220
조인환 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) , 조경일 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) , 최준혁 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) , 박해웅 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) , 김찬중 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) , 전병혁 (한국원자력연구원 중성자응용연구부)
The effect of electron beam (EB) irradiation on the electrical properties of Zn-Sn-O (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process was investigated. As the EB dose increased, the saturation mobility of ZTO thin film transistors (TFTs) was found to slightly decrease, and the subthreshold swing ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnSnO의 단점은 무엇인가 | 특히 ZnSnO (ZTO)의 경우 ZnO의 단일 금속 원소에 비해 전기적 특성 조절이 용이하고, Sn은 5p 오비탈을 제외하면 상대적으로 값비싼 In5,6)과 전자 배치(electron configuration)가 같아 전기적 특성이 우수하다는 장점이 있다.7) 하지만 트랜지스터로 제작되기 위해서는 400 ºC 이상의 고온 열처리가 요구되어 유연기판 적용에 어려움이 있다. 따라서 최근 저온 열처리 시 산화물 TFT의 고온에서와 같은 특성 발현을 위하여 자외선, 이온, 감마선 조사 등 여러 종류의 조사 연구가 수행되어왔다. | |
a-Si 박막 트랜지스터의 단점은 무엇인가 | 최근 디스플레이 기기들의 대면적·고해상도화로 인하여 기존의 비정질 실리콘(a-Si; Amorphous silicon), 저온 다결정 실리콘(LTPS; Low-temperature polycrystalline silicon)을 대체할 반도체 소자 물질로 산화물 반도체가 각광받고 있다. 기존 a-Si 박막 트랜지스터(TFT; Thin film transistor)의 경우 전하 이동도가 0.5~1.0 cm2/Vs 수준으로 고성능 디스플레이 적용에는 한계가 있고, LTPS TFT의 경우 높은 전하 이동도와 광 안정성 등 우수한 특성을 나타내지만 공정온도가 높아 유연기판에 적용이 어려우며 공정가격이 높은 단점이 있다.1) | |
LTPS TFT의 장단점은 무엇인가 | 5~1.0 cm2/Vs 수준으로 고성능 디스플레이 적용에는 한계가 있고, LTPS TFT의 경우 높은 전하 이동도와 광 안정성 등 우수한 특성을 나타내지만 공정온도가 높아 유연기판에 적용이 어려우며 공정가격이 높은 단점이 있다.1) |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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