다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.30 no.6, 2017년, pp.3 - 9
지재훈 (중앙대학교 전자전기공학과) , 고중혁 (중앙대학교 전자전기공학부)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 전력 반도체는 무엇인가? | 전력 반도체(power semiconductor)는 전력의 변환이나 제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 소자로 정의되며 종류로는 MOSFET, IGBT, BJT, Thyristor 등이 있다. 또한, 고내압화, 고전류화, 고주파수화 되어 교류와 직류 사이의 변환 효율을 높이는 것뿐만 아니라 세탁기, 냉장고, 청소기, 엘리베이터, 에스컬레이터에 사용되는 모터를 비롯한 다양한 전자기기에 전력을 공급하거나 안정적으로 원하는 전압과 전류를 공급할 수 있도록 돕는다. | |
| 최근 실리콘 반도체 소자에 나타나고 있는 한계점은 무엇인가? | 이런 특성을 가진 실리콘을 이용해 IGBT, MOSFET 등의 소자가 발명되었고 성능 개선과 소형화를 위해서 많은 개발이 진행되고 있다. 하지만 최근 반도체의 집적도가 높아지고 소자의 크기가 점점 작아 짐에 따라 누설전류, 채널 길이 변조, 고온 반송자 효과 등의 문제점이 발생하면서 실리콘 반도체 소자의 한계가 나타나고 있다. 또한, 고내압, 고전류, 고온, 고주파수 등의 환경에서 사용되는 반도체 분야에서는 소형화에 따른 이러한 문제점들이 매우 중요하게 작용되면서 새로운 반도체 소재들이 주목받고 있다 [2]. | |
| 전력 반도체의 역할은 무엇인가? | 전력 반도체(power semiconductor)는 전력의 변환이나 제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 소자로 정의되며 종류로는 MOSFET, IGBT, BJT, Thyristor 등이 있다. 또한, 고내압화, 고전류화, 고주파수화 되어 교류와 직류 사이의 변환 효율을 높이는 것뿐만 아니라 세탁기, 냉장고, 청소기, 엘리베이터, 에스컬레이터에 사용되는 모터를 비롯한 다양한 전자기기에 전력을 공급하거나 안정적으로 원하는 전압과 전류를 공급할 수 있도록 돕는다. 최근 전기자동차의 큰 이슈로 인하여 자동차용 전력반도체 (600, 900, 1,200 V)의 수요가 크게 증가하고 있고 산업기기, 철도, 태양전지 분야에서 전력반도체 모듈의 실용화가 요구되고 있다 [3]. |
R. A. Soref and B. R. Bennett, IEEE J. Quantum Electron., 23, 123-129 (1987).
M. N. Yoder, IEEE Trans. Power Electron., 43, 1633-1636 (1996).
J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. Perez-Tomas, and J. Rebollo, IEEE Trans. Power Electron., 29, 2155-2163 (2014).
H. Lin, CS MANTECH Conference, (Arizona, USA, 2015). 33-36.
S. Dimitrijev and P. Jamet, Microelectron. Reliab., 43, 225-233 (2003).
R. F. Davis, Z. Sitar, B. E. Williams, H. S. Kong, H. J. Kim, J. W. Palmour, J. A. Edmond, J. Ryu, J. T. Glass, and C. H. Carter, Jr., Mater. Sci. Eng. B., 1, 77-104 (1988).
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramoto, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett., 100, 013504 (2012).
S. Ahn, F. Ren, J. Kim, S. Oh, J. Kim, M. A. Mastro, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 109, 062102 (2016).
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett., 103, 123511 (2013).
A. Y. Cho and J. R. Arthur, Prog. Solid State Chem., 10, 157-191 (1975).
M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, IEEE Electron Device Lett., 37, 212-215 (2016).
P. Frigeri, L. Seravalli, G. Trevisi, and S. Franchi, Semicond. Sci. Technol., 3, 480-522 (2011).
T. F. Kuech, Mater. Sci. Rept., 2, 1-50 (1987).
K. D. Chabak, N. Moser, A. J. Green, D. E. Walker Jr., S. E. Tetlak, E. Heller, A. Crespo, R. Fitch, J. P. McCandless, K. Leedy, M. Baldini, G. Wagner, Z. Galazka, X. Li, and G. Jessen, Appl. Phys. Lett., 109, 213501 (2016).
J. L. Zilko, K. Seshan, eds., Handbook of Thin-Film Deposition (Intel Corporation Santa Clara, California, 2001) p. 155.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.