최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기대한임베디드공학회논문지 = IEMEK Journal of embedded systems and applications, v.12 no.3, 2017년, pp.121 - 130
박송화 (LIG Nex1) , 이정훈 (LIG Nex1) , 이원오 (LIG Nex1) , 김희언 (LIG Nex1)
NAND flash memory has advantages of non-volatility, little power consumption and fast access time. However, it suffers from inability that does not provide to update-in-place and the erase cycle is limited. Moreover, the unit of read/write operation is a page and the unit of erase operation is a blo...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
플래시 메모리란 무엇인가? | 플래시 메모리는 일종의 EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM)으로 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성(non-volatile) 컴퓨터 기억 장치이다. 부피가 작고 가벼우며 소비 전력이 낮고 입출력 속도가 빠를 뿐만 아니라 EEPROM보다 가격이 싼 장점으로 인하여 저장 매체로서 사용이 증가하고 있다 [1]. | |
플래시 메모리는 게이트 타입과 셀을 구성하는 구조에 따라 어떻게 구분되는가? | 플래시 메모리는 게이트 (gate) 타입과 셀 (cell)을 구성하는 구조에 따라 NOR 플래시 메모리와 NAND 플래시 메모리로 구분된다. NOR 플래시 메모리는 버스 형태의 외부 인터페이스를 가지고 있어 바이트 단위의 임의 접근이 가능하고, CPU에 직접 연결되어 CPU가 수행하는 코드를 직접 실행할 수 있다. | |
플래시 메모리가 저장 매체로서 사용이 증가하고 있는 이유는 무엇인가? | 플래시 메모리는 일종의 EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM)으로 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성(non-volatile) 컴퓨터 기억 장치이다. 부피가 작고 가벼우며 소비 전력이 낮고 입출력 속도가 빠를 뿐만 아니라 EEPROM보다 가격이 싼 장점으로 인하여 저장 매체로서 사용이 증가하고 있다 [1]. |
F. Douglis, R. Caceres, M.F. Kasho, P. Krishnan, K. Li, B. Marsh, J. Tauber, "Storage Alternative for Mobile Computers," Proceedings of the 1st USENIX Symposium on Operating System Design and Implementation, pp. 25-37, 1994.
M.L. Chiang, P.C.H. Lee, R.C. Chang, "Managing Flash Memory in Personal Communication Devices," Proceedings of IEEE Symposium on Consumer Electronics, pp. 177-182, 1997.
M.L. Chiang, R.C .Chang, "Cleaning Policies in Mobile Computers Using Flash Memory," Journal of System and Software, Vol. 48, No. 3, pp. 213-231, 1999.
A. Kawaguchi, S. Nishioka, H. Motoda "A Flash-Memory Based File System," Proceedings of 1995 USENIX Technical Conference, pp. 155-164, 1995.
O. Kwon, K. Koh, "Swap-aware Garbage Collection for NAND Flash Memory Based Embedded Systems," Proceedings of IEEE 7th International Conference on Computer and Information Technology, pp. 787-292, 2007.
S.J. Baek, J.M. Choi, "Design and Implementation of MODA Allocation Scheme Based on Analysis of Block Cleaning Cost," Journal of KISE, Vol. 34, No. 11, pp. 599-609, 2007 (in Korean).
S.H. Hwang, J.W. Kwak, "Garbage Collection Techniques for Reduction of Migration Overhead and Lifetime Prolongment of NAND Flash Memory," IEMEK J. Embed. Sys. Appl., Vol. 11, No. 2, pp. 125-134, 2016 (in Korean).
S.H. Kim, J.W. Kwak, "Garbage Collection Method Using Proxy Block Considering Index Data Structure Based on Flash Memory," Journal of KSCI, Vol. 20, No. 6, pp. 1-11, 2015 (in Korean).
V. Prabhakaran, T. Wobber, "SSD Extension for DiskSim Simulation Environment." Microsoft Research 2009.
K9GAG08U0M 2G x 8bit MLC NAND Flash Memory Data Sheet, Samsung Electronics, https://www.samsung.com, 2007.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.