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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.50 no.3, 2017년, pp.219 - 224
The K gettering in
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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게터링에 관한 연구가 지속적으로 이루어지는 이유는? | 미세 전자소자의 성능 향상을 위해서 불순물들의 소자활성영역에서의 불활성화 즉 게터링(gettering)에 관한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다[1-3]. 게터링 메카니즘(gettering mechanism)의 명확한 규명을 위해서는 불순물들의 존재확인 및 미세농도 측정, 그리고 성분 원소의 화학적 결합상태 등 분석이 필요하지만 현재의 분석 장비의 공간 분해능(spatial resolution) 한계 등 이유로 아직까지도 명확히 밝혀지지 않고 있는 실정이다[3]. | |
게터링 메카니즘의 명확한 규명을 위해 무엇이 필요한가? | 미세 전자소자의 성능 향상을 위해서 불순물들의 소자활성영역에서의 불활성화 즉 게터링(gettering)에 관한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다[1-3]. 게터링 메카니즘(gettering mechanism)의 명확한 규명을 위해서는 불순물들의 존재확인 및 미세농도 측정, 그리고 성분 원소의 화학적 결합상태 등 분석이 필요하지만 현재의 분석 장비의 공간 분해능(spatial resolution) 한계 등 이유로 아직까지도 명확히 밝혀지지 않고 있는 실정이다[3]. | |
게터링 메카니즘 중 완화형 게터링은 몇 도에서 이루어지는 것이 일반적인가? | 게터링 메카니즘은 일반적으로 완화형 게터링(relaxation type gettering)과 편석형 게터링(segregation type gettering)으로 구분할 수 있다[2]. 완화형 게터링은 Fe, Cu, Au 등 금속 불순물에 대한 internalgettering에서와 같이 1000℃ 이상의 높은 온도에서 이루어지는 것이 일반적이다[2]. 편석형 게터링은 최근 500℃ 이하 저온에서 계면 등을 게터링 센터로 게터링이 나타나는 것이 확인되면서 많은 연구가 이루어지고 있다[1-3]. |
H. Zhu, X. Yu, X. Zhu, Y. Wu, J. He, J. Vanhellemont, D. Yang, Low temperature iron gettering by grown-in defects in p-type Czochralski silicon, Superlattices and Microstructures 99 (2016) 192-196.
M. Al-Amin and J. D. Murphy, Increasing minority carrier lifetime in as-grown multicrystalline silicon by low temperature internal gettering, J. Appl. Phys. 119 (2016) 235704.
G. Kissinger, D. Kot, M. Klingsporn, M. Schubert, A. Sattler, and T. Muller, Investigation of the copper gettering mechanism of oxide precipitates in silicon, ESC J. Solid State Sci. and Technol., 4 (2015) N124-N129.
S. Krivec, M. Buchmayr, T. Detzel, M. Nelhiebel, H. Hutter, Voltage-assisted sodium ion incorporation and transport in thin silicon dioxide films, Surf.Interface Anal., 42 (2010) 886-890.
C. Hang, Y Tian, C. Wang, N. Wang, Ultrasonic bondability and antioxidation property of Ti/Cu/TaN/Ag multi-layers on Si substrate, Thin Solid Films, 524 (2012) 224-228.
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