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NTIS 바로가기디지털콘텐츠학회 논문지 = Journal of Digital Contents Society, v.18 no.6, 2017년, pp.1193 - 1198
The IGBT structure developed in this paper is used as a high power switch semiconductor for DC transmission and distribution and it is expected that it will be used as an important electronic device for new and long distance DC transmission in the future by securing fast switching speed and improved...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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본 논문에서 실험한 SiO2를 추가한 IGBT에서 SIO2의 길이가 미치는 영향은 무엇인가? | 본 논문에서는 IGBT에 추가적인 SiO2를 넣고 길이를 변화시키며 IGBT의 전기적 특성을 시뮬레이션을 통해 확인하였다. SiO2의 길이가 길어질수록 항복전압은 점점 더 커지고 전력손실이 더 작아지고, 온 상태 전압의 크기가 커지는 것을 Fig 5.에서 Fig 8.을 통해 알 수 있다. 전력 손실과 항복 전압의 특성 측면에서는 향상을 보이나 온 상태 전압 강하 측면에서는 손실을 보이고 있다. | |
차단기에 들어가는 전력 반도체에서 중요한 것은 무엇인가? | 차단기에 들어가는 전력 반도체는 일반적으로 스위칭속도와 항복전압 특성을 증가시키고 전력 손실 특성을 줄이는 것이 중요하다. 특히 IGBT [Insulated Gate Bipolar Transistor]는MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor][1]의 빠른 스위칭 특성과 BJT [Bipolar Jucntion Transistor]의 높은 전류 밀도의 장점을 모두 가진 소자로 고전압, 고전류에 적합한 전력 반도체 소자로서 각광 받고 있다. | |
IGBT이 각광받고 있는 이유는 무엇인가? | 차단기에 들어가는 전력 반도체는 일반적으로 스위칭속도와 항복전압 특성을 증가시키고 전력 손실 특성을 줄이는 것이 중요하다. 특히 IGBT [Insulated Gate Bipolar Transistor]는MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor][1]의 빠른 스위칭 특성과 BJT [Bipolar Jucntion Transistor]의 높은 전류 밀도의 장점을 모두 가진 소자로 고전압, 고전류에 적합한 전력 반도체 소자로서 각광 받고 있다.[2][3] |
J.B. Lee, "Effects of DRAM in The Embedded Processor Performance", Journal of DCS, vol. 18, no. 5, pp.943-948, August, 2017
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J. HAFNER, B. JACOBSON, "Proactive Hybrid HVDC Breakers - A key innovation for reliable HVDC grids," presented at electric power system of the future- Integrating supergrids and microgrids International Symposium, Bologna, Italy, pp. 13-15, Sep. 2011
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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