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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.17 no.4, 2018년, pp.97 - 100
권희태 (광운대학교 전자바이오물리학과) , 김우재 (광운대학교 전자바이오물리학과) , 신기원 (광운대학교 전자바이오물리학과) , 이환희 (광운대학교 전자바이오물리학과) , 이태현 (광운대학교 전자바이오물리학과) , 권기청 (광운대학교 전자바이오물리학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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RPS의 특징은? | RPS는 주로 주 챔버에 옆에 부착되어 있으며, 이온 포격 (Ion bombardment)에 의한 챔버 내부 부품 및 기판의 손상이 줄어든다는 장점 또한 가지고 있다. 이러한 RPS의 한가지 방식으로, 원격 마이크로파 소스 방식(Remote microwave source, RMS) 또한 존재한다. | |
NF3가 세정공정에서 사용되는 이유는? | 이처럼 NF3가 세정공정에서 사용되어지는 이유는 여러 가지가 있다. 첫째로, NF3 는 육 불화황(Surfur hexafluoride, SF6), 플루오린 및 탄소 기반(Perfluoro carbon, PFC) 가스 보다 낮은 결합 에너지를 가지고 있다[2]. 둘째로, NF3 플라즈마를 이용한 식각 및 세정공정은 탄소(Carbon)으로 인한 표면 오염이 없다는 것이다. 마지막으로, NF3는 SF6 및 PFC 가스에 비해 대기 중 짧은 수명(Life time)과 낮은 지구 온난화 지수(Global warming potential, GWP)를 가진다[3]. 세정공정에서 NF3는 원격 플라즈마 소스(Remote plasma source, RPS)에 주입되어, 고 분해율(High dissociation) 특징을 가진 RPS에 의해 불소(Fluorine)로 분해 된다. | |
불화질소가 사용되는 공정은? | 반도체 및 디스플레이 공정에서 삼 불화질소(Nitrogentrifluoride, NF3)는 주로 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 장비 및 기타 증착 (Deposition) 장비 내 챔버 벽(Chamber wall)에 증착된 물질 (Deposited material) 및 잔여물(Residues)을 제거하는 세정공정 (Cleaning process)에서 사용된다[1]. 이처럼 NF3가 세정공정에서 사용되어지는 이유는 여러 가지가 있다. |
Onno Gabriel, Simon Kirner, Michael Klick, Bernd Stannowski, and Rutger Schlatmann, "Plasma monitoring and PECVD process control in thin film silicon-based solar cell manufacturing," EPJ Photovoltaics, 5 (2014): 55202.
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