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대향 타겟식 스퍼터링으로 증착한 ITO 박막이 적용된 유기발광다이오드의 특성
Characteristics of OLED Cells Fabricated with ITO Films Deposited by using Facing Target Sputtering (FTS) System 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.17 no.2, 2018년, pp.71 - 75  

김상모 (가천대 전기공학과) ,  이상민 (가천대 전자공학과) ,  금민종 (주성 엔지니어링) ,  이원재 (가천대 전자공학과) ,  김경환 (가천대 전기공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we prepared OLED cell with ITO (Indium Tin Oxide) films grown on the glass substrate by facing targets sputtering. Before fabrication of OLED cells, we investigated properties of ITO films deposited at various sputtering conditions. To investigate properties of as-prepared films, we e...

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문제 정의

  • 본 연구에서는 FTS 스퍼터링 장치를 이용하여 다양한 공정조건에서 ITO 박막을 제작하였다. 그리고 열 증착 장비를 이용하여 제작된 ITO 박막이 적용된 OLED 소자를 제작하여 특성 변화를 확인하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
OLED 소자의 장점은? 특히 OLED 소자는 유기발광물질을 이용하기 때문에 가볍고 휨이 가능하여 웨어러블 전자소자에 응용이 가능하다[2-3].
Magnertorn sputtering 법의 단점은?   또한  인가전력, 작업압력,  증착온도, 산소분압 등과 같은 박막증착 조건을 조절하여 금속부터 산화물질까지 다양한 박막을  증착할  수  있다.  하지 만 일반적인 마그네트론 스퍼터링의 장점에도 불구하고, 기판의 위치가 방전시 발생되는  플라즈마  내부의  고에너지 이온에너지에 노출되기 때문에 충돌로 인한 박막의 손상될 수 있다[6-7].
투명  전도성  물질로 사용하기 위해 필요한 특성은? 한편, 디스플레이의 성능 향상을 위해서  전극으로  사용되는 투명 전도성 산화물 (Transparent Conducting Oxides, TCOs)의 중요성을  더욱더  커지고  있다.  투명  전도성  물질로 사용하기 위해서 낮은 저항값과 가시광 영역 (300~800nm)에서 광투과도가 85% 이상 높고, 특히 0.8~1.4 um 의  짧은  파장대인  근적외선  영역에서는  광  반사도가  높을 뿐만  아니라  화학적  안정한  특성을가지고있어야한다. 현재까지 ZnO (Zinc Oxide), Metal doepd ZnO (Metal = Al, Ga), InSbO4, ITO (Indium Tin Oxide)등과 같은 물질이 이용되고 있다.
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참고문헌 (15)

  1. S. T. Yu, J. H. Chang, C. I. Wu, and Y. T. Tao, Effect of ITO Surface Modification on the OLED Device Lifetime 30, 7369-7376, 2014. 

  2. P. C. Gregory, "Flexible flat panel displays", John Wiley & Sons, 2005. 

  3. S. I. Kim. K. W. Lee, B. B. Sahu, and J. G. Han, "Flexible OLED fabrication with ITO thin film on polymer substrate", Japanese Journal of Applied Physics, 54, 090301, 2015. 

  4. H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, and M. Hirano, "Frontier of transparent conductive oxide thin films", Vacuum, 66, pp. 419-425, 2002. 

  5. T. Minami, "Present status of transparent conducting oxide thin-film development for Indium-Tin-Oxide (ITO) substitutes", Thin Solid Films 516, 17, 5822-5828, 2008. 

  6. Y. Hoshi, H. Kato, and K. Funatsu, "Structure and electrical properties of ITO thin films deposited at high rate by facing target sputtering", Thin Solid Films, 445, pp. 245, 2003. 

  7. K. Tominaga, T. Ueda, T. Ao, A. Katkoka, and I. Mori, "ITO films prepared by facing target sputtering system", Thin Solid Films, 194, pp. 281-282, 1996. 

  8. K. H. Kim, I. H. Son, K. B. Song, S. H. Kong, M. J. Keum, S. Nakagawa, and M. Naoe, "Thin film properties by facing targets sputtering system" Applied Surface Science, Vol. 169-170, pp. 410-414, 2001. 

  9. S. Kadokura and M. Naoe, "Sputtering Conditions for Depositing Co-Cr-Ta Films with Voidless Morphology and Nano-size Domains", IEEE Trans. on Magn. 32, 3816-3818, 1996. 

  10. J. W. Ko, B. Y. Jung, and T. Oh, "Annealing Effect with Various Ambient Conditions of ITO Thin Film", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 14, No. 4, pp. 20-24, 2015. 

  11. M. J. Keum and K. H. Kim, "Transparent Conductive Thin Film for Top Emitting Organic Light Emitting Diodes by Sputtering Method", Japanese Journal of Applied Physics, 45, 10B, 8462-8465, 2006. 

  12. F. Niino, H. Hirasawa, K. Kondo, "Deposition of low-resistivity ITO on plastic substrates by DC arcdischarge ion plating", Thin Solid Films 411, 28-31, 2002. 

  13. J. W. Ko, B. Y. Jung, and T. Oh, "Annealing Effect with Various Ambient Conditions of ITO Thin Film", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 14, No. 4, pp. 20-24, 2015. 

  14. C. N. Li, C. Y. Kwong, A. B. Djurisic, P. T. Lai, P. C. Chui, W. K. Chan, S. Y. Liu, "Improved performance of OLEDs with ITO surface treatments", Thin Solid Films 477, 1-2, 57-62, 2005. 

  15. F. Nuesch. "Importance of indium tin oxide surface acido basicity for charge injection into organic materials based light emitting diodes", Journal of Applied Physics 87, 7973, 2000. 

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