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HMIC 기술을 적용한 소형화 경량화 광대역 전력증폭기 개발
Development of Compact and Lightweight Broadband Power Amplifier with HMIC Technology 원문보기

한국산학기술학회논문지 = Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, v.19 no.11, 2018년, pp.695 - 700  

변기식 (국방기술품질원 전력지원체계연구센터) ,  최진영 (알에프코어(주)) ,  박재우 (국방기술품질원 전력지원체계연구센터)

초록
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본 논문에서는 고유전율 인쇄회로기판 상의 좁은 면적 내에 패키지(Package) 되지 않은 마이크로파(Microwave) 부품을 고밀도로 집적하는 HMIC (Hybrid Microwave Integrated Circuit) 기술을 적용하여 모듈(Module)의 크기를 소형화, 경량화하고 동시에 근접한 소자 상호간의 전자기적 간섭을 최소화 하는 구조 설계 및 제작 기술을 적용하여 광대역 주파수 범위에서 균일한 전기적 성능을 갖는 광대역 전력증폭기를 개발한 내용을 다루었다. 제작한 광대역 전력 증폭기의 성능을 측정한 결과, 동작 주파수 범위에서 소신호 이득은 32 ~ 36 dB 범위 내에 이득평탄도 ${\pm}1.5dB$를 갖음을 확인하였다. 또한, 출력전력은 동작 주파수 범위에서 30 dBm 이상을 만족하였으며, 잡음 지수는 7 dB 이내로 측정되어 목표규격을 만족하는 특성을 나타내었다. OIP3(Output Third Order Intercept Point)는 39 dBm 이상을 만족함을 확인하였다. 제작한 광대역 전력 증폭기는 전자전 체계의 재밍(Jamming) 발생 장치의 고출력 증폭기를 전기적으로 구동하기 위하여 필요한 목표 성능을 모두 만족함으로써 실제 적용이 가능하며, 향후 마이크로파 대역의 유사 전력 증폭기를 설계하는데 도움이 될 것으로 기대한다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents the development of compact and lightweight broadband power amplifier module using HMIC (Hybrid Microwave Integrated Circuit) technology that could be high-density integration for many non-packaged microwave components into the small area of a high dielectric constant printed circ...

주제어

표/그림 (14)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 군용 전자전체계 중의 하나인 재밍발 생장치의 구성품인 구동증폭모듈에 적용이 가능하도록 3 옥타브의 광대역 특성을 갖는 1 W급 전력증폭기 모듈을 초소형으로 개발한 내용을 다루었다. 개발한 광대역 전력증폭기는 HMIC 설계 및 조립 기술을 적용하여 소형, 경량이면서 동시에 광대역 주파수 범위에서 균일한 전기적 성능을 갖도록 개발하여 현용 중인 부품과 유사하게 설정된 Table 2의 목표규격을 모두 만족하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
광대역 전력증폭기의 사용 목적은? 광대역 전력증폭기는 일반적으로 이동통신장비, 레이다, 안테나 등에서 고출력 신호 전력을 공급하기 위해 사용한다. 최근 반도체 제조 기술과 설계 기술의 발달로 다양한 분야에 적용되는 광대역 전력증폭기 관련 연구가 활발하게 진행되고 있다[1-4].
3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈을 수입할 경우 어려운 점은? 국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황을 살펴보면 대부분이 휴대폰(Mobile Phone) 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 휴대 통신용 등의 협대역 증폭기 모듈이 대부분이며, Table 1의 군용체계에 적용되는 3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈은 대부분 해외에서 수입하고 있다[5]. 그러나 해외 선진국에서 이를 보호기술로 분류하고 있어 단위 부품 단위로 구매할 경우 수출제한 조건 등의 이유로 장기간 시일이 걸리는 등 구입이 용이하지 않으므로 국내 개발 에 대한 필요성이 커지고 있다.
국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황에 대하여 설명하시오. 국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황을 살펴보면 대부분이 휴대폰(Mobile Phone) 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 휴대 통신용 등의 협대역 증폭기 모듈이 대부분이며, Table 1의 군용체계에 적용되는 3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈은 대부분 해외에서 수입하고 있다[5]. 그러나 해외 선진국에서 이를 보호기술로 분류하고 있어 단위 부품 단위로 구매할 경우 수출제한 조건 등의 이유로 장기간 시일이 걸리는 등 구입이 용이하지 않으므로 국내 개발 에 대한 필요성이 커지고 있다.
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참고문헌 (7)

  1. Yifeng Chen, Jinhai Quan, Yungang Liu and Liulin Hu, "A 6-18GHz Broadband Power Amplifier MMIC with Excellent Efficiency.", Journal of Semiconductors, vol.35, no.1, 2014. DOI: https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/1/015007 

  2. Hong-Teuk Kim, Moon-Suk Jeon, Ki-Woong Chung and Youngwoo Kwon, "6-18 GHz MMIC Drive and Power Amplifiers" Journal of Semiconductor Technology and Science, vo.l2, no.2, pp.125-131, 2002. 

  3. Jihoon Kim, Kwangseok Choi, Sangho Lee, Hongjong Park and Youngwoo Kwon "6-18 GHz Reactive Matched GaN MMIC Power Amplifiers with Distributed L-C Load Matching", Journal of Electromagnetic Engineering and Science, vol.16, no.1, pp.44-51, 2016. DOI: https://doi.org/10.5515/jkiees.2016.16.1.44 

  4. Zhiqun Cheng, Dandan Zhu, Guoguo Yan, Shuai Chen, Kai Wang, Kaikai Fan, Guohua Liu, Hui Wang, and Steven Gao, "Design and fabrication of Ultra-wideband Power Amplifier Based on GaN HEMT." IEICE Electronics Express, vol.12, no.20, pp.1-8, 2015. DOI: https://doi.org/10.1587/elex.12.20150703 

  5. Bok-Hyoung Lee, "Trend of Military Application of GaN Device Technology", The Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society, Vol.26, No.3, pp.14-18, 2015. 

  6. Hae-Chang Jeong, Hyun-Seok Oh, Kyung-Whan Yeom, "A Miniaturized 2.5 GHz 8 W GaN HEMT Power Amplifier Module Using Selectively Anodized Aluminum Oxide Substrate", The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol.22, No.12, pp.1069-1077, 2011. DOI: https://doi.org/10.5515/kjkiees.2011.22.12.1069 

  7. Min-Kil Chong, Hyung-Gi Na, "A Development of the X-Band 63 Watt Pulsed SSPA for Radar", The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol.22, No.3, pp.380-388, 2011. DOI: https://doi.org/10.5515/kjkiees.2011.22.3.380 

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