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NTIS 바로가기한국산학기술학회논문지 = Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, v.19 no.11, 2018년, pp.695 - 700
변기식 (국방기술품질원 전력지원체계연구센터) , 최진영 (알에프코어(주)) , 박재우 (국방기술품질원 전력지원체계연구센터)
This paper presents the development of compact and lightweight broadband power amplifier module using HMIC (Hybrid Microwave Integrated Circuit) technology that could be high-density integration for many non-packaged microwave components into the small area of a high dielectric constant printed circ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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광대역 전력증폭기의 사용 목적은? | 광대역 전력증폭기는 일반적으로 이동통신장비, 레이다, 안테나 등에서 고출력 신호 전력을 공급하기 위해 사용한다. 최근 반도체 제조 기술과 설계 기술의 발달로 다양한 분야에 적용되는 광대역 전력증폭기 관련 연구가 활발하게 진행되고 있다[1-4]. | |
3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈을 수입할 경우 어려운 점은? | 국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황을 살펴보면 대부분이 휴대폰(Mobile Phone) 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 휴대 통신용 등의 협대역 증폭기 모듈이 대부분이며, Table 1의 군용체계에 적용되는 3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈은 대부분 해외에서 수입하고 있다[5]. 그러나 해외 선진국에서 이를 보호기술로 분류하고 있어 단위 부품 단위로 구매할 경우 수출제한 조건 등의 이유로 장기간 시일이 걸리는 등 구입이 용이하지 않으므로 국내 개발 에 대한 필요성이 커지고 있다. | |
국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황에 대하여 설명하시오. | 국내의 고주파 전력증폭기의 개발 현황을 살펴보면 대부분이 휴대폰(Mobile Phone) 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 휴대 통신용 등의 협대역 증폭기 모듈이 대부분이며, Table 1의 군용체계에 적용되는 3 옥타브 (Octave) 이상의 주파수 대역을 가지는 광대역의 증폭기 모듈은 대부분 해외에서 수입하고 있다[5]. 그러나 해외 선진국에서 이를 보호기술로 분류하고 있어 단위 부품 단위로 구매할 경우 수출제한 조건 등의 이유로 장기간 시일이 걸리는 등 구입이 용이하지 않으므로 국내 개발 에 대한 필요성이 커지고 있다. |
Yifeng Chen, Jinhai Quan, Yungang Liu and Liulin Hu, "A 6-18GHz Broadband Power Amplifier MMIC with Excellent Efficiency.", Journal of Semiconductors, vol.35, no.1, 2014. DOI: https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/1/015007
Hong-Teuk Kim, Moon-Suk Jeon, Ki-Woong Chung and Youngwoo Kwon, "6-18 GHz MMIC Drive and Power Amplifiers" Journal of Semiconductor Technology and Science, vo.l2, no.2, pp.125-131, 2002.
Jihoon Kim, Kwangseok Choi, Sangho Lee, Hongjong Park and Youngwoo Kwon "6-18 GHz Reactive Matched GaN MMIC Power Amplifiers with Distributed L-C Load Matching", Journal of Electromagnetic Engineering and Science, vol.16, no.1, pp.44-51, 2016. DOI: https://doi.org/10.5515/jkiees.2016.16.1.44
Zhiqun Cheng, Dandan Zhu, Guoguo Yan, Shuai Chen, Kai Wang, Kaikai Fan, Guohua Liu, Hui Wang, and Steven Gao, "Design and fabrication of Ultra-wideband Power Amplifier Based on GaN HEMT." IEICE Electronics Express, vol.12, no.20, pp.1-8, 2015. DOI: https://doi.org/10.1587/elex.12.20150703
Bok-Hyoung Lee, "Trend of Military Application of GaN Device Technology", The Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society, Vol.26, No.3, pp.14-18, 2015.
Hae-Chang Jeong, Hyun-Seok Oh, Kyung-Whan Yeom, "A Miniaturized 2.5 GHz 8 W GaN HEMT Power Amplifier Module Using Selectively Anodized Aluminum Oxide Substrate", The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol.22, No.12, pp.1069-1077, 2011. DOI: https://doi.org/10.5515/kjkiees.2011.22.12.1069
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