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NTIS 바로가기전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.67 no.1, 2018년, pp.68 - 74
이경남 (Department of Electrical Engineering, Incheon National University) , 이주현 (Department of Electrical Engineering, Incheon National University) , 김준동 (Department of Electrical Engineering, Incheon National University)
All transparent UV photodetector based on ZnO was fabricated with structure of NiO/ZnO/
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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SnO2에서 누설전류가 감소하고 광전류가 증가한 이유는? | 72 nA·cm-2으로 SnO2를 적용하지 않은 광 검출기와 비교하여 크게 줄어들었다. 이는 SnO2의 Work function이 ZnO와 비교하여 더 큰 값을 가지기 때문에 Band alignment 효과에 기인한 것으로 캐리어의 이동을 효과적으로 제어함으로써 성능의 큰 향상을 가져올 수 있다. 이러한 기능성 박막을 이용한다면 앞으로 투명 광전소자뿐만 아니라 Si 기반의 태양전지의 효율 향상에 효과적인 방식이 될 것으로 예상된다. | |
산화물 반도체와 TCO의 특징은? | 산화물 반도체와 TCO는 독성이 없고 풍부한 자원량, 경제적 그리고 물질의 안정성이 좋은 장점을 가지고 있기 때문에 미래 광전소자 기술로서 큰 관심을 받고 있다. 산화물 반도체는 일반적으로 낮은 캐리어 농도, 낮은 전도도 등 단점이 존재하지만 p-type 반도체인 Copper oxide (CuO, Cu2O, Cu4O3), NiO 그리고 n-type 반도체 Indium tin oxide (ITO), Fluorine doped tin oxide (FTO), ZnO, TiO2, SnO2와 같은 산화물 반도체는 우수한 광학적, 전기적 특성으로 인해 관전소자의 성능을 개선시킬 수 있는 물질로 여겨지고 있다[4-6]. | |
n-type 반도체에는 무엇이 있는가? | 산화물 반도체와 TCO는 독성이 없고 풍부한 자원량, 경제적 그리고 물질의 안정성이 좋은 장점을 가지고 있기 때문에 미래 광전소자 기술로서 큰 관심을 받고 있다. 산화물 반도체는 일반적으로 낮은 캐리어 농도, 낮은 전도도 등 단점이 존재하지만 p-type 반도체인 Copper oxide (CuO, Cu2O, Cu4O3), NiO 그리고 n-type 반도체 Indium tin oxide (ITO), Fluorine doped tin oxide (FTO), ZnO, TiO2, SnO2와 같은 산화물 반도체는 우수한 광학적, 전기적 특성으로 인해 관전소자의 성능을 개선시킬 수 있는 물질로 여겨지고 있다[4-6]. 현재 UV photodetector는 ZnS, In2O3, In2Se3, CdS, CdSe, Sb2Se3, Ag2S 등의 물질을 기반으로 하여 생산이 이루어지고 있으나 이 물질들은 비용이 비싸고 독성을 가지고 있다. |
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