선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 따라서 먼저, pMUT의 부하 특성을 연구한 뒤에 고효율의 특성을 갖는 전력 증폭기를 구현한다. 그리고 부하의 임피던스를 고려한 매칭 회로를 추가하여 전력 증폭기의 전력 효율을 높이고자 한다. 본 연구에서 제안하는 전력 증폭기는 프로토 타입으로 제작하여 실험을 통해 동작특성을 검증한다.
- 이로 인해 기존의 전력 증폭기는 구동하기에 적합하지 못하며 전력 효율이 매우 낮다. 따라서 본 연구에서는 압전 박막 형 트랜스듀서를 고효율로 구동할 수 있는 전력 증폭기를 제안한다. 구동 전압 및 구동 주파수에 따른 압전 박막형 트랜스듀서의 부하 특성을 분석하고 최적화된 전력 증폭기를 선정하였다.
- 이와 같은 배경으로 본 연구에서는 기존 전력 증폭기의 단점을 보완하고 압전 박막형 트랜스듀서를 구동하기 위한 최적화 된 전력 증폭기를 구현하고자 한다. 기존의 전력 증폭기는 트랜스듀서의 부하 특성을 고려하지 않고 구현이 되었다.
가설 설정
- 하지만 두 가지 기능을 사용함에도 불구하고 전력 증폭기의 전력 효율은 여전히 낮은 것을 확인할 수 있다. 전력 증폭기의 전력 효율을 높이기 위해서는 트랜스듀서의 부하 특성을 고려해야 한다.
- 다만, 트랜스듀서의 무효전력을 보상하기 위해서는 주파수가 93 [kHz]일 때 커패시터 Cm의 리액턴스 크기가 인덕터 Lm의 리액턴스 크기보다 매우 작아야 한다. 커패시터 Cm과 인덕터 Lm은 직렬 구조이므로 공진 주파수 fR에서 매칭 회로의 합성 리액턴스는 0이 되며 공진 주파수 fR보다 낮은 주파수 일수록 커패시터 Cm의 리액턴스가 커지게 된다. 따라서 공진주파수 fR이 93 [kHz]보다 매우 작도록 식 (2)를 만족하는 커패시터 Cm을 선정하면 된다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.