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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.3, 2018년, pp.188 - 192
손주형 (가천대학교 전기공학과) , 김현수 (가천대학교 전기공학과) , 박용서 (가천대학교 전기공학과) , 장경욱 (가천대학교 전기공학과)
In this study, we fabricated an
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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어떠한 요인이 온도 변화에 따른 가스 센서의 민감도 상승에 영향을 끼치는가? | 첫 번째 요인은 온도가 증가할수록 챔버 내 NOX 가스의 확산이 활발히 진행되어 가스 센서에 보다 많은 가스 분자의 흡착이 이루어져 민감도에 영향을 끼친다. 두 번째로는 온도 상승 시 센서 필름에 전달되는 에너지 또한 증가되어 ZnO 필름의 가전자대(valence band, VB)에서 전도대(conduction band, CB)로 전자의 이동이 증가되기 때문에 가스 센서의 표면에 전자들의 이동이 상온 조건보다 활발히 이루어져 민감도에 영향을 끼치는 것으로 판단된다. MWCNT/ZnO 복합체 가스 센서의 메커니즘은 식 (3)과 (4)에 나타내었다. | |
질소 산화물이 미치는 영향은 무엇인가? | 반면에 자동차로부터 배출되는 대기오염 물질의 발생 증가로 인한 지구 온난화, 인간의 건강에 끼치는 악영향 등은 해결해야 할 문제로 남아 있다. 특히 자동차에서 사용하는 화석연료는 고온(1,300℃ 이상)에서 연소 과정 시 산소와 결합되어 질소 산화물을 발생하는데, 이는 인간이 흡입하게 되면 호흡 곤란, 두통 등의 호흡기 장애를 유발하며, 대기 환경에서는 태양 자외선, 매연 등과 반응하여 광화학 스모그를 유발하거나 산성비의 원인이 되기도 한다. | |
기존의 가스 센서에 높은 소비전력이 요구되는 이유는 무엇인가? | 하지만 기존의 가스 센서는 금속산화물(metal oxide)을 이용한 반도체식⋅광학식 및 화학식 등의 가스 센서를 사용해 왔지만, 검출 가스를 감지하기 위해서 고 농도의 오염 가스를 요구하며, 높은 온도(약 200℃)에서 유해 가스 감지가 이루어지기 때문에 높은 소비전력을 요구한다. 이에 따라 다수의 연구진들로부터 상온에서의 오염 가스 감지 및 저 농도에서의 환경에서도 오염 가스를 감지할 수 있는 가스 센서를 제작하기 위한 많은 관심과 연구 개발이 이루어지고 있다 [2-6]. |
J. G. Kim, S. C. Kang, E. J. Shin, D. Y. Kim, J. H. Lee, and Y. S. Lee, Appl. Chem. Eng., 23, 47 (2012).
P. G. Su and T. T. Pan, Mater. Chem. Phys., 125, 351 (2001). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2010.11.001]
S. H. Lee, J. S. Im, S. C. Kang, T. S. Bae, S. J. In, E. Jeong, and Y. S. Lee, Chem. Phys. Lett., 497, 191 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2010.08.002]
J. G. Park and K. J. Lee, J. Kor. Inst. Met. & Mater., 13, 38 (2000).
G. Wiegleb and J. Heitbaum, Sens. Actuators, B, 17, 93 (1994). [DOI: https://doi.org/10.1016/0925-4005(94) 87035-7]
D. E. Williams, Sens. Actuators, B, 57, 1 (1999). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00133-1]
S. Iijima, Nature, 38, 556 (1991).
K. Lee, J. W. Lee, K. Y. Dong, and B. K. Ju, Sens. Actuators, B, 135, 214 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2008.08.031]
S. M. Lee, K. H. An, Y. H. Lee, G. Seifert, and T. Frauenheim, J. Am. Chem. Soc., 123, 5059 (2001). [DOI: https://doi.org/10.1021/ja003751+]
S. Sharma, S. Hussain, S. Singh, and S. S. Islam, Sens. Actuators, B, 194, 213 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2013.12.050]
J. Suehiro, H. Imakiire, S. I. Hidaka, W. Ding, G. Zhou, K. Imsaka, and M. Hara, Sens. Actuators, B, 114, 943 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2005.08.043]
H. J. Yoon, D. H. Jun, J. H. Yang, Z. Zhou, S. S. Yang, and M.M.C. Cheng, Sens. Actuators, B, 157, 310 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2011.03.035]
S. Ji, H. Wang, T. Wang, and D. Yan, Adv. Mater., 25, 1755 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201204134]
E. H. Espinosa, R. Ionescu, C. Bittencourt, A. Felten, R. Erni, G. Van Tendeloo, J. J. Pireaux, and E. Llobet, Thin Solid Films., 515, 8322 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.03.017]
T. Ueda, S. Katsuki, N. H. Abhari, T. Ikegami, F. Mitsugi, and T. Nakamiya, Surf. Coat. Technol., 202, 5325 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.009]
K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 30, 589 (2017). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.9.589]
H. S. Kim and K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 325 (2013). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2013.26.4.325]
J. S. Yang, H. Y. Seong, M. J. Keum, Y. W. Park, C. H. Ka, and K. H. Kim, Trans. KIEE., 7, 18 (2001).
H. S. Kim, W. J. Lee, Y. S. Park, and K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 29, 312 (2016). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2016.29.5.312]
J. O. Lee, Chem. Eng. Mater., 12, 13 (2009).
H. S. Kim, S. H. Lee, and K. U. Jang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 707 (2013). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2013.26.9.707]
B. A. Albiss, W. A. Safhaneh, I. Jumah, and I. M. Obaidat, IEEE Sens. J., 10, 1807 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1109/JSEN.2010.2049739]
M. K. Kwon and Y. T. Hong, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 22, 151 (2009). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2009.22.2.151]
J. Zhang, S. Wang, Y. Wang, M. Xu, H. Xia, S. Zhang, W. Huang, X. Guo, and S. Wu, Sens. Actuators, B, 139, 411 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2009.03.014]
L. Wang, S. Wang, H. Zhang, Y. Wang, J. Yang, and W. Huang, New J. Chem., 38, 2530 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1039/c3nj01562a]
A. Abdellah, A. Abdelhalim, F. Loghin, P. Kohler, Z. Ahmad, G. Scarpa, and P. Lugli, IEEE Sens. J., 13, 4014 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1109/JSEN.2013.2265775]
L. Wang, S. Wang, M. Xu, X. Hu, H. Zhang, Y. Wang, and W. Huang, Phys. Chem. Chem. Phys., 15, 17179 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1039/c3cp52392f]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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