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아르곤 가스의 주입이 붕소 도핑 다이아몬드 전극의 특성에 미치는 효과
Effect of Argon Addition on Properties of the Boron-Doped Diamond Electrode 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.28 no.5, 2018년, pp.301 - 307  

최용선 (위덕대학교 일반대학원 정보전자공학과) ,  이영기 (위덕대학교 그린에너지공학부) ,  김정열 (위덕대학교 그린에너지공학부) ,  이유기 (위덕대학교 그린에너지공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A boron-doped diamond(BDD) electrode is attractive for many electrochemical applications due to its distinctive properties: an extremely wide potential window in aqueous and non-aqueous electrolytes, a very low and stable background current and a high resistance to surface fouling. An Ar gas mixture...

주제어

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문제 정의

  • %)인 경우에는 그을음과 같은 형태의 비정질 탄소가 폭넓게 증착되고, 박막의 밀착력도 크게 나빠진 것을 확인할 수 있었다. 이와 같은 차이는 선행연구들은 전도성 다이아몬드 박막을 성막한 것이 아니고 다이아몬드 박막을 형성한 실험이며, 본 연구는 붕소를 도핑한 전도성 다이아몬드 박막을 형성한 실험이라는 차이와 아르곤의 혼입비율이 상대적으로 낮다는 점에 기인하는 것으로 판단된다. 붕소가 도핑된 다이아몬드 박막의 성막공정에서는 메탄 등 탄소 공급가스의 혼입비율은 다이아몬드 결정의 크기 및 박막의 품질에 영향을 미치며,6,10) 붕소의 혼입비율이 높아질수록 다이아몬드 결정의 크기가 작아지는데,4,11-14) 이러한 요인과 아르곤의 추가인입이라는 요인이 복합적으로 작용하여 일어난 결과라고 판단된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
BDD 전극이 산업적으로 활용된 사례가 거의 없는 이유는? 이러한 다이아몬드 전극의 특성 때문에 특히, 붕소 도핑 다이아몬드(BDD, boron-doped diamond) 전극이 개발된 이후로 이를 폐수처리 공정에 이용할 수 있는 중요한 재료로 여겨져 왔다.1,2) 그러나 BDD 전극은 기존의 불용성 전극에 비해 매우 고가이기 때문에 이를 산업적으로 활용된 사례는 거의 전무한 실정이다. 따라서 최근의 BDD 전극에 대한 연구는 전극의 수명, 저가격화, 특성향상 등에 관한 연구가 주를 이루고 있다.
다이아몬드 전극의 특성은? 다이아몬드 전극은 다른 불용성 전극(insoluble electrode)에 비해 매우 뛰어난 전기화학적 특성을 가지고 있다. 이러한 다이아몬드 전극의 특성 때문에 특히, 붕소 도핑 다이아몬드(BDD, boron-doped diamond) 전극이 개발된 이후로 이를 폐수처리 공정에 이용할 수 있는 중요한 재료로 여겨져 왔다.
선행연구에 따르면 BDD 전극의 특성에 영향을 미치는 것은? BDD 전극의 특성은 기판에 대한 전처리, BDD 박막층 형성을 위한 공정조건, 즉 투입가스의 종류 및 이들 간의 혼입비율, 기판의 온도 등에 따라 달라진다. 예컨대 선행연구에 따르면 붕소의 혼입비율에 따라 다이아몬드 결정의 크기가 달라지거나,4) 공정 진공도 및 기판의 온도 역시 다이아몬드 결정의 크기에 영향을 미친다.5) 또한 탄소 공급가스의 혼입비율에 따라 다이아몬드 결정의 크기가 달라지기도 한다.6)
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참고문헌 (16)

  1. A. Kraft, Int. J. Electrochem. Sci., 2, 355 (2007). 

  2. T. A. Enache, A. M. Chiorcea-Paquim, O. Fatibello-Filho, and A. M. Oliveira-Brett, Electrochem. Commun., 11, 1342 (2009). 

  3. A. Anglada, A. Urtiaga, and I. Ortiz, J. Chem. Tech. Biotechnol., 84, 1747 (2009). 

  4. I. Jum’h, M. Al-Addous, H. Al-Taani, M. S. Abd El- Sadek, and N. Ayoub, Dig. J. Nanomater. Bios., 12, 589 (2017). 

  5. J. Zhang, X. Wang, B. Shen, and F. Sun, Trans. Non- ferrous Met. Soc. China, 24, 3181 (2014). 

  6. J. A. Bennett, J. Wang, Y. Show, and G. M. Swain, J. Electrochem. Soc., 151, E306 (2004). 

  7. L. Lin, J. Wang, J. Weng, X. Cui, and Y. Zhang, Plasma Sci. Technol., 17, 216 (2015). 

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  10. H. Nagasaka, Y. Teranishi, and Y. Kondo, E-j. Surf. Sci. Nanotechnol., 14, 53 (2016). 

  11. Z. M. Yu, W. A. N. G. Jian, Q. P. Wei, L. C. Meng, S. M. Hao, and L. O. N. G. Fen, Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 23, 1334 (2013). 

  12. N. G. Ferreira, E. Abramof, E. J. Corat, N. F. Leite, and V. J. Trava-Airoldi, Diam. Relat. Mater., 10, 750 (2001). 

  13. T. A. Enache, A. M. Chiorcea-Paquim, O. Fatibello- Filho, and A. M. Oliveira-Brett, Electrochem. Commun., 11, 1342 (2009). 

  14. R. Ramamurti, M. Becker, T. Schuelke, T. Grotjohn, D. Reinhard, G. Swain, and J. Asmussen, Diam. Relat. Mater., 17, 481 (2008). 

  15. A. Tallaire, C. Rond, F. Benedic, O. Brinza, J. Achard, F. Silva, and A. Gicquel, Phys. Status Solidi A, 208, 2028 (2011). 

  16. P. W. May, Philos. Trans. R. Soc. Lond. A, 358, 473 (2000). 

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