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전하선택형 태양전지의 연구개발 동향
Research and Development Trend of Carrier Selective Energy Contact Solar Cells 원문보기

Current photovoltaic research = 한국태양광발전학회논문지, v.6 no.2, 2018년, pp.43 - 48  

조은철 (전자전기공학부, 성균관대학교) ,  조영현 (전자전기공학부, 성균관대학교) ,  이준신 (전자전기공학부, 성균관대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The traditional silicon heterojunction solar cells consist of intrinsic amorphous silicon to prevent recombination of the silicon surface and doped amorphous silicon to transport the photo-generated electrons and holes to the electrode. Back contact solar cells with silicon heterojunction exhibit ve...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 과제의 목표는 CSC 태양전지 변환효율 24% 이상의 기술 개발, CSC용 새로운 전자수송, 홀수송 재료개발 및 전하선택 형접촉 신규 물질 개발 및 CSC 태양전지 6인치(156 mm × 156 mm)급 산업화 핵심 기반 기술 확보를 목표로 한다.
  • 2는 google scholar에서 “carrier selective contacts”으로 검색한 논문의 수로, 관련된 연구가 지속적으로 증가함을 보여 준다. 본 논문에서는 실리콘 태양전지의 고효율화를 달성할 수 있는 차세대 기술로 각광을 받으며, 최근 연구개발에 속도를 높이고 있는 CSC 태양전지의 핵심 기술을 정리하였다.
  • 본 리뷰는 poly-Si와 MoOx를 이용한 ESC와 HSC 태양전지의 개발 현황과 주요 개발 이슈를 정리하였다. 본 리뷰를 통해 ESC, HSC 및 CSC에 대한 이해도를 높이고 연구개발을 촉진하여, CSC 분야의 연구개발이 좀 더 활성화되기를 기원한다.
  • 5%, 모듈에서 22% 이상을 개발하기 위해 산학연 협력체를 구성하였다. 본 연구는, 일사량에 따라 다르지만, 균등화 전력 비용(LCOE: Levelized Costs of Electricity) 0.04-0.07 $/kWh를 달성하여 태양광 발전이 가장 저렴한 전력원중의 하나가 되는 핵심요소를 제공하고, 기후환경 변화 대응에 공헌하며 유럽에서의 태양광 연구, 기술 개발, 생산기반 확보의 기반 제공을 목표로 한다.
  • 초고효율(>26%) 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지 기술 개발” 과제로 ESC의 기술개발 과제를 진행하였다. 이 과제는 poly-Si을 이용한 ESC 태양전지 개발을 목표로 한다. 성균관대학교에서는 “고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술개발” 과제를 10개 산학연 기관과 ESC, HSC 및 ESC/HSC 태양전지 개발을 목표로 협업하고 있다.
  • 유럽 EPFL 중심으로 12개 기관이 “Double side contacted cells with innovative carrier-selective contacts”이란 초대형 연구과제 수행을 2016년 10월부터 2019년 9월까지 수행하고 있다. 이 연구과제는 실리콘의 잠재력을 최대화하고 기존의 생산 라인을 개선하거나 미래의 생산라인에서 활용 가능한 CSC 태양전지를 개발한다. 컨소시엄에서는 경쟁력 있는 원가와 시생산 준비성을 증명하고, 대면적 셀에서 변환효율 25.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전통적인 실리콘 태양전지의 구조는? 7%의 효율을 기록하였다1) . 전통적인 실리콘 태양전지의 구조는 수광면에 전극과 pn 접합, 후면에 전류의 수집을 위한 p-p+ 접합이 형성되어 있으며, IBC 태양전지 구조의 장점은 전면에 전극이 없고 광전류의 재결합을 방지하는 절연체 박막이 형성되어 있다. IBC의 26.
IBC 태양전지 구조의 장점은? 7%의 효율을 기록하였다1) . 전통적인 실리콘 태양전지의 구조는 수광면에 전극과 pn 접합, 후면에 전류의 수집을 위한 p-p+ 접합이 형성되어 있으며, IBC 태양전지 구조의 장점은 전면에 전극이 없고 광전류의 재결합을 방지하는 절연체 박막이 형성되어 있다. IBC의 26.
금속/실리콘 접촉 영역의 재결합을 막기 위한 CSC태양전지의 역할은? 금속/실리콘 접촉 영역의 재결합은 고효율화를 위한 가장 큰 제한 요소이다. CSC 태양전지는 금속접촉에서 전하의 재결합이 최소화되고 효과적으로 전하를 이송시킨다. 실리콘과 금속전극이 분리된 CSC 구조는 재결합 전류 매우 낮은 수준으로(예, Jo < 9 fA/cm 2 ), 높은 개방전압과 고효율 달성을 가능하게 한다.
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참고문헌 (21)

  1. M. A. Green, Y. Hishikawa, W. Warta, Ewan D. Dunlop, D. H. Levi, J. Hohl-Ebinger, A. W. H. Ho-Baillie, "Solar cell efficiency tables (version 50)". Prog. Photovolt., Vol. 25, No. 7, pp. 668-676, 2017. 

  2. P. Gao, Z. Yang, J. He, J. Yu, P. Liu, J. Zhu, Z. Ge, J. Ye, "Dopant-Free and Carrier- Selective Heterocontacts for Silicon Solar Cells: Recent Advances and Perspectives", Advanced Science, 1700547, 2017. 

  3. K. Yoshikawa, H. Kawasaki, W. Yoshida, T. Irie, K. Konishi, K. Nakano, T. Uto, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, "Silicon heterojunction solar cell with interdigitated back contacts for a photoconversion efficiency over 26%". Nat Energy. 2, 17032, 2017. 

  4. D. Zielke, J. Hendrik Petermann, F. Werner, B. Veith, R. Brendel, J. Schmidt, "Contact passivation in silicon solar cells using atomic-layer-deposited aluminum oxide layers", Physica Status Solidi (RRL) Rapid Research Letters, Vol. 5, No. 8, pp. 298, 2011. 

  5. D. L. Young, W. Nemeth, S. Grover, A. Norman, H. Yuan, B. Lee, V. LaSalvia, P. Stradins, "Carrier Selective, Passivated Contacts for High Efficiency Silicon Solar Cells based on Transparent Conducting Oxides", Energy Procedia, 55, 733, 2014. 

  6. E. Yablonovitch, T. Gmitter, "A 720 mV open circuit voltage SiOx:c-Si:SiOx double heterostructure solar cell", Appl. Phys. Lett. 47, 1211, 1985. 

  7. A. Richter, J. Benick, F. Feldmann, A. Fell, M. Hermle, S. W. Glunz, "n-Type Si solar cells with passivating electron contact: identifying sources for efficiency limitations by wafer thickness and resistivity variation". Sol. Energy Mater. and Sol. Cells. 173, 96, 2017. 

  8. F. Feldmanna, C. Reichel, R. Muller, M. Hermle, The application of poly-Si/SiOx contacts as passivated top/rear contacts in Si solar cells, Sol. Energy mater. and Sol. cell, 159, 265, 2017. 

  9. F. Haase1, F. Kiefer, S. Schafer, C. Kruse1, J. Krugener, R. Brendel, R. Peibst, "Interdigitated back contact solar cells with polycrystalline silicon on oxide passivating contacts for both polarities", Jpn. J. Appl. Phys. 56 08MB15, 2017. 

  10. ISFH 홈페이지, https://isfh.de/en/26-1-record-efficiency-for-p-type-crystalline-si-solar-cells/ 

  11. M. Taguchi, A. Yano, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K. Fujita, E. Maruyama, 24.7% Record Efficiency HIT Solar Cell on Thin Silicon Wafer, IEEE J. of Photovoltaics, Vol. 4, No. 1, pp. 96, 2014. 

  12. M. K. Stodolny, J. Anker, B. L. J. Geerligs, G. J. M. Janssen, B. W. H. van de Loo, J. Melskens, R. Santbergen, O. Isabella, J. Schmitz, M. Lenes, J. Luchies, W. M. M. Kessels, I. Romijn, "Material properties of LPCVD processed n-type polysilicon passivating contacts and its application in PERPoly industrial bifacial solar cells", Sol. Energy mater. and Sol. cell, 124, 635, 2017. 

  13. W. Nemeth, V. LaSalvia, M. R. Page, E. L. Warren, A. Dameron, A. G. Norman, B. G. Lee, D. L. Young, P. Stradins, "Implementation of Tunneling Pasivated Contacts into Industrially Relevant n-Cz Si Solar Cells", 42nd IEEE PVSC, 2015. 

  14. Y. Tao, V. Upadhyaya, C.-W. Chen, A. Payne, E. L. Chang, A. Upadhyaya, A. Rohatgi, "Large area tunnel oxide passivated rear contact n-type Si solar cells with 21.2% efficiency", Prog. in Photovol., Vol. 24, No. 6, pp. 830-835, 2016. 

  15. X. Yang, K. Weber, Z. Hameiri, S. De Wolf, "Industrially feasible, dopant-free, carrier-selective contacts for high-efficiency silicon solar cells", Prog. Photovol., Vol. 25, No. 11, pp. 896 2017. 

  16. Y. Wan, C. Samundsett, J. Bullock, T. Allen, M. Hettick, D. Yan, P. Zheng, X. Zhang, J. Cui, J. McKeon, A. Javey, A. Cuevas, "Magnesium Fluoride Electron-Selective Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells", ACS Appl. Mater. Interfaces, Vol. 8, No. 23, pp. 14671-14677, 2016. 

  17. J. Bullock, M. Hettick, J. Geissbuhler, A. J. Ong, T. Allen, C. M. Sutter-Fella, T. Chen, H. Ota, E. W. Schaler, S. De Wolf, C. Ballif, A. Cuevas, A. Javey, Efficient silicon solar cells with dopant-free asymmetric heterocontacts, Nat. Energy, Vol. 1, pp. 15031, 2016. 

  18. J. Bullock, Y. Wan, Z. Xu, S. Essig, M. Hettick, H. Wang, W. Ji, M. Boccard, A. Cuevas, C. Ballif, A. Javey, "Stable Dopant-Free Asymmetric Heterocontact Silicon Solar Cells with Efficiencies above 20%", ACS Energy Lett. Vol. 3, pp. 508, 2018. 

  19. C. Battaglia, X. Yin, M. Zheng, I. D. Sharp, T. Chen, S. McDonnell, A. Azcatl, C. Carraro, B. Ma, R. Maboudian, R. M. Wallace, A. Javey, Nano Lett., Vol. 14, pp. 967, 2014. 

  20. C. Battaglia, S. M. de Nicolas, S. De Wolf, X. Yin, M. Zheng, C. Ballif, A. Javey, "Silicon heterojunction solar cell with passivated hole selective MoOx contact", Appl. Phys. Lett., 104, 113902, 2014. 

  21. J. Geissbuhler, J. Werner, S. M. Nicolas, L. Barraud, A. Hessler-Wyser, M. Despeisse, S. Nicolay, A. Tomasi, B. Niesen, S. D. Wolf, C. Ballif, "22.5% efficient silicon heterojunction solar cell with molybdenum oxide hole collector", Appl. Phys. Lett., 107, 081601, 2015. 

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