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전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.2, 2018년, pp.339 - 343
안병섭 (Dept. of Energy Semiconductor Engineering, Graduate School of Far East University) , 강이구 (Dept. of Energy IT Engineering, Far East University)
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Power semiconductors are semiconductors capable of controlling power over 1W and are mainly used as switches. This power semiconductor device has been developed with the goal of reducing power consumption and high breakdown voltage. This research was analyzed electrical characteristics of IGBT(Insul...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자의 장점은? | IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 전류전도 능력이 우수한 소자이며, 큰 전력변환을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원공급장치, 변환기, 태양광 인버터 및 가전제품 등에 널리 사용되고 있다.[1]-[3] | |
| IGBT의 핵심적인 요구사항은? | 이러한 IGBT는 전력 반도체 소자인 만큼 항복 전압, 온-상태 전압 강하 및 스위칭 속도 등 핵심적인 요구사항을 목표로 하고 있다. 일반적으로 드리프트 영역의 농도를 낮추게 되면 항복전압은 증가하지만 온 저항과 같은 기타 특성들이 감소하게 되므로 설계의 최적화 및 구조 변경을 통해 항복전압특성과 온 상태 전압강하 특성을 개선시켜야 한다. | |
| IGBT 구조에서 JFET 영역의 드라이브 인 확산거리 및 JFET영역의 윈도우의 크기에 따라서 항복전압과 온-상태 전압강하 특성을 분석한 결과는? | 본 연구는 IGBT 구조에서 JFET 영역의 드라이브 인 확산거리 및 JFET영역의 윈도우의 크기에 따라서 항복전압과 온-상태 전압강하 특성을 분석하였다. 시간은 동일하게 하면서 온도를 상승시켜 확산거리를 조정하였으며, 그 결과 항복전압은 감소되나, 온-상태 전압 강하 특성은 현저하게 좋아지는 것을 알 수 있었다. 따라서 드리프트 층의 비저항을 변화시켜 항복전압을 1440V로 고정하여 1. |
G. Majundar, T. Minato, "Recent and future IGBT evolution," Power Conversion Conference proceedings, pp. 355-359, 2007 DOI: 10.1109/PCCON.2007.372992
Y. Shaorming, G. Sheu, G. Jiaming, T. J. Ruey, " Application of multi-lateral double diffused field ring in ultrahigh-voltage device MOS transistor region," IEEE 10th International Conferenceon Electronics & Measurement, Vol.1, pp.85-88, 2011 DOI: 10.1109/ICEMI.2011.6037685
B. Q. Tang, Y. M. Gao, J. S. Luo "The quasi-threedimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings," Solid-Stage Electronics, Vol. 41, No. 11, pp. 1821-1824, 1997. DOI:https://doi.org/10.1016/S0038-1101(97)00151-2
C. H. Yu, Y. Wang, J. Liu, L. L. Sun, " Research of Single-Event Burnout in Floating Field Ring Termination of Power MOSFETs," IEEE Tran. On Electron Devices, Vol. 64, pp. 2906-2911, 2017
P. Mirone, L. Maresca, M. Riccion, G. D. Falco, G. Romano, A. Irace, G. Breglio, " A Comprehensive study of current conduction during breakdown of Floating Field Ring terminations at arbitrary current levels," The Proceeding PCIM Europe 2015, pp. 1-8, 2015
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