최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.25 no.4, 2018년, pp.346 - 354
Over the last decade, the study of the synthesis of semiconductor colloidal quantum dots has progressed at a tremendous rate. Colloidal quantum dots, which possess unique spectral-luminescent characteristics, are of great interest in the development of novel materials and devices, which are promisin...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
양자점(Quantum dot, QD)이 벌크와 동일한 조성임에도 특이한 광학적, 전기적 특성을 나타내는 이유는 무엇인가? | 양자점(Quantum dot, QD)은 그림 1(a)와 같이 0차원의 구(Sphere) 형태를 띠는 직경 2-10 나노미터(nm) 정도의 크기를 갖는 입자로, 벌크와 동일한 조성임에도 불구하고 특이한 광학적, 전기적 특성을 나타낸다. 이는 물질의 크기가 작아지면서 본래 무기 결정이 가지고 있는 연속적인 에너지 상태로 구성 된 에너지 밴드가 불연속으로 변하게 되어 특성이 변화하기 때문이다. 즉, 전자(Electron)와 정공(Hole) 그리고 이들의 정전기적 결합체인 엑시톤(Exciton) 등이 양자점 내부에서 공간적 제약을 받아 양자 제한 효과(Quantum confinement effect)에 의해 나타난 현상으로 특히 입자의 크기가 보어 반경(Bohr radius)보다작아지면 양자 제한 효과가 매우 강하고 크게 나타나므로 이러한 제한 현상이 물질이 가지고 있는 밴드갭을 불연속적으로 만들게 된다[1, 2]. | |
양자점(Quantum dot, QD)이란 무엇인가? | 양자점(Quantum dot, QD)은 그림 1(a)와 같이 0차원의 구(Sphere) 형태를 띠는 직경 2-10 나노미터(nm) 정도의 크기를 갖는 입자로, 벌크와 동일한 조성임에도 불구하고 특이한 광학적, 전기적 특성을 나타낸다. 이는 물질의 크기가 작아지면서 본래 무기 결정이 가지고 있는 연속적인 에너지 상태로 구성 된 에너지 밴드가 불연속으로 변하게 되어 특성이 변화하기 때문이다. | |
고온 주입법을 통해 양자점을 합성할 때 갖는 장점은? | 이러한 다양한 산업에 적용중인 양자점의 합성은 고온의 전구체 용액에 전구체 용액을 주입하여 합성하는 고온 주입법(Hot injection) 방식의 합성과 전구체 열분해(Pyrolysis) 방식이 대표적이다[15]. 특히 고온 주입법을 통해 매우 좁은 입자 크기분포를 가지며, 그 결과 좁은 발광스펙트럼을 나타내는 양자점의 합성이 가능하게 되었다. 본 리뷰에서는 양자점 합성의 기초가 되는 핵 생성과 핵 성장의 이론을 간단하게 정리하고 양자점 합성의 가장 대표적인 고온 주입법 기반 합성법과 이외에 안정성이 뛰어나고 광학적 특성이 뛰어난 양자점 합성 방법과 대용량 및 연속으로 합성하기 위한 방법 등의 연구 동향들에 대하여 소개하고자 한다. |
A. M. Smith and S. Nie: Acc. Chem. Res., 43 (2009) 190.
H. Goesmann and C. Feldmann: Angewandte Chemie International Edition, 49 (2010) 1362.
P. Reiss, M. Protiere and L. Li: Small 5 (2009) 154.
V. I. Klimov: Nanocrystal Quantum Dots, CRC Press (2010) 1.
J. Y. Kim, O. Voznyy, D. Zhitomirsky and E. H. Sargent: Adv Mater., 25 (2013) 4986.
D. V. Talapin, J. Lee, M. V. Kovalenko and E. V. Shevchenko: Chem. Rev., 110 (2009) 389.
S. A. Ivanov, A. Piryatinski, J. Nanda, S. Tretiak, K. R. Zavadil, W. O. Wallace, D. Werder and V. I. Klimov: J. Am. Chem. Soc., 129 (2007) 11708.
S. K. Panda, S. G. Hickey, H. V. Demir and A. Eychmuller: Angewandte Chemie, 123 (2011) 4524.
N. Pradhan and X. Peng: J. Am. Chem. Soc., 129 (2007) 3339.
I. Robel, V. Subramanian, M. Kuno and P. V. Kamat: J. Am. Chem. Soc., 128 (2006) 2385.
C. P. Collier, R. J. Saykally, J. J. Shiang, S. E. Henrichs, and J. R. Heath: Science, 277 (1997) 1978.
X. Wu, H. Liu, J. Liu, K. N. Haley, J. A. Treadway, J. P. Larson, N. Ge, F. Peale and M. P. Bruchez: Nat. Biotechnol. 21 (2003) 41.
W. Liu, M. Howarth, A. B. Greytak, Y. Zheng, D. G. Nocera, A. Y. Ting and M. G. Bawendi, J. Am. Chem. Soc., 130 (2008) 1274.
H. Lee, M. Wang, P. Chen, D. R. Gamelin, S. M. Zakeeruddin, M. Gratzel and M. K. Nazeeruddin: Nano Letters, 9 (2009) 4221.
J. Lim, B. G. Jeong, M. Park, J. K. Kim, J. M. Pietryga, Y. Park, V. I. Klimov, C. Lee, D. C. Lee and W. K. Bae: Adv. Mater., 26 (2014) 8034.
V. K. LaMer and R. H. Dinegar: J. Am. Chem. Soc., 72 (1950) 4847.
I. M. Lifshitz and V. V. Slyozov: J.Phys. Chem. Solids, 19 (1961) 35.
V. K. L. Mer: Ind. Eng. Chem., 44 (1952) 1270.
J. W. Mullin: Crystallization(Ed.), Butterworth-Heinemann (2001) 1.
M. Niederberger and H. Colfen: Phys. Chem. Chem. Phys., 8 (2006) 3271.
X. Peng, L. Manna, W. Yang, J. Wickham, E. Scher, A. Kadavanich and A. P. Alivisatos: Nature, 404 (2000) 59.
V. F. Puntes, D. Zanchet, C. K. Erdonmez, and A. P. Alivisatos: J. Am. Chem. Soc., 124 (2002) 12874.
I. Robinson, S. Zacchini, L. D. Tung, S. Maenosono and N. T. Thanh: Chem. Mater., 21 (2009) 3021.
Z. Tang and N. A. Kotov: Adv Mater., 17 (2005) 951.
C. Wagner: Zeitschrift Fur Elektrochemie, Berichte Der Bunsengesellschaft Fur Physikalische Chemie, 65 (1961) 581.
H. Zheng, R. K. Smith, Y. Jun, C. Kisielowski, U. Dahmen and A. P. Alivisatos: Science, 324 (2009) 1309.
I. Robel, V. Subramanian, M. Kuno and P. V. Kamat, J. Am. Chem. Soc., 128 (2006) 2385.
A. Saha, K. V. Chellappan, K. S. Narayan, J. Ghatak, R. Datta and R. Viswanatha: J. Phys. Chem. Lett., 4 (2013) 3544.
X. Dai, Z. Zhang, Y. Jin, Y. Niu, H. Cao, X. Liang, L. Chen, J. Wang and X. Peng: Nature, 515 (2014) 96.
C. B. Murray, C. R. Kagan and M. G. Bawendi: Annu. Rev. Mater. Sci., 30 (2000) 545.
C. de Mello Donega, P. Liljeroth and D. Vanmaekelbergh: Small, 1 (2005) 1152.
S. G. Kwon and T. Hyeon: Small, 7 (2011) 2685.
S. Asokan, K. M. Krueger, V. L. Colvin and M. S. Wong: Small, 3 (2007) 1164.
Z. A. Peng and X. Peng: J. Am. Chem. Soc., 123 (2001) 1389.
L. Li and P. Reiss: J. Am. Chem. Soc., 130, (2008) 11588.
D. R. Larson, W. R. Zipfel, R. M. Williams, S. W. Clark, M. P. Bruchez, F. W. Wise and W. W. Webb: Science, 300 (2003) 1434.
D. Loss and D. P. DiVincenzo: Phys. Rev. A, 57 (1998) 120.
D. M. Ratner, E. R. Murphy, M. Jhunjhunwala, D. A. Snyder, K. F. Jensen and P. H. Seeberger: Chem. Commun., (2005) 578.
W. Lin, Y. Wang, S. Wang and H. Tseng: Nano Today, 4 (2009) 470.
K. W. Wang, K. G. Lee, T. J. Park, Y. Lee, J. Yang, D. H. Kim, S. J. Lee and J. Y. Park: Biotechnol. Bioeng., 109 (2012) 289.
R. Kikkeri, P. Laurino, A. Odedra and P. H. Seeberger: Angew. Chem. Int. Ed., 49 (2010) 2054.
B. Kwon, K. G. Lee, T. J. Park, H. Kim, T. J. Lee, S. J. Lee and D. Y. Jeon: Small, 8 (2012) 3257.
A. Gunther and K. F. Jensen: Lab on a Chip, 6 (2006) 1487.
S. Gomez-de Pedro, C. S. Martinez-Cisneros, M. Puyol and J. Alonso-Chamarro: Lab on a Chip, 12 (2012) 1979.
K. Kim, S. Jeong, J. Y. Woo and C. Han: Nanotechnology, 23 (2012) 065602.
O. I. Micic, C. J. Curtis, K. M. Jones, J. R. Sprague, and A. J. Nozik: J. Phys. Chem., 98 (1994) 4966.
R. G. Larson, E. S. Shaqfeh and S. J. Muller: J. Fluid Mech., 218 (1990) 573.
S. J. Muller, R. G. Larson and E. S. Shaqfeh: Rheol. Acta, 28 (1989) 499.
R. D. Moser, P. Moin and A. Leonard: J. of Computational Physics, 52 (1983) 524.
P. S. Marcus: J. Fluid Mech., 146 (1984) 45.
B. Eckhardt, S. Grossmann and D. Lohse: J. Fluid Mech., 581 (2007) 221.
T. S. Tran, S. J. Park, S. S. Yoo, T. Lee and T. Kim: RSC Adv., 6 (2016) 12003.
Y. H. Song, S. H. Choi, W. K. Park, J. S. Yoo, S. B. Kwon, B. K. Kang, S. R. Park, Y. S. Seo, W. S. Yang and D. H. Yoon: Sci. Rep., 8 (2018) 2009.
http://www.kims.re.kr/v17/bbx/content.php?co_id02_02 _02
T. Xuan, J. Liu, H. Li, H. Sun, L. Pan, X. Chen and Z. Sun: RSC Adv., 5 (2015) 7673.
S. Kalytchuk, S. Gupta, O. Zhovtiuk, A. Vaneski, S. V. Kershaw, H. Fu, Z. Fan, E. C. Kwok, C. Wang and W. Y. Teoh: J. Phys. Chem. C, 118 (2014) 16393.
Y. Huang, Y. Lan, Q. Yi, H. Huang, Y. Wang and J. Lu: Chem. Res. Chin. Univ., 32 (2016) 16.
M. R. Hodlur and K. M. Rabinal: Chem. Eng. J., 244 (2014) 82.
Y. Shirasaki, G. J. Supran, M. G. Bawendi and V. Bulovic: Nat. Photonics, 7 (2013) 13.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.