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반도체 테라헤르츠 집적회로 기술 동향 및 이미징 응용 원문보기

電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 = The Proceedings of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.29 no.5, 2018년, pp.12 - 23  

윤종원 (고려대학교) ,  김정수 (고려대학교) ,  이재성 (고려대학교)

초록이 없습니다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 이와 같은 반사 방식 이미징을 구현하기 위해 [그림 12]와 같은 테라헤르츠 반사 방식 이미징 셋업을 구축했다. 개발된 300-GHz 고정 주파수 발진기와 300-GHz 직접 검출기는 각각 온-웨이퍼 프로빙이 가능하도록 별도의 이동식 프로브 스테이션(probe station)을 제작했고, 테라헤르츠파의 송신 및 수신을 위한 혼 안테나들이 각 RF 프로브에 연결되었다.
  • 본 연구진은 테라헤르츠 신호의 발생과 검출을 위한 집적회로 및 프론트엔드(front end) 시스템을 연구 개발했으며, 제작된 시스템을 통해 의료 및 보안 응용을 위한 테라헤르츠 반사 방식 이미징과 토모그라피(tomography) 투과 방식 이미징을 시연했고, 그 결과를 지면을 통해 소개하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
테라헤르츠(Terahertz: THz) 대역을 통신시스템에 활용하면 어떤 장점이 있는가? 기존의 마이크로파 혹은 밀리미터파(millimeter wave, 30~300 GHz) 대역 대비 테라헤르츠 대역은 보다 넓은 광대역 특성을 갖는다([그림 1]). 이런 광대역 특성을 통신 시스템에 활용하면 초고속 데이터 통신이 가능하고 동일 통신 속도 기준으로 시스템의 복합도를 낮출 수 있다는 장점도 있다. 또한 FMCW(frequency-modulated continuous-wave) 레이다 시스템에서 테라헤르츠 대역의 넓은 대역폭을 이용하면 더욱 높은 공간 분해능/해상도 특성을 얻을 수 있다 [2] .
테라헤르츠(Terahertz: THz) 대역의 정의는? 테라헤르츠(Terahertz: THz) 대역은 넓게 0.1~10 THz(파장 기준: 0.03~3 mm) 사이의 주파수 대역으로 정의되며, 테라헤르츠파(terahertz wave)의 여러 독특한 특성들로 인해 다양한 분야에서의 응용 가능성을 두고 관심이 집중되고 있다 [1] . 기존의 마이크로파 혹은 밀리미터파(millimeter wave, 30~300 GHz) 대역 대비 테라헤르츠 대역은 보다 넓은 광대역 특성을 갖는다([그림 1]).
테라헤르츠파의 특성은? 테라헤르츠파는 또한 다양한 비전도성 물질에 대한 투과도가 높고, 금속과 같은 전도성 물질에 완전히 반사되며, 액체 물질에 대한 흡수 및 반사도가 높다. 더 나아가 다양한 생체 분자의 회전 및 진동 전이 에너지가 테라헤르츠 주파수에 대응되어 생체 분자의 고유한 분광 정보를 얻을 수 있는 장점이 있다.
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참고문헌 (22)

  1. P. H. Siegel, "Terahertz technology in biology and medicine", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 52, no. 10, pp. 2438-2447, Oct. 2004. 

  2. K. B. Cooper, G. Chattopadhyay, "Submillimeter-wave radar: Solid-state system design and applications", IEEE Microw. Mag., vol. 15, no. 7, pp. 51-67, Nov.-Dec. 2014. 

  3. T. Schneider, A. Wiatrek, S. Preussler, M. Grigat, and R.-P. Braun, "Link budget analysis for terahertz fixed wireless links", IEEE Trans. Terahertz Science and Technol., vol. 2, no. 2, pp. 250-256, Mar. 2012. 

  4. K. Ajito, Y. Ueno, "THz chemical imaging for biological applications", IEEE Trans. Terahertz Science and Technol., vol. 1, no. 1, pp. 293-300, Sep. 2011. 

  5. K. Schmalz, N. Rothbart, P. F.-X. Neumaier, J. Borngraber, H.-W. Hubers, and D. Kissinger, "Gas spectroscopy system for breath analysis at mm-wave/THz using SiGe BiCMOS circuits", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 65, no. 5, pp. 1807-1818, May 2017. 

  6. M. Seo, M. Urteaga, J. Hacker, A. Young, Z. Griffith, V. Jain, R. Pierson, P. Rowell, A. Skalare, A. Peralta, R. Lin, D. Lin, and M. Rodwell, "InP HBT IC technology for terahertz frequencies: Fundamental oscillators up to 0.57 THz", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 46, no. 10, pp. 2203-2214, Oct. 2011. 

  7. J. Yun, D. Yoon, H. Kim, and J.-S. Rieh, "300-GHz InP HBT oscillators based on common-base cross-coupled topology", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 62, no. 12, pp. 3053-3064, Dec. 2014. 

  8. J. Yun, J. Kim, D. Yoon, and J.-S. Rieh, "645-GHz InP heterojunction bipolar transistor harmonic oscillator", Electron. Lett., vol. 53, no. 22, pp. 1475-1477, Oct. 2017. 

  9. F. Ahmed, M. Furqan, B. Heinemann, and A. Stelzer, "0.3-THz SiGe-based high-efficiency push-push VCOs with > 1-mW peak output power employing common-mode impedance enhancement", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 66, no. 3, pp. 1384-1398, Mar. 2018. 

  10. E. Ojefors, B. Heinemann, and U. R. Pfeiffer, "Active 220-and 325-GHz frequency multiplier chains in an SiGe HBT technology", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 59, no. 5, pp. 1311-1318, May 2011. 

  11. J. Yun, D. Yoon, S. Jung, M. Kaynak, B. Tillack, and J.-S. Rieh, "Two 320 GHz signal sources based on SiGe HBT technology", IEEE Microw. Compon. Lett., vol. 25, no. 3, pp. 178-180, Mar. 2015. 

  12. J. Grzyb, K. Statnikov, N. Sarmah, B. Heinemann, and U. R. Pfeiffer, "A 210-270-GHz circularly polarized FMCW radar with a single-lens coupled SiGe HBT chip", IEEE Trans. THz Sci. Technol., vol. 6, no. 6, pp. 771-783, Nov. 2016. 

  13. Y. Yang, O. D. Gurbuz, and G. M. Rebeiz, "An eight-element 370-410-GHz phased-array transmitter in 45-nm CMOS SOI with peak EIRP of 8-8.5 dBm", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 64, no. 12, pp. 4241-4249, Dec. 2016. 

  14. S. V. Thyagarajan, S. Kang, and A. M. Niknejad, "A 240 GHz fully integrated wideband QPSK receiver in 65 nm CMOS", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 50, no. 10, pp. 2268-2280, Oct. 2015. 

  15. N. Sarmah, J. Grzyb, K. Statnikov, S. Malz, P. R. Vazquez, W. Foerster, B. Heinemann, and U. R. Pfeiffer, "A fully integrated 240-GHz direct-conversion quadrature transmitter and receiver chipset in SiGe technology", IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 64, no. 2, pp. 562-574, Feb. 2016. 

  16. D. Yoon, J. Kim, J. Yun, M. Kaynak, B. Tillack, and J.-S. Rieh, "300-GHz direct and heterodyne active imagers based on 0.13- ${\mu}m$ SiGe HBT technology", IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., vol. 7, no. 5, pp. 536-545, Sep. 2017. 

  17. M. H. Eissa, A. Malignaggi, R. Wang, M. Elkhouly, K. Schmalz, A. C. Ulusoy, and D. Kissinger, "Wideband 240-Hz transmitter and receiver in BiCMOS technology with 25-Gbit/s data rate", to appear in IEEE J. Solid-State Circuits, 2018. 

  18. J. Yun, S. J. Oh, K. Song, D. Yoon, H. Y. Son, Y. Choi, Y.-M. Huh, and J.-S. Rieh, "Terahertz reflection-mode biological imaging based on InP HBT source and detector", IEEE Trans. Terahertz Science and Technol., vol. 7, no. 3, pp. 274-283, May 2017. 

  19. M. Rodwell, E. Lind, Z. Griffith, S. R. Bank, A. M. Crook, U. Singisetti, M. Wistey, G. Burek, and A. C. Gossard, "Frequency limits of InP-based integrated circuits", in Proc. IEEE Int. Conf. Indium Phosphide Related Mater., pp. 9-13, 2007. 

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  21. S. J. Oh, S.-H. Kim, Y. B. Ji, K. Jeong, Y. Park, J. Yang, D. W. Park, S. K. Noh, S.-G. Kang, Y.-M. Huh, J.-H. Son, and J.-S. Suh, "Study of freshly excised brain tissues using terahertz imaging", Biomed. Opt. Exp., vol. 5, no. 8, pp. 2837-2842, Jul. 2014. 

  22. J. Kim, D. Yoon, J. Yun, K. Song, M. Kaynak, B. Tillack, and J.-S. Rieh, "Three-dimensional terahertz tomography with transistor-based signal-source and detector circuits operating near 300 GHz", IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., vol. 8, no. 5, pp. 482-491, Sep. 2018. 

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