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고온 시효 시험에 따른 Epoxy 솔더 접합부의 접합 특성 평가
Evaluation of Bonding Properties of Epoxy Solder Joints by High Temperature Aging Test 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.32 no.1, 2019년, pp.6 - 12  

강민수 (중앙대학교 기계공학부) ,  김도석 (중앙대학교 기계공학부) ,  신영의 (중앙대학교 기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Bonding properties of epoxy-containing solder joints were investigated by a high temperature aging test. Specimens were prepared by bonding an R3216 standard chip resistor to an OSP-finished PCB by a reflow process with two basic types of solder (SAC305 & Sn58Bi) pastes and two epoxy-solder (SAC305+...

주제어

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 고온에 노출된 SAC305, Sn58Bi 솔더 접합부에서 발생하는 금속간화합물에 의한 접합 특성 저하를 보완하기 위해 epoxy가 함유된 솔더를 이용하여 실험 시편을 제작하였으며, 150℃의 고온시효시험과 전단력 측정을 통해 접합 특성 저하를 비교 분석하였다.
  • 본 연구에서는 고온에 노출된 무연솔더 접합부 내에서 성장한 금속간화합물의 영향으로 솔더 접합부의 접합 특성이 저하되는 현상을 epoxy 기반의 솔더 접합 방법을 통해 보완하고자 하였으며, epoxy 솔더 접합부의 전단력을 측정하여 접합 특성을 비교하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
고온에서 장시간 사용하는 전자 제품의 솔더 접합부에서 성장하는 금속간화합물은 어떤 현상에 의하여 성장하는가? 솔더 내부에서 형성되는 금속간화합물은 일반적으로 취성의 성질을 [5] 가지고 있기 때문에, 솔더 접합부의 인성을 저하시키며 외력에 의한 저항성을 감소시켜 솔더 접합부가 쉽게 파손이 되는 원인이 되고 있다. 금속간화합물의 성장은 일반적으로 온도, 시간과 관련이 있으며 [6], 고온 에서 장시간 노출될 경우 주석과 구리의 고체 확산 현상에 의해 성장한다. 따라서 고온에서 장시간 사용하는 전자제품은 솔더 접합부에서 쉽게 금속간화합물이 성장하며 외부충격에 의해 솔더 접합부가 손상되어 전체 전자패키지의 불량이 발생할 수 있다 [7-9].
유연솔더의 특징은? 전자제품 산업에서 전기적⋅기계적 접합을 위해 유연솔더(Sn-Pb계)를 사용해 왔다. 유연솔더는 다른 합금에 비해 가격이 저렴하며, 높은 기계적 특성으로 비교적 쉽게 접합이 가능했으며, 접합부의 신뢰성 또한 우수한 장점이 있어 가장 많이 사용되어 왔다. 그러나 유연솔더에 함유된 납(Pb)은 체내에 축적될 경우 뇌와 신경계통에 장애를 초래할 수 있다는 연구 결과에 따라, RoHS (restriction of the use of hazardous substances in EEE) 규제가 발효되었고, 납의 사용을 제한하고 있다 [1,2].
금속간화합물이 솔더접합부를 손상시키는 이유는? 무연솔더는 납의 비중을 줄이기 위해 기존의 유연솔더보다 높은 주석(Sn)의 비중을 가지고 있으며 높은 주석의 비중으로 인해 구리(Cu) 전극과 무연솔더 사이에서 Sn-Cu계 금속간화합물(intermetallic compound) 성장이 더 크게 나타난다 [3,4]. 솔더 내부에서 형성되는 금속간화합물은 일반적으로 취성의 성질을 [5] 가지고 있기 때문에, 솔더 접합부의 인성을 저하시키며 외력에 의한 저항성을 감소시켜 솔더 접합부가 쉽게 파손이 되는 원인이 되고 있다. 금속간화합물의 성장은 일반적으로 온도, 시간과 관련이 있으며 [6], 고온 에서 장시간 노출될 경우 주석과 구리의 고체 확산 현상에 의해 성장한다.
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참고문헌 (17)

  1. S. W. Jung, M. S. Kang, Y. J. Jeon, D. S. Kim, and Y. E. Shin, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 29, 152 (2016). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2016.29.3.152] 

  2. Y. J. Jeon, S. I. Son, D. S. Kim, and Y. E. Shin, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 23, 611 (2010). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2010.23.8.611] 

  3. A. S. Shin, D. Y. Ok, G. H. Jeong, M. J. Kim, C. S. Park, J. H. Kong, and C. H. Heo, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 23, 481 (2010). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2010.23.6.481] 

  4. E. G. Chang, N. H. Kim, N. K. Kim, and J. C. Eom, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 17, 267 (2004). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2004.17.3.267] 

  5. M. N. Ervina Efzan and I. Siti Norfarhani, Trans. Electr. Electron. Mater., 16, 112 (2015). [DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2015.16.3.112] 

  6. P. L. Tu, Y. C. Chan, and J.K.L. Lai, IEEE Trans. Compon., Packag., Manuf. Technol., Part B, 20, 87 (1997). [DOI: https://doi.org/10.1109/96.554534] 

  7. X. Ma, Y. Qian, and F. Yoshida, J. Alloys Compd., 334, 224 (2002). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-8388(01)01747-9] 

  8. M. S. Kang, Y. J. Jeon, D. S. Kim, and Y. E. Shin, Int. J. Precis. Eng. Manuf., 17, 445 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1007/s12541-016-0055-3] 

  9. M. S. Kang, Y. J. Jeon, D. S. Kim, and Y. E. Shin, Int. J. Precis. Eng. Manuf., 16, 2483 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1007/s12541-015-0319-3] 

  10. K. Y. Kim, H. Jeong, W. R. Myung, and S. B. Jung, J. Weld. Joining, 36, 14 (2018). [DOI: https://doi.org/10.5781/JWJ.2018.36.2.3] 

  11. B. S. Yim, Y. Kwon, S. H. Oh, J. Kim, Y. E. Shin, S. H. Lee, and J. M. Kim, Microelectron. Reliab., 52, 1165 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2011.12.004] 

  12. Y. G. Sung, W. R. Myung, H. Jeong, M. K. Ko, J. Moon, and S. B. Jung, J. Electron. Mater., 47, 4165 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6224-7] 

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  14. I. E. Anderson and J. L. Harringa, J. Electron. Mater., 33, 1485 (2004). [DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0090-1] 

  15. M. Yang, M. Li, L. Wang, Y. Fu, J. Kim, and L. Weng, J. Electron. Mater., 40, 176 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-010-1430-y] 

  16. A. Sharma, Y. J. Jang, J. B. Kim, and J. P. Jung, J. Alloys Compd., 704, 795 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.02.036] 

  17. I. Cho, J. H. Ahn, J. W. Yoon, Y. E. Shin, and S. B. Jung, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 23, 1515 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-012-0621-0] 

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