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Skull melting법에 의한 Al2O3 파우더 용융
Melting of Al2O3 powder using the skull melting method 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.29 no.1, 2019년, pp.24 - 31  

최현민 ((주)한미보석감정원) ,  김영출 ((주)한미보석감정원) ,  석정원 (동신대학교 신소재에너지전공)

초록
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사파이어 단결정을 성장시키는 기존 합성방법들의 원료충진율을 높이기 위한 방법으로 스컬용융법을 사용하여 $Al_2O_3$ 파우더를 용융시켰다. 냉각도가니 크기는 내경 24 cm, 내부 높이 30 cm로서 2.75 MHz 발진주파수에서 15 kg의 $Al_2O_3$ 파우더를 1시간 내에 모두 용융시켰으며, 3시간 동안 융액상태로 유지 후 자연냉각 시켰다. 냉각된 잉곳의 부분별 면밀도 및 성분은 SEM-EDS를 통해 분석하였다. 잉곳의 면밀도 및 $Al_2O_3$ 함량은 고주파유도가열 시 냉각도가니 내부에 형성되는 온도 분포와 관련이 있으며, 온도가 높게 형성되었던 부분이 면밀도 및 순도가 높게 나타나는 경향을 보였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The current study demonstrates an efficient procedure to create ingots from $Al_2O_3$ powder using the skull melting method to use these ingots as a starting material in conventional methods for growing synthetic single-crystal sapphire. Dimension of the cold crucible was 24 cm in inner d...

주제어

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 그러므로, 현재 대 구경 사파이어를 성장시키기 위한 합성법의 출발원료로 사용하기 위해서는 시간적, 경제적 부담이 적지 않은 것은 사실이다. 따라서 본 연구에서는 현재 대 구경 사파이어를 성장시키기 위한 합성법들에 사용되는 출발원료의 충진율을 높이기 위해 skull melting 법을 사용하여 알루미나 파우더를 용융 시켰다. Skull melting 법은[12, 13] 비교적 짧은 시간에 원료의 용융이 가능하며 , self 도가니 형성으로 인해 도가니로부터 오염을 방지할 수 있다.
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참고문헌 (15)

  1. M. Wu, L. Liu and W. Ma, "Control of melt-crystal interface shape during sapphire crystal growth by heat exchanger method", J. Cryst. Growth 474 (2017) 32. 

  2. M.J. Hur, X.F. Han, H.G. Choi and K.W. Yi, "Crystal front shape control by use of an additional heater in a Czochralski sapphire single crystal growth system", J. Cryst. Growth 474 (2017) 24. 

  3. G. Alombert-Goget, G. Sen, C. Pezzani, N. Barthalay, T. Duffar and K. Lebbou, "Large Ti-doped sapphire single crystals grown by the kyropoulos technique for petawatt power laser application", Opt. Mater. 61 (2016) 21. 

  4. M.J. Hur, X.F. Han, D.S. Song, T.H. Kim, N.J. Lee, Y.J. Jeong and K.W. Yia, "The influence of crucible and crystal rotation on the sapphire single crystal growth interface shape in a resistance heated Czochralski system", J. Cryst. Growth 385 (2014) 22. 

  5. M.S. Akselrod and F.J. Bruni, "Modern trends in crystal growth and new applications of sapphire", J. Cryst. Growth 360 (2012) 136. 

  6. W. Ma, W. Zhao, M. Wu, G. Ding and L. Liu, "Temperature and thermal stress evolutions in sapphire crystal during the cooling process by heat exchanger method", J. Cryst. Growth 474 (2017) 38. 

  7. V.M. Krymov, Y.G. Nosov, S.I. Bakholdin, V.N. Maslov, I.L. Shulpina and V.I. Nikolaev, "Blocks and residual stresses in shaped sapphire single crystals", J. Cryst. Growth 457 (2017) 315. 

  8. W. Ma and L. Liu, "Investigation of heat transfer and thermal stress during sapphire crystal growth process by heat exchanger method: Evaluation of radiation models", J. Cryst. Growth 468 (2017) 910. 

  9. M. Wu, W. Zhao, L. Liu, Y. Yang, W. Ma and Y. Wang, "Effects of crucible cover on heat transfer during sapphire crystal growth by heat exchanger method", J. Cryst. Growth 404 (2014) 131. 

  10. R. Mogilevsky, S. Nedilko, L. Sharafutdinova, S. Burlay, V. Sherbatskii, V. Boyko and S. Mittl, "Sapphire: Relation between luminescence of starting materials and luminescence of single crystals", Opt. Mater. 31 (2009) 1880. 

  11. C.P. Khattak, R. Shetty, C.R. Schwerdtfeger and S. Ullal, "World's largest sapphire for many applications", J. Cryst. Growth 452 (2016) 45. 

  12. S. Berendts and M. Lerch, "Growth of yttria-doped zirconium oxide nitride single crystals by means of reactive skull melting", J. Cryst. Growth 336 (2011) 106. 

  13. X. Jiayue, L. Xiuyun, J. Xin, H. Qingbo, F. Yongzheng, Z. Daobiao and H. Xuemei, "Industrial growth of yttriastabilized cubic zirconia crystals by skull melting process", J. Rare Earths 27 (2009) 971. 

  14. C. Gross, W. Assmus, A. Muiznieks, G. Raming, A. Muhlbauer and C. Stenzel, "Power Consumption of Skull Melting, Part I : Analytical Aspects and Experiments", Cryst. Res. Technol. 34 (1999) 322. 

  15. R.F. Sekerka, R.A. Hartzell and B.J. Farr, "Instability phenomena during the RF heating and melting of ceramics", J. Cryst. Growth 50 (1980) 787. 

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