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NTIS 바로가기Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.28 no.2, 2019년, pp.133 - 138
강인혜 (호서대학교 전자디스플레이공학부) , 황상호 (호서대학교 전자디스플레이공학부) , 백영조 (호서대학교 전자디스플레이공학부) , 문승재 (호서대학교 전자디스플레이공학부) , 배병성 (호서대학교 전자디스플레이공학부)
The a-InGaZnO (a-IGZO) thin film transistor (TFT) has the advantages of larger mobility than that of amorphous silicon TFTs, acceptable reliability and uniformity over a large area, and low process cost. A capacitive-type touch sensor was studied with an a-IGZO TFT that can be used on the front side...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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산화물 반도체의 특징은? | 디스플레이 기판의 소자로서 비정질 실리콘 박막 트랜지스터가 널리 사용이 되고 있으며 최근 산화물 박막 트랜지스터가 디스플레이 기판에 적용이 되고 있다. 산화물 반도체는 비정질 실리콘 소자와 같이 공정비용이 낮으면서도 비정질 실리콘에 비해 높은 이동도를 가지기 때문에 AM OLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 화소 회로, 게이트 드라이버 및 기타 집적 회로 등에 적용되었을 때 비정질 실리콘 TFT (ThinFilm Transistor)에 비해 우수한 특성을 확보할 수 있다. 최근의 디스플레이에는 전면 터치 기능이 중요해지고 있고 이의 내재화 연구개발도 진행되어 제품에 적용되고 있다. | |
터치 센서의 방식은 크게 무엇으로 나뉘는가? | 스마트폰과 태블릿 PC 등의 보급은 기존 모바일 기기에서 주로 사용되던 입력 장치 대신 터치 센서라는 새로운 입력 장치의 대중화를 불러왔다. 터치 센서의 방식은 크게 저항막, 적외선, 초음파, 정전용량 방식으로 나뉜다. 정전용량 방식은 잡음에 민감하고 제조 단가가 비싸지만 고스트 효과(ghost effect) 없이 멀티 터치를 할 수 있고 광학적 특성과 내구성이 우수한 특징 때문에 현재 가장 널리 사용되고 있다[5-7]. | |
정전용량 터치 센서의 원리는 무엇인가? | 제안한 회로는 구성이 간단한 만큼 동작 원리도 간단하다. 센싱 전극에 손가락이 닿았을 경우, 정전용량(C1)의 크기가 증가함에 따라 scan n 라인이 high 전압이 되도 node A의 전압은 상승하지 못하여 T1의 게이트 전압의 증가가 미미하게 되고, 소스/드레인 전극 사이에 흐르는 전류도 증가하지 않게 된다. 손가락이 닿지 않았을 경우에는 센싱 전극과 손가락 사이의 정전용량은 상대적으로 작으며, scan n 라인이 high 전압이 되면 node A의 전압도 상승하여 T1의 게이트 전압이 증가하고, 전류도 증가한다. |
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