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헥사메틸렌테트라민 농도에 따른 수산화니켈 입자의 특성 분석 및 의사커패시터 응용
The Effects of Hexamethylenetetramine Concentration on the Structural and Electrochemical Performances of Ni(OH)2 Powder for Pseudocapacitor Applications 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.26 no.3, 2019년, pp.231 - 236  

김동연 (경북대학교 신소재공학부) ,  정영민 (대구경북과학기술원 스마트섬유융합연구실) ,  백성호 (대구경북과학기술원 스마트섬유융합연구실) ,  손인준 (경북대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Ni hydroxides ($Ni(OH)_2$) are synthesized on Ni foam by varying the hexamethylenetetramine (HMT) concentration using an electrodeposition process for pseudocapacitor (PC) applications. In addition, the effects of HMT concentration on the $Ni(OH)_2$ structure and the electroche...

주제어

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문제 정의

  • HMT는 높은 비정전용량 확보에 유리한 나노 다공성 구조를 가지며, 수산화기(OH) 발생을 촉진하는 촉매 반응물로서 중합체를 형성하고 구조를 변화시키는 특성을 가진다[19, 20]. 따라서, 본 연구에서는 변수 제어가 가능한 전착법을 이용하여 수산화니켈을 형성하였으며, HMT 농도 변화에 따른 수산화니켈의 성장거동 및 속도에 미치는 영향과 수산화니켈을 이용한 의사커패시터의 전기화학적 특성 분석을 통해 최적화된 구조와 합성 조건을 도출하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
슈퍼커패시터 연구에 적용되는 방법은 어떤 것들이 있는가? 슈퍼커패시터는 재료 뿐만 아니라 제작공정에서도 특성이 천차만별이기 때문에 커패시터 용도에 맞는 방법으로 전극을 제조하여야 한다. 현재 슈퍼커패시터는 수열법(Hydrothermal), 기상화학증착법(Chemical vapor deposition), 졸겔법(Sol-gel), 공침법(coprecipitation), 전착법(Electrodeposition) 등 다양한 방법으로 제작하여 연구되고 있다[8-12]. 본 연구에서는 값싸고, 간단하고 전극 제작이 쉬운 전착법을 이용하여 실험하였다.
HMT의 비정전용량은 0mM보다는 7.5mM가 더 컸으나, 10mM에서는 줄어들었는데 그 이유는 무엇인가? 889 F/g이 줄어들었다. 이는 HMT를 더 추가할수록 핵 성장 반경이 더 넓어지기 때문에 표면에 시트 사이의 간격이 발생하고 넓은 공극이 발생하여 비표면적 감소 및 이온의 이동이 비효율적으로 이루어졌기 때문으로 간주된다. 결과적으로, 비정전용량은 HMT 7.
슈퍼커패시터는 동작원리에 따라 어떻게 분류되는가? 이 중, 리튬 이차전지는 고용량 에너지 저장 시스템을 대표하는 저장 장치인 한편, 슈퍼커패시터는 충방전이 50만회 이상으로 반영구적인 수명을 지니는 동시에 가지고 있던 전하를 빠르게 방전하는 고출력이 요구되는 장치에 널리 사용되고 있다[1]. 또한, 슈퍼커패시터는 동작원리에 따라 대표적으로 전기이중층 커패시터(Electric Double Layer Capacitor, EDLC)와 의사 커패시터(Pseudocapacitor, PC) 두 분류로 크게 나눌 수 있다. 전기이중층 커패시터는 전극 표면에 전해질 이온이 충전 시에는 전해액 계면에 전하를 전기이중층 형태로 축적하고, 방전 시에는 흡착되었던 이온이 전해질로 빠져나가는 시스템이다[2].
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참고문헌 (25)

  1. 10.1038/ncomms2932 H. B. Li, M. H. Yu, F. X. Wang, P. Liu, Y. Liang, J. Xiao, C. X. Wang, Y. X. Tong and G. W. Yang: Nat. Commun., 4 (2013) 1894. 

  2. 10.1021/ja102267j H. Wang, H. S. Casalongue, Y. Liang and H. Dai: J. Am. Chem. Soc., 132 (2010) 7472. 

  3. 10.1039/c3nr02958a H. Chen, J. Jiang, L. Zhang, H. Wan, T. Qi and D. Xia: Nanoscale, 5 (2013) 8879. 

  4. 10.1039/C5TA05335H C. Hou, X.-Y. Lang, Z. Wen, Y.-F. Zhu, M. Zhao, J.-C. Li, W.-T. Zheng, J.-S. Lian and Q. Jiang: J. Mater. Chem. A, 3 (2015) 23412. 

  5. 10.1039/c0jm03830j H. Jiang, T. Zhao, C. Li and J. Ma: J. Mater. Chem., 21 (2011) 3818. 

  6. 10.1021/am508816t S. E. Moosavifard, M. F. El-Kady, M. S. Rahmanifar, R. B. Kaner and M. F. Mousavi: ACS Appl. Mater. Interfaces, 7 (2015) 4851. 

  7. 10.1039/C5TA05523G M. Huang, F. Li, F. Dong, Y. X. Zhang and L. L. Zhang: J. Mater. Chem. A, 3 (2015) 21380. 

  8. 10.1016/j.jpowsour.2006.04.012 V. Subramanian, H. Zhu and B. Wei: J. Power Sources, 159 (2006) 361. 

  9. 10.1016/S0009-2614(01)01037-5 K. Jurewicz, S. Delpeux, V. Bertagna, F. Béguin and E. Frackowiak: Chem. Phys. Lett., 347 (2001) 36. 

  10. 10.1002/adma.200902175 T.-Y. Wei, C.-H. Chen, H.-C. Chien, S.-Y. Lu and C.-C. Hu: Adv. Mater., 22 (2010) 347. 

  11. 10.1016/j.electacta.2012.10.088 A. Pendashteh, M. F. Mousavi and M. S. Rahmanifar: Electrochim. Acta, 88 (2013) 347. 

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  13. 10.1007/s10800-006-9162-7 R. Oriňáková, A. Turoňová, D. Kladeková, M. Gálová and R. M. Smith: J. Appl. Electrochem., 36 (2006) 957. 

  14. 10.1016/j.jpowsour.2014.05.092 L. Feng, Y. Zhu, H. Ding and C. Ni: J. Power Sources, 267 (2014) 430. 

  15. 10.1039/b815647f G.-W. Yang, C.-L. Xu and H.-L. Li: Chem. Commun., 48 (2008) 6537. 

  16. 10.1016/S1452-3981(23)15205-9 G.-R. Fu, Z.-A. Hu, L.-J. Xie, X.-Q. Jin, Y.-L. Xie, Y.-X. Wang, Z.-Y. Zhang, Y.-Y. Yang and H.-Y. Wu: Int. J. Electrochem. Sci., 4 (2009) 1052. 

  17. 10.4150/KPMI.2016.23.4.311 S. Kim, K. Park and K-I. Jung: J. Korean Powder Metall. Inst., 23 (2016) 311. 

  18. 10.1166/jnn.2018.15011 T. Priyadharshini, B. Saravanakumar, G. Ravi, A. Sakunthala and R. Yuvakkumar: J. Nanosci. Nanotechnol., 18 (2018) 4093. 

  19. 10.1039/c4cy00183d J. Xu, T. Chen, X. Wang, B. Xue and Y.-X. Li: Catal. Sci. Technol., 4 (2014) 2126. 

  20. 10.1021/jp507496a V. Strano, R. G. Urso, M. Scuderi, K. O. Iwu, F. Simone, E. Ciliberto, C. Spinella and S. Mirabella: J. Phys. Chem. C, 118 (2014) 28189. 

  21. 10.1021/jp046267s X. Gao, X. Li and W. Yu: J. Phys. Chem. B, 109 (2005) 1155. 

  22. 10.1016/S0013-4686(02)00161-5 D. Grujicic and B. Pesic: Electrochim. Acta, 47 (2002) 2901. 

  23. 10.1016/j.electacta.2005.08.043 J. Kelber, S. Rudenja and C. Bjelkevig: Electrochim. Acta, 51 (2006) 3086. 

  24. 10.1016/j.electacta.2010.12.001 Y. F. Yuan, X. H. Xia, J. B. Wu, J. L. Yang, Y. B. Chen and S. Y. Guo: Electrochim. Acta, 56 (2011) 2627. 

  25. 10.1021/acs.jpcc.6b00479 R. Parize, J. Garnier, O. Chaix-Pluchery, C. Verrier, E. Appert and V. Consonni: J. Phys. Chem. C, 120 (2016) 5242. 

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