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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.29 no.7, 2019년, pp.456 - 462
권익선 (한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소) , 김단비 (한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소) , 김예원 (한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소) , 연응범 (한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소) , 김선태 (한밭대학교 신소재공학과 및 정보전자부품소재연구소)
ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO의 특성은? | II-VI족 산화물 반도체 ZnO는 상온에서 넓은 직접 천이형 광학적 밴드갭 (3.37 eV)과 커다란 엑시톤 결합 에너지(~60 meV)를 갖고 있다.1) 최근 들어 비교적 간단하고 저렴한 방법으로 ZnO 박막을 성장시키고자 하는 연구가 많이 이루어졌고, 이를 다양한 분야에 응용하고자 하는 노력이 있었다. | |
ZnO 박막이 다양한 방법으로 제작 가능한 이유는? | ZnO 박막은 다른 산화물들에 비해 높은 융점을 가지고 있으나 비교적 낮은 온도에서 성장이 가능하여 RF 스퍼터링,2) 펄스 레이저 증착,3) 화학 성장,4) 열 분해5) 및 용액 성장6) 등의 다양한 방법으로 제작되었다. 이 방법들 중 스퍼터링 방법은 대면적의 ZnO 박막을 비교적 용이하게 성장시킬 수 있는 장점이 있다. | |
p-Si 기판에 이종접합 구조 제작시 장점은? | p-Si 기판에 이종접합 구조를 제작하는 경우 실리콘 자연 산화막의 형성과 두 물질 사이의 커다란 격자상수 차이로 인해 계면에 많은 결함이 발생하는 문제점이 있다. 그러나 저렴한 가격의 대면적 Si 기판의 공급과 이미 확립된 Si 공정 기술을 이용하면 낮은 가격의 고품질 광소자 제작이 가능하다는 장점이 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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