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NTIS 바로가기한국정보전자통신기술학회논문지 = Journal of Korea institute of information, electronics, and communication technology, v.12 no.4, 2019년, pp.449 - 455
전준혁 , 김형식 , 김희준 (한양대 전자공학과) , 안준선 (오산대학교 전기과)
This paper proposes a flyback diode of bridgeless PFC converter as SiC SBD (Schottky Barrier Diode) to achieve high efficiency. In addition, through the explanation of the operation principle of the bridgeless PFC converter, the conduction section of the freewheel diode is shown in the bridgeless PF...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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SiC SBD는 무엇인가? | SiC SBD는 Si와 비교하여 밴드갭이 3배, 절연파괴전계가 10배, 열전도율이 10배 높은 SiC를 쇼트키 배리어 다이오드 구조로 제작한 소자이다.[6] | |
SiC 전력반도체의 장점은? | SiC(Silicon Carbide)전력반도체는 산업기기, 태양전지, 전기자동차, 철도 등 전력 전자분야에서 기존에 주로 사용되어진 Si(Silicon)전력반도체보다 전력변환 손실이 적고, 재료물성이 우수한 반도체로 알려지면서 그 응용분야의 폭을 확대해 나가고 있다.[1] 이러한 SiC의 개발속도를 추정할 때 2020년에는 현재보다 60배 이상으로 요구될 컴퓨팅파워 및 저장 용량에 대한 응용에 있어서 SiC 전력반도체가 이를 충분이 충족시킬 수 있을 전망이다. | |
역률보상회로의 문제점을 개선한 토폴로지는? | 대표적인 AC-DC컨버터의 하나인 역률보상회로 (Power Factor Correction Circuit)의 경우 그림1과 같이 브릿지 다이오드와 부스트 컨버터를 사용한 토폴로지를 주로 사용하는데 입력에 사용되는 브릿지 다이오드의 도통 손실에 의한 효율저하가 문제점으로 대두되어 왔다. 따라서 이를 개선하기 위한 여러 연구가 진행되고 있으며 그 중 대표적인 토폴로지가 브릿지 다이오드를 제거한 Bridgeless PFC 컨버터이다. |
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