[논문]탄소나노튜브의 합성수율 증대와 저온 합성에 미치는 기판 전처리의 영향

신의철; 조성일; 정구환

doi:10.22805/jit.2019.39.1.007

[국내논문] 탄소나노튜브의 합성수율 증대와 저온 합성에 미치는 기판 전처리의 영향
Effect of substrate pretreatment on the growth yield enhancement and growth temperature decrease of carbon nanotubes 원문보기

産業技術硏究 : 江原大學校産業技術硏究所 = Journal of industrial technology, v.39 no.1, 2019년, pp.7 - 14

신의철 (J&L Tech) , 조성일 (Department of Advanced Materials Science and Engineering, Kangwon National University) , 정구환 (Department of Advanced Materials Science and Engineering, Kangwon National University)

Abstract ▼ AI-Helper

Carbon nanotubes (CNT) on metal substrates are definitely beneficial because they can maintain robust mechanical stability and high conductivity between CNT and metal interfaces. Here, we report direct growth of CNT on Ni-based superalloy, Inconel 600, using thermal chemical vapor deposition (CVD) with acetylene feedstock in the growth temperature range of $400-725^{\circ}C$. Furthermore, we studied the effect of substrate pretreatment on the growth yield enhancement and growth temperature decrease of CNT on Inconel 600. Activation energy (AE) for CNT growth was estimated from the CNT height change with respect to the growth temperature. The AE values significantly decreased from 205.03 to 24.35 kJ/mol by the pretreatment of thermal oxidation of Inconel substrate at $725^{\circ}C$ under ambient. Higher oxidation temperature tends to have lower activation energy. The results have shown the importance of pretreatment temperature on CNT growth yield and growth temperature decrease.

Keyword

표/그림 (8)

그림 Fig. 1 Schematic diagram showing CNT growth process. (a) CNT growth after thermal annealing at growth temperature (b) CNT growth after thermal annealing at 725°C.
그림 Fig. 2 XRD patterns (a) before and (b) after CNT growth at different temperatures.
그림 Fig. 3 (a~c) AFM images of Inconel substrates and (d~f) SEM images of CNTs. (a) and (d) are without pretreatment, (b) and (e) are annealed at growth temperature, and (c) and (f) are annealed at 725°C.
그림 Fig. 4 (a) Catalytic particle size versus growth temperature and (b) CNT diameter versus growth temperature are shown with respect to the different pretreatment conditions.
그림 Fig. 5 SEM images of CNT on Inconel substrates under (a) without pretreatment, (b) annealed at growth temperature, and (c) annealed at 725°C. (d) Relation between CNT height and growth temperature.
그림 Fig. 6 Raman spectra of CNTs grown on Inconel substrates at (a) 425°C and (b) 625°C. (c) FWHM of D band versus growth temperature as a function of the different pretreatment.
그림 Fig. 7 TGA curves of CNTs grown under (a) without pretreatment, (b) annealed at growth temperature, and (c) annealed at 725°C.
그림 Fig. 8 Arrhenius plot for the growth rates of CNTs on Inconel substrates as a function of the different pretreatment.

AI 본문요약
AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

CNT의 성장은 TCVD법을 이용하였고, Ar, H₂, C₂H₂을 적정 비율로 혼합하여 다양한 온도 범위에서 (400~725°C) 합성하였다. 성장 전 금속기판의 열산화 처리가 CNT의 합성수율과 저온성장에 영향을 미치는 것을 조사하였다. 또한, 열산화 처리온도를 성장온도와 동일하게 하는 방법과 특정 온도로 고정시키는 방법으로 나누어 CNT 합성수율과 저온성장에 미치는 열처리 온도의 의존성을 살펴보았다.
본 연구에서는 Inconel 600 합금을 CNT의 합성 기판으로 이용했을 때, 다양한 기판의 열산화 전처리 방법이 CNT의 합성수율과 저온합성에 어떠한 영향을 미치는 지에 대해 연구하였다. 연구 결과 성장 전 금속기판의 열산화 처리는 금속기판의 표면조도의 증가하게 하였고, 이는 CNT 성장온도의 저온화에 큰 영향을 준 것으로 밝혀졌다.

제안 방법

Ducati는 산화된 Si기판 위에 Ni 3 nm 증착 시킨 후 아세틸렌가스를 원료가스로 하여 550~850°C에서 CNT를 합성하였다. 열화학 기상증착법 (Thermal chemical vapor deposiiton, TCVD)과 플라즈마 기상증착법 (Plasma-enhanced, PE) CVD법을 이용하여 CNT를 합성 하였고, 두 시스템에서 합성된 CNT의 구조와 활성화 에너지(Activation energy)를 구하였다. 그 결과 합성온도에 의해 결정된 Ni의 모양과 크기에 의해 CNT의 직경과 층수가 결정되었으며, TCVD에서는 116.
CNT의 성장은 TCVD법을 이용하였고, Ar, H2, C2H2을 적정 비율로 혼합하여 다양한 온도 범위에서 (400~725°C) 합성하였다.
알코올을 사용했을 때에는 600°C에서 CNT가 합성하여는 것을 확인하였고, 반면 메탄올을 사용했을 때에는 550°C에서도 CNT가 합성하는 것을 확인하였다^[11]. M.Chhowalla는 dc-PECVD를 이용하여 CNT를 합성하였고, 촉매층의 두께, 인가된 바이어스전압, 합성온도, 아세틸렌과 암모니아의 가스유량이 나노튜브의 성장속도, 직경, 밀도, 구조에 미치는 영향을 연구하였다. 550~900°C의 다양한 온도에서 CNT를 합성하였으나 550°C는 나노튜브 합성을 위해 충분한 온도지만 아세틸렌의 분해가 활발하지 않기 때문에 CNT의 길이 매우 짧게 나타났다고 설명하고 있다^[12].
최근 다양한 금속기판에 CNT를 직접 성장함으로써 다양한 분야로 응용하기 위한 연구가 계속 되고 있다. D. Duy 는 DC-PECVD를 이용하여 TiN의 완충층과 Ni이 증착된 SUS기판 위에 아세틸렌과 암모니아를 사용하여 CNT를 성장시켰다. Ni 촉매층을 암모니아 플라즈마로 처리해줌으로써 Ni나노입자를 형성시켰는데, Si위에 형성된 Ni 나노입자의 크기가 10-140 nm인 반면 SUS 기판 위에 형성된 Ni 나노입자의 크기는 20-40 nm이며 더 균일했다.
Nessim은 산화된 Si기판 위에 금속 underlayer로 Ta를 사용하였고, 그 위에 촉매 Fe를 증착시켜서 CNT를 합성하였다. 게다가 TCVD을 온도가 다르게 세 구역으로 나눠 고온에서 원료가스와 운반가스를 먼저 열분해시킨 후 낮은 온도구역에서 CNT를 합성시키는 방법을 연구를 했다. CVD를 이용하여 아세틸렌가스를 원료가스로 400°C에서도 CNT가 성장함을 보였다^[20].
본 연구에서는 CNT합성의 주요 촉매금속 성분인 Ni을 자체 함유한 합금(Inconel 600)을 성장기판으로, 기판의 전처리를 통하여 표면구조를 제어함으로써 CNT의 합성수율 증대와 저온합성을 도모하였다. CNT의 성장은 TCVD법을 이용하였고, Ar, H₂, C₂H₂을 적정 비율로 혼합하여 다양한 온도 범위에서 (400~725°C) 합성하였다.
성장 전 금속기판의 열산화 처리가 CNT의 합성수율과 저온성장에 영향을 미치는 것을 조사하였다. 또한, 열산화 처리온도를 성장온도와 동일하게 하는 방법과 특정 온도로 고정시키는 방법으로 나누어 CNT 합성수율과 저온성장에 미치는 열처리 온도의 의존성을 살펴보았다.
기판 세척 후 TCVD의 균일 온도 구역에 기판을 위치시키고 Ar (900 sccm)과 H2 (100 sccm)를 혼합한 분위기 하에 승온하여 다양한 온도 (400~725°C)에서 CNT를 30분간 성장시켰다.
%)이며, 에탄올을 이용하여 세척한 후 건조시켜 사용하였다. 금속기판 위에서 전처리의 영향을 연구하기 위해 TCVD를 이용하였고, 전처리 조건은 열산화 처리순서 및 처리온도에 따라 세가지로 분류하여 실험을 진행하였다. 금속기판에 전처리를 하지 않고 CNT를 성장시키는 조건, 성장하기 바로 전 성장온도에서 금속기판을 열산화 처리하는 조건, 725°C에서의 열산화 처리과정을 거친 후 CNT를 성장하는 조건이다.
기판 세척 후 TCVD의 균일 온도 구역에 기판을 위치시키고 Ar (900 sccm)과 H₂ (100 sccm)를 혼합한 분위기 하에 승온하여 다양한 온도 (400~725°C)에서 CNT를 30분간 성장시켰다. 기판의 표면을 분석하기 위해서 성장하기 바로 전 Ar 분위기로 냉각하여 원자간힘 현미경 (Atomic force microscopy, AFM, Park system, XE-70)으로 관찰하였다. 다음으로 기판을 성장온도에서 열산화 처리한 뒤 Ar : H₂ : C₂H₂ (= 500 : 500 : 50 sccm)분위기에서 30분 동안 CNT를 성장시키는 실험으로, TCVD 균일 온도 구역에 기판을 위치시키고, 대기분위기하에 기판을 성장온도까지 승온한 뒤 10분간 유지하여 열산화 과정을 거친 후 Ar:H₂의 분위기로 전환하여 10분간 환원한 뒤 CNT를 성장시켰다.
기판의 표면을 분석하기 위해서 성장하기 바로 전 Ar 분위기로 냉각하여 원자간힘 현미경 (Atomic force microscopy, AFM, Park system, XE-70)으로 관찰하였다. 다음으로 기판을 성장온도에서 열산화 처리한 뒤 Ar : H₂ : C₂H₂ (= 500 : 500 : 50 sccm)분위기에서 30분 동안 CNT를 성장시키는 실험으로, TCVD 균일 온도 구역에 기판을 위치시키고, 대기분위기하에 기판을 성장온도까지 승온한 뒤 10분간 유지하여 열산화 과정을 거친 후 Ar:H₂의 분위기로 전환하여 10분간 환원한 뒤 CNT를 성장시켰다. 마지막 전처리 조건은 Fig.
성장 메커니즘의 규명을 위한 기판의 표면 및 CNT의 형상분석은 AFM과 전계방출형 주사전자현미경 (Field emission gunsacnning electron microscope, FESEM, Hitachi, S-4300)을 이용하였다. Micro-Raman (Horiba Aramis)을 이용하여 여기 파장 532 nm 레이져로 CNT의 결정성을 확인하였다. 또한 CNT의 순도분석은 TGA분석 (Thermogravimetric analyzer, TGA, TAlnstruments; SDT Q600)을 이용하였다.
우선, CNT성장에 미치는 전처리의 영향이 열산화 과정에 의한 산화물 형성의 영향인지, 입자의 형성 및 확산에 의한 영향인지 알아보기 위해서 기판 표면의 화학적인 조성을 XRD로 관찰하였다. Fig.
연구에서는 xylen-ferrocene CVD법으로 500-820°C의 온도에서 CNT를 합성하여 136±5 kJ/mol의 활성화에너지 값을 구하였다[19].
CNT 합성수율 증대효과를 뚜렷하게 관찰하기 위해서 SEM으로 단면을 관찰하였다. 금속기판의 산화열처리에 따라 CNT를 성장시켜본 결과 Fig.
CNT의 결정성을 평가하기 위한 다른 방법으로, TGA 분석을 하였다. TGA 분석은 CNT의 종류 및 결함 밀도와 타는 온도가 밀접한 관계가 있기 때문에 CNT의 결정성에 관해 알 수 있다.

대상 데이터

Ni이 코팅된 Si에서 성장한 CNT보다 더 균일한 길이로 성장했으며, 그 직경은 촉매의 크기과 비슷하게 나타났다^[14]. L. Gao는 Inconel 600기판 위에 완충층으로 Al₂O₃ 20 nm와 촉매 FePc를 100 mg 사용하였고, CVD를 이용하여 아세틸렌을 원료가스로 CNT를 성장시켰다. 성장시킨 결과 CNT의 순도가 높았으며, 배향성이 좋았다^[15].
Pal은 CVD를 이용하여 xylene-ferrocene 용액으로 Inconel 600 기판 위에 CNT를 500~820°C에서 합성하였고, 성장온도과 시간에 의해 CNT의 배향성이 결정됨을 증명하였다^[19]. G. Nessim은 산화된 Si기판 위에 금속 underlayer로 Ta를 사용하였고, 그 위에 촉매 Fe를 증착시켜서 CNT를 합성하였다. 게다가 TCVD을 온도가 다르게 세 구역으로 나눠 고온에서 원료가스와 운반가스를 먼저 열분해시킨 후 낮은 온도구역에서 CNT를 합성시키는 방법을 연구를 했다.
본 연구에 사용된 CNT 합성기판은 100 μm의 두께를 가진 Inconel 600 박막 (Ni: >72 wt.%, Cr: 14~17 wt.%, Fe: 6~10 wt.%, Mn: <1 wt.%,C: < 1wt. %)이며, 에탄올을 이용하여 세척한 후 건조시켜 사용하였다.
금속기판에 전처리를 하지 않고 CNT를 성장시키는 조건, 성장하기 바로 전 성장온도에서 금속기판을 열산화 처리하는 조건, 725°C에서의 열산화 처리과정을 거친 후 CNT를 성장하는 조건이다. 운반가스로 Ar과 H₂를 사용하였고, 원료가스로는 C₂H₂를 사용하였다. 먼저, 전처리 조건에 따른 영향을 비교하기 위한 기준 조건으로, 열산화 처리 하지 않는 기판을 준비하였다.

이론/모형

기판표면의 화학성분은 X선 회절법 (X-ray diffractometry, XRD, PANalytical-X’pert PRO)를 이용하였다.
성장 메커니즘의 규명을 위한 기판의 표면 및 CNT의 형상분석은 AFM과 전계방출형 주사전자현미경 (Field emission gunsacnning electron microscope, FESEM, Hitachi, S-4300)을 이용하였다. Micro-Raman (Horiba Aramis)을 이용하여 여기 파장 532 nm 레이져로 CNT의 결정성을 확인하였다.
Micro-Raman (Horiba Aramis)을 이용하여 여기 파장 532 nm 레이져로 CNT의 결정성을 확인하였다. 또한 CNT의 순도분석은 TGA분석 (Thermogravimetric analyzer, TGA, TAlnstruments; SDT Q600)을 이용하였다. 기판표면의 화학성분은 X선 회절법 (X-ray diffractometry, XRD, PANalytical-X’pert PRO)를 이용하였다.

성능/효과

열화학 기상증착법 (Thermal chemical vapor deposiiton, TCVD)과 플라즈마 기상증착법 (Plasma-enhanced, PE) CVD법을 이용하여 CNT를 합성 하였고, 두 시스템에서 합성된 CNT의 구조와 활성화 에너지(Activation energy)를 구하였다. 그 결과 합성온도에 의해 결정된 Ni의 모양과 크기에 의해 CNT의 직경과 층수가 결정되었으며, TCVD에서는 116.3 kJ/mol, PECVD에서는 73.06 kJ/mol의 활성화 에너지를 구하였다. 이 활성화 에너지의 차이는 PECVD에서 이온 충돌로 인한 탄소원자의 용해도와 확산의 증가에 의한 것이라고 설명하고 있다^[9].
Zhang은 CNT 길이에 미치는 에틸렌과 수소의 비율 영향을 연구하였다. CNT의 길이는 에틸렌가스의 유량에 매우 민감하게 나타났으며, 길이가 긴 CNT일수록 결정성이 좋게 나타났다. 특히 수소의 유량이 적었을 때에는 촉매가 활성화되지 않아 CNT가 짧았다.
Masarapu는 CNT를 25 μm두께의 SUS 위에 ferrocene과 xylene을 사용하여 TCVD로 CNT를 성장시켰다. CNT의 밀도와 배향성이 산처리 시간에 매우 의존적임을 관찰하였으며, 이는 FeO와 CrO의 비율에 의한 것으로 판단하고 있다. 그리고 이러한 실험 방법은 금속기판에 선택적인 성장을 할 수 있다고 하였다^[17].
그라파이트 피크가 26°에 나타난 것으로 보아 CNT가 성장된 것을 확인할 수 있고 성장 온도가 증가할수록 그라파이트 피크가 점점 폭이 좁아지는 것을 관찰할 수 있다.
2(a)와 같은 피크가 나왔다. 전처리 전의 기판에서는 Inconel 고유의 피크가 나타났으며, 고온에서 열 산화 처리를 거치고 난 뒤 Inconel에 함유되어 있는 금속성분들이 산화되어 Cr₂O₃, NiCrO₄, NiO, FeNi₃등 다양한 종류의 피크가 나타났다. 열산화 처리된 기판을 725°C에서 10분간 환원한 뒤 기판에서는 산화된 피크가 사라지고 전처리 전 Inconel 기판 표면조성과 동일한 피크가 나타났다.
성장온도에서 열산화 처리하였을 때 입자의 평균 크기가 34.06 nm로 증가하였고, 이와 비교하여 725°C에서의 열산화 처리한 Inconel기판의 표면에는 계곡 형태의 입자들이 형성되어 입자의 평균 크기는 39.05 nm로 표면조도가 다른 조건의 기판 전처리에 비해 가장 크게 변화하였다.
특히 고온(725°C)에서 열산화 처리 후 CNT를 성장시킨 결과를 보면 저온에서도 합성수율이 증대된 것을 확인 할 수 있으며, 625°C에서 CNT의 높이 변화가 약 30배 이상 증대된 것을 볼 수 있다.
세 조건 중 725°C에서 열산화 처리한 Inconel 기판 위 CNT의 활성화 에너지 값이 가장 적게 나왔다.
세 조건의 CNT 모두 3단계에 걸쳐 무게 감소가 나타났으며, 비정질 탄소는 결정성 CNT보다 열 안정성이 낮기 때문에 낮은 온도인 200~400°C에서 무게감소가 나타났다.
본 연구에서는 Inconel 600 합금을 CNT의 합성 기판으로 이용했을 때, 다양한 기판의 열산화 전처리 방법이 CNT의 합성수율과 저온합성에 어떠한 영향을 미치는 지에 대해 연구하였다. 연구 결과 성장 전 금속기판의 열산화 처리는 금속기판의 표면조도의 증가하게 하였고, 이는 CNT 성장온도의 저온화에 큰 영향을 준 것으로 밝혀졌다. 구체적으로, 열산화 처리온도를 성장온도와 동일하게 하는 방법과 특정 온도로 고정시키는 방법으로 나누어 CNT 합성수율과 저온합성에 미치는 열처리 온도의 의존성을 살펴 본 결과, 열산화 처리순서 및 처리온도에 의해 CNT의 성장 정도가 큰 차이를 나타냄을 알 수 있었고, 725°C에서 열산화 처리한 금속기판에서 CNT의 저온성장이 활성화 됨을 알 수 있었다.
연구 결과 성장 전 금속기판의 열산화 처리는 금속기판의 표면조도의 증가하게 하였고, 이는 CNT 성장온도의 저온화에 큰 영향을 준 것으로 밝혀졌다. 구체적으로, 열산화 처리온도를 성장온도와 동일하게 하는 방법과 특정 온도로 고정시키는 방법으로 나누어 CNT 합성수율과 저온합성에 미치는 열처리 온도의 의존성을 살펴 본 결과, 열산화 처리순서 및 처리온도에 의해 CNT의 성장 정도가 큰 차이를 나타냄을 알 수 있었고, 725°C에서 열산화 처리한 금속기판에서 CNT의 저온성장이 활성화 됨을 알 수 있었다. 본 연구결과는 CNT 합성기판의 전처리 온도가 CNT의 합성수율 및 저온성장에 매우 중요한 영향을 미친다는 것을 확인하였다.
구체적으로, 열산화 처리온도를 성장온도와 동일하게 하는 방법과 특정 온도로 고정시키는 방법으로 나누어 CNT 합성수율과 저온합성에 미치는 열처리 온도의 의존성을 살펴 본 결과, 열산화 처리순서 및 처리온도에 의해 CNT의 성장 정도가 큰 차이를 나타냄을 알 수 있었고, 725°C에서 열산화 처리한 금속기판에서 CNT의 저온성장이 활성화 됨을 알 수 있었다. 본 연구결과는 CNT 합성기판의 전처리 온도가 CNT의 합성수율 및 저온성장에 매우 중요한 영향을 미친다는 것을 확인하였다.
특히 725°C에서 열산화 처리한 기판표면의 거칠기 증가가 가장 뚜렷하게 나타났으며, 다른 전처리 기판과 입자의 직경 차이가 가장 크게 나타났다.
각 전처리 조건을 거친 Inconel 기판 위에 성장한 CNT를 살펴보면, 열산화 처리가 없는 Inconel 기판에서는 15.09 nm의 비교적 균일한 직경을 가진 CNT가 성장하였으나 성장온도에서 열산화 처리를 거친 기판에서 성장한 CNT의 직경은 72.88 nm이었고, 725°C 에서 열산화 처리를 거친 기판에서 성장한 CNT의 직경은 각각 80.31 nm로 관찰되었다.
이는 열산화 처리에 의해 금속 표면에 형성되는 산화물은 그 아래의 금속과 서로 다른 격자 상수를 가지기 때문에 금속 표면이 거칠어진 것이다. 열산화 처리를 하지 않은 기판에서보다 열산화처리를 한 기판표면의 거칠기가 증가했으며, 다양한 크기의 입자들이 형성되었다. 특히 725°C에서 열산화 처리한 기판표면의 거칠기 증가가 가장 뚜렷하게 나타났으며, 다른 전처리 기판과 입자의 직경 차이가 가장 크게 나타났다.

후속연구

하지만 CNT 합성을 위해서는 Fe, Co, Ni 등의 전이금속 촉매가 필수적으로 요구되며 촉매의 활성화 및 원료가스의 분해를 위한 고온공정이 요구된다. 이에 향후 산업적 응용을 고려한다면 CNT의 대량생산과 더불어 합성온도의 저온화의 이슈는 시급하게 해결해야 할 과제로 남아있다.
이와 같이 다양한 금속기판을 사용하여 CNT를 합성하는 연구가 진행되었지만 저온에서도 금속기판 위에 CNT를 성장할 뿐만 아니라 수율증대가 동시에 이루어지는 연구는 추후 상업적 응용을 고려한다면 앞으로도 연구가 계속 되어야 할 부분이다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	CNT를 성장시키는 방법은 무엇이 있는가?	Iijima에 의해 발견된 탄소나노튜브 (Carbon nanotubes, CNT)는 우수한 물리적, 화학적, 전기적 특성으로 인하여 다양한 분 야에서 차세대 응용재료로써 각광을 받고 있다[1, 2]. CNT를 성장시키는 방법으로 아크 방전법[3, 4]과 Laser ablation법[5], 화학기상증착법[6, 7], 플라즈마 화학기상증착법[8] 등이 주로 이용되어 왔다. 그 중 화학기상증착법은 CNT의 고 순도화, 구조 선택적 성장의 가능성, 높은 합성 수율 등의 장점을 가지고 있다.
	TGA 분석은 무엇을 알 수 있는가?	CNT의 결정성을 평가하기 위한 다른 방법으로, TGA 분석을 하였다. TGA 분석은 CNT의 종류 및 결함 밀도와 타는 온도가 밀접한 관계가 있기 때문에 CNT의 결정성에 관해 알 수 있다. Fig.
	화학기상증착법의 단점은 무엇인가?	그 중 화학기상증착법은 CNT의 고 순도화, 구조 선택적 성장의 가능성, 높은 합성 수율 등의 장점을 가지고 있다. 하지만 CNT 합성을 위해서는 Fe, Co, Ni 등의 전이금속 촉매가 필수적으로 요구되며 촉매의 활성화 및 원료가스의 분해를 위한 고온공정이 요구된다. 이에 향후 산업적 응용을 고려한다면 CNT의 대량생산과 더불어 합성온도의 저온화의 이슈는 시급하게 해결해야 할 과제로 남아있다.

참고문헌 (20)

Iijima, S., 1991, Helical Microtubules of Graphitic Carbon, Nature, 354 56.

상세보기
Ajayan, P.M., 1999, Nanotubes from Carbon, Chem. Rev., 99 1787.

상세보기
Bethune, D.S., Klang, C.H., de Vries, M.S., Gorman, G., Savoy, R., Vazquez, J., Beyers, R., 1993, Cobalt-Catalysed Growth of Carbon Nanotubes with Single-Atomic-Layer Walls, Nature, 363 605.

상세보기
Journet, C., Maser, W.K., Bernier, P., Loiseau, A., Lamy de la Chapelle, Lefrant, S., Deniard, P., Lee, R., Fischer, J.E., 1997, Large-Scale Production of Single-Walled Carbon Nanotubes by the Electric-Arc Technique, Nature, 388 756.

상세보기
Thess, A., Lee, R., Nikolaev, P., Dai, H., Petit, P., Robert, J., Xu, C., Lee, Y.H., Kim, S.G., Rinzler, A.G., Colbert, D.T., Scuseria, G.E., Tomanek, D., Fischer, J.E., Smalley, R.E., 1996, Crystalline Ropes of Metallic Carbon Nanotubes, Science, 273 483.

상세보기
Li, W.Z., Xie, S.S., Qian, L.X., Chang, B.H., Zou, B.S., Zhou, W.Y., Zhao, R.A., Wang, Z.G., 1996, Large-Scale Synthesis of Aligned Carbon Nanotubes, Science, 274 1701.

상세보기
Geohegan, D.B., Puretzky, A.A., Ivanov, I.N., Jesse, S., Eres, G., Howe, J.Y., 2003, In Situ Growth Rate Measurements and Length Control during Chemical Vapor Deposition of Vertically Aligned Multiwall Carbon Nanotubes, Appl. Phys. Lett, 83 1851.

상세보기
Ren, Z.F., Huang, Z.P., Xu, J.W., Wang, J.H., Bush, P., Siegal, M.P., Provencio, P.N., 1998, Synthesis of Large Arrays of Well-Aligned Carbon Nanotubes on Glass, Science, 282 1105.

상세보기
Ducati, C., Alexandrou, I., Chhowalla, M., Amaratunga, G.A.J., Robertson, J., 2002, Temperature Selective Growth of Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition, J. Appl. Phys, 92 3299.

상세보기
Kim, K.E., Kim, K.J., Jung, W.S., Bae, S.Y., Park, J.H., Choi, J.H., Choo, J.B., 2005, Investigation on the Temperature-Dependent Growth Rate of Carbon Nanotubes Using Chemical Vapor Deposition of Ferrocene and Acetylene, Chem. Phys. Lett, 401 459.

상세보기
Maruyama, S., Kojima, R., Miyauchi, Y., Chiashi, S., Kohno, M., 2002, Low-Temperature Synthesis of High-Purity Single-Walled Carbon Nanotubes from Alcohol, Chem. Phys. Lett, 360 229.

상세보기
Chhowalla, M., Teo, K.B.K., Ducati, C., Rupesinghe, N.L., Amaratunga, G.A.J., Ferrari, A.C., Roy, D., Robertson, J., Milne, W.I., 2001, Growth Process Conditions of Vertically Aligned Carbon Nanotubes Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, J. Appl. Phys, 90 5308.

상세보기
Zhang, H., Cao, G., Wang, Z., Yang, Y., Shi, Z., Gu, Z., 2008, Influence of Ethylene and Hydrogen Flow Rates on the Wall Number, Crystallinity, and Length of Millimeter-Long Carbon Nanotube Array, J. Phys. Chem. C 112 12706.

상세보기
Duy, D.Q., Kim, H.S., Yoon, D.M., Lee, K.J., Ha, J.W., Hwang, Y.G., Lee, C.H., Cong, B.T., 2009, Growth of Carbon Nanotubes on Stainless Steel Substrate by DC-PECVD, Appl. Surf. Sci, 256 1065.

상세보기
Gao, L., Peng, A., Wang, Z.Y., Zhang, H., Shi, Z., Gu, Z., Cao, G., Ding, B., 2008, Growth of Aligned Carbon Nanotube Arrays on Metallic Substrate and Its Application to Supercapacitors, Solid State Commun, 146 380.

상세보기
Hiraoka, T., Yamada, T., Hata, K., Futaba, D.N., Kurachi, H., Uemura, S., Yumura, M., Iijima, S., 2006, Synthesis of Single- and Double-Walled Carbon Nanotube Forests on Conducting Metal Foils, J. Am. Chem. Soc., 128 13338.

상세보기
Masarapu, C., Wei, B., 2007, Direct Growth of Aligned Multiwalled Carbon Nanotubes on Treated Stainless Steel Substrates, Langmuir, 23 9046.

상세보기
Yi, W., Yang, Q., 2010, CVD Growth and Field Electron Emission of Aligned Carbon Nanotubes on Oxidized Inconel Plates without Addition of Catalyst, Diam. Relat. Mater, 19 870.

상세보기
Pal, S.K., Talapatra, S., Kar, S., Ci, L., Vajtai, R., Borca-Tasciuc, T., Schadler, L.S., Ajayan, P.M., 2008, Time and Temperature Dependence of Multi-Walled Carbon Nanotube Growth on Inconel 600, Nanotechnol, 19 45610.

상세보기
Nessim, G.D., Seita, M., O'Brien, K.P., Hart, A.J., Bonaparte, R.K., Mitchell R.R., Thompson, C.V., 2009, Low Temeprature Synthesis of Vertically Aligned Carbon Nanotubes with Electrical Contact to Metallic Substrates Enabled by Thermal Decomposition of the Carbon Feedstock, Nano Lett, 9 3398.

상세보기

저자의 다른 논문 :

활용도 분석정보

상세보기

다운로드

내보내기

활용도 Top5 논문

해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증