[논문]RF 마그네트론 스퍼터링법으로 성장 된 SnS 박막의 구조적 및 광학적 특성에 대한 증착 압력의 영향

손승익; 이상운; 손창식; 황동현

doi:10.21218/cpr.2020.8.1.033

RF 마그네트론 스퍼터링법으로 성장 된 SnS 박막의 구조적 및 광학적 특성에 대한 증착 압력의 영향
Influence of Deposition Pressure on Structural and Optical Properties of SnS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering 원문보기

Current photovoltaic research = 한국태양광발전학회논문지, v.8 no.1, 2020년, pp.33 - 38

손승익 (재료공학과, 부산대학교) , 이상운 (재료공학과, 부산대학교) , 손창식 (신소재공학부, 신라대학교) , 황동현 (신소재공학부, 신라대학교)

Abstract ▼ AI-Helper

Single-phased SnS thin films have been prepared by RF magnetron sputtering at various deposition pressures. The effect of deposition pressure on the structural and optical properties of polycrystalline SnS thin films was studied using X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet-visible-near infrared (UV-Vis-NIR) spectrophotometer. The XRD analysis revealed the orthorhombic structure of the SnS thin films oriented along the (111) plane direction. As the deposition pressure was increased from 5 mTorr to 15 mTorr, the intensity of the peak on the (111) plane increased, and the intensity decreased under the condition of 20 mTorr. The binding energy difference at the Sn 3d5/2 and S 2p3/2 core levels was about 324.5 eV, indicating that the SnS thin film was prepared as a pure Sn-S phase. The optical properties of the SnS thin films indicate the presence of direct allowed transitions with corresponding energy band gap in the rang 1.47-1.57 eV.

주제어

표/그림 (11)

그림 Fig. 1. XRD patterns of SnS thin films grown at various deposition pressures
표 Table 1. Experimental details of SnS thin films
그림 Fig. 2. Surface FE-SEM images of SnS thin films grown at various deposition pressures
그림 Fig. 3. Cross-sectional FE-SEM images of SnS thin films grown at various deposition pressures
표 Table 2. The structural parameters of SnS thin films grown at various deposition pressures
표 Table 3. Structural and electrical properties of SnS thin films grown at various deposition pressures
그림 Fig. 4. Wide scan XPS spectrum of the SnS thin film grown at the P_d of 15 mTorr
그림 Fig. 5. XPS spectra of SnS thin films grown at various deposition pressures: (a) S 2p, and (b) Sn 3d peaks
표 Table 4. XPS properties of SnS thin films grown at various deposition pressures
그림 Fig. 6. Optical transmittance spectra of SnS thin films grown at various deposition pressures
그림 Fig. 7. Plot (αhν)² versus photon energy (hν) of SnS thin films grown at various deposition pressures

AI 본문요약
AI-Helper

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문제 정의

본 연구에서는 SnS 박막을 단일 SnS 타깃을 사용한 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 유리기판 상에 제조하였고, 증착 압력의 변화에 따른 구조적 및 광학적 특성을 알아보았다.

제안 방법

RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리기판 위에 단일 상(single phased) SnS 박막을 증착하였고, 공정 압력 변화에 따른SnS 박막의 구조적, 전기적, 화학적 및 광학적 특성을 평가하였다. 다양한 공정 조건에서 증착된 모든 SnS 박막에서 (111)면 우선성장방향 및 사방정계 결정구조를 확인하였다.
RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 25 × 25 mm2 크기의 소다석회유리(Soda-lime glass, SLG) 기판 위에 SnS 박막을 성장시켰다.
증착 압력이 5mTorr에서 15 mTorr로 높아짐에 따라 (111)면에 대한 X-선 회절 피크의 세기는 증가하였고, 20 mTorr의 조건에서는 그 세기가 감소하였다. SnS 단일 상에 대한 보다 정밀한 분석을 위하여 XPS 측정을 추가로 진행하였다. 그 결과, 서로 다른 증착 압력에 서 성장시킨 모든 SnS 박막에 대한 Sn 3d_5/2의 결합 에너지 변동범위는 485.
SnS 박막의 결정구조를 X-선 회절 분석법(X-ray diffractometer, XRD, Rigaku, Ultima IV)으로 확인하였고, SnS 박막의 표면 형상과 두께는 전계 방사형 주사전자현미경(field-emissionscanning electron microscopy, FE-SEM, TESCAN, MIRA 3)으로 관찰하였다. 표면저항은 4-탐침 면저항측정기(4-point probesystem, CMT-SR2000N)로 측정하였다.
SnS 박막의 광학적 특성은 600 nm에서 2000 nm의 파장 범위를 갖는 자외선-가시광선-근적외선(ultraviolet-visible-near infrared, UV-Vis-NIR) 분광 광도계(spectrophotometer, JASCO, V-570)를 사용하여 측정하였고, 측정된 흡수 계수(absorption coefficient, α)를 사용하여 SnS 박막의 밴드 갭 에너지를 평가하였다.
RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리기판 위에 단일 상(single phased) SnS 박막을 증착하였고, 공정 압력 변화에 따른SnS 박막의 구조적, 전기적, 화학적 및 광학적 특성을 평가하였다. 다양한 공정 조건에서 증착된 모든 SnS 박막에서 (111)면 우선성장방향 및 사방정계 결정구조를 확인하였다. 증착 압력이 5mTorr에서 15 mTorr로 높아짐에 따라 (111)면에 대한 X-선 회절 피크의 세기는 증가하였고, 20 mTorr의 조건에서는 그 세기가 감소하였다.
다양한 증착 압력에서 성장시킨 SnS 박막의 Sn-S 결합 에너지(binding energy)와 구성 요소(constituent element) 간 원자가 상태(valence state)를 XPS 측정으로 분석하였다. 1분간의 표면에칭(etching)으로 불순물을 제거한 SnS 시편에 대한 XPS 결과를 Figs.
크기의 소다석회유리(Soda-lime glass, SLG) 기판 위에 SnS 박막을 성장시켰다. 유리기판의 절단 과정에서 발생하는 미세 입자와 표면 불순물을 제거하기 위하여 증류수(deionized water), 아세톤(acetone), 에탄올(ethanol), 그리고 아이소프로필알코올(isopropyl alcohol)순으로 각각 5분간 초음파세척을 진행하였다. 초음파세척이 완료된 기판 표면을 질소(N2) 가스총으로 완전히 건조한 후, 자외선-오존 세정기(UV ozone cleaner)에 20분간 장입하여 잔류 유기물을 제거하였다.
증착 압력 변화에 따른 SnS 박막의 광학 밴드 갭은 αhν = 0으로 외삽(extrapolation)한 광자 에너지(hν)에 대응(versus)하는 (αhν)2 값에 대하여 직선으로 근사(fitting)한 작도(plot)로 결정하였다28).
유리기판의 절단 과정에서 발생하는 미세 입자와 표면 불순물을 제거하기 위하여 증류수(deionized water), 아세톤(acetone), 에탄올(ethanol), 그리고 아이소프로필알코올(isopropyl alcohol)순으로 각각 5분간 초음파세척을 진행하였다. 초음파세척이 완료된 기판 표면을 질소(N2) 가스총으로 완전히 건조한 후, 자외선-오존 세정기(UV ozone cleaner)에 20분간 장입하여 잔류 유기물을 제거하였다. SnS 단일 타깃(2 inch, 4N, TASCO)은 기판으로부터 100 mm 거리를 유지한 채 아래 방향으로 장착하였고, 터보 분자 펌프(turbo molecular pump, TMP)를 사용하여 체임버(chamber)의 초기 진공 압력을 3.
SnS 박막의 결정구조를 X-선 회절 분석법(X-ray diffractometer, XRD, Rigaku, Ultima IV)으로 확인하였고, SnS 박막의 표면 형상과 두께는 전계 방사형 주사전자현미경(field-emissionscanning electron microscopy, FE-SEM, TESCAN, MIRA 3)으로 관찰하였다. 표면저항은 4-탐침 면저항측정기(4-point probesystem, CMT-SR2000N)로 측정하였다. SnS 박막의 화학량론및 원자가 상태(valence state)는 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectronspectroscopy, XPS, Thermo Scientific, K-Alpha+)으로 분석하였다.

이론/모형

표면저항은 4-탐침 면저항측정기(4-point probesystem, CMT-SR2000N)로 측정하였다. SnS 박막의 화학량론및 원자가 상태(valence state)는 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectronspectroscopy, XPS, Thermo Scientific, K-Alpha+)으로 분석하였다.
증착 압력이 5 mTorr에서 15 mTorr까지 상승함에 따라 주 피크(main peak)인 (111)면에 대한 회절 피크의 상대적 세기는 증가하였고, 더 높은 증착 압력인 20 mTorr에서는 감소하는 경향을 보여주었다. 증착 압력에 따른 SnS 박막의 결정립 크기는 XRD 결과를 바탕으로 Scherrer방정식에 대입하여 계산하였고, 그 결과를 Table 2에 나타내었다²²⁾.

성능/효과

S 원소에 대한 Sn 원소의 비율은 증착 압력이 5 mTorr에서 15mTorr로 증가할수록 화학량론(stoichiometry)에 근접하였고, 20 mTorr의 압력으로 갈수록 Sn이 풍부한(Sn-rich) 화학 조성을 나타내었다. 이러한 XPS 결과를 통하여, 15 mTorr의 증착 압력에서 제조한 SnS 박막이 기타 공정 조건에서 제조한 SnS 박막 대비 더욱 순수(pure)한 Sn-S 상을 가지는 것을 확인하였다.
5 eV로 나타나 순수한 Sn-S단일 상을 갖는 SnS 박막이 성공적으로 제조되었음을 확인하였다. SnS 박막의 투과도 스펙트럼은 증착 압력 상승에 따라 장파장 영역으로 이동하였고, 에너지 밴드 갭은 1.57 eV (5 mTorr)에 서 1.47 eV (20 mTorr)로 감소하였다. 이러한 SnS 박막의 구조적 및 광학적 특성에 대한 종합적 분석으로 RF 마그네트론 스퍼터링 방법이 고품질 SnS 박막 제조에 적합한 증착 기술임을 확인하였다.
증착 압력 변화에 따른 SnS 박막의 광학 밴드 갭은 αhν = 0으로 외삽(extrapolation)한 광자 에너지(hν)에 대응(versus)하는 (αhν)2 값에 대하여 직선으로 근사(fitting)한 작도(plot)로 결정하였다²⁸⁾. 공정 압력 5 mTorr에서 증착한 SnS 박막의 밴드 갭 에너지는 1.56 eV이며, 10 mTorr에서는 1.49 eV, 그리고 더 높은 공정 압력인 15 mTorr와 20 mTorr에서는 소폭 감소한 1.47 eV의 밴드 갭 에너지를 보여주었다.
SnS 단일 상에 대한 보다 정밀한 분석을 위하여 XPS 측정을 추가로 진행하였다. 그 결과, 서로 다른 증착 압력에 서 성장시킨 모든 SnS 박막에 대한 Sn 3d_5/2의 결합 에너지 변동범위는 485.6 eV에서 485.7 eV임을 알 수 있었다. Sn의 고유 결합 에너지값인 485.
47 eV (20 mTorr)로 감소하였다. 이러한 SnS 박막의 구조적 및 광학적 특성에 대한 종합적 분석으로 RF 마그네트론 스퍼터링 방법이 고품질 SnS 박막 제조에 적합한 증착 기술임을 확인하였다.
S 원소에 대한 Sn 원소의 비율은 증착 압력이 5 mTorr에서 15mTorr로 증가할수록 화학량론(stoichiometry)에 근접하였고, 20 mTorr의 압력으로 갈수록 Sn이 풍부한(Sn-rich) 화학 조성을 나타내었다. 이러한 XPS 결과를 통하여, 15 mTorr의 증착 압력에서 제조한 SnS 박막이 기타 공정 조건에서 제조한 SnS 박막 대비 더욱 순수(pure)한 Sn-S 상을 가지는 것을 확인하였다.
7 eV의 작은 차이를 보여주었다. 이에 덧붙여, 161.1 eV에서 161.2 eV의 변동 범위를 갖는 S 2p_3/2와의 결합 에너지 차이는 324.5 eV로 나타나 순수한 Sn-S단일 상을 갖는 SnS 박막이 성공적으로 제조되었음을 확인하였다. SnS 박막의 투과도 스펙트럼은 증착 압력 상승에 따라 장파장 영역으로 이동하였고, 에너지 밴드 갭은 1.
6°에 대응하는 (111)면 우선성장방향(preferred orientation)을 확인하였다. 증착 압력이 5 mTorr에서 15 mTorr까지 상승함에 따라 주 피크(main peak)인 (111)면에 대한 회절 피크의 상대적 세기는 증가하였고, 더 높은 증착 압력인 20 mTorr에서는 감소하는 경향을 보여주었다. 증착 압력에 따른 SnS 박막의 결정립 크기는 XRD 결과를 바탕으로 Scherrer방정식에 대입하여 계산하였고, 그 결과를 Table 2에 나타내었다²²⁾.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	원자층 증착법의 단점은 무엇인가?	63% (2014년)를 기록하였다9). 그러나 ALD 공정의 매우 낮은 박막 증착 속도는 개선되어야 할 문제점으로 지적된다10). ALD방법과 비교하여 스퍼터링 방법은 높은 증착 속도를 가짐으로써 박막 제조 공정의 시간을 현저히 낮출 수 있다.
	칼코게나이드계 태양전지의 대표적인 예시는 무엇인가?	최근 고효율 저가 박막형 태양전지 동향에 따라 칼코게나이드(chalcogenide)계 태양전지가 주목받고 있다. 대표적인 칼코게나이드계 태양전지로는 CIGS (copper indium gallium selenide)및 CdTe (cadmium telluride) 기반의 박막 태양전지가 있으며, 현재까지 보고된 CIGS와 CdTe를 기반으로 하는 태양전지 소자의 최고 전력변환효율(power conversion efficiency, PCE)은 각각 22.9% (CIGS)와 21.
	CIGS와 CdTe를 기반으로 하는 태양전지 소자의 최고 전력변환효율은 얼마인가?	최근 고효율 저가 박막형 태양전지 동향에 따라 칼코게나이드(chalcogenide)계 태양전지가 주목받고 있다. 대표적인 칼코게나이드계 태양전지로는 CIGS (copper indium gallium selenide)및 CdTe (cadmium telluride) 기반의 박막 태양전지가 있으며, 현재까지 보고된 CIGS와 CdTe를 기반으로 하는 태양전지 소자의 최고 전력변환효율(power conversion efficiency, PCE)은 각각 22.9% (CIGS)와 21.0% (CdTe)이다1). 하지만 4성 분계(fourcomponent system) 이상의 복잡한 물질로 구성되는 CIGS의 경우 화학량론(stoichiometry) 조성에 대한 제어의 어려움이 있고, 인듐(indium, In)과 갈륨(gallium, Ga) 원소에 대한 매장량 한계및 카드뮴(cadmium, Cd)과 셀레늄(selenium, Se)의 독성(toxicity)은 개선되어야 할 문제로 지적되고 있다.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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