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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.30 no.3, 2020년, pp.117 - 122
조인환 (한국원자력연구원 신소재융합기술연구부) , 김찬중 (한국원자력연구원 신소재융합기술연구부) , 전병혁 (한국원자력연구원 신소재융합기술연구부)
The effects of fast neutron irradiation on the electrical and optical properties of Li (3 at%) doped ZnSnO (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process are investigated. From the results of Li-ZTO TFT characteristics according to change of neutron irradiation time, the saturation mobility is ...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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광전자 소자의 투명전극으로 사용함에 있어 주석이 인듐을 대체하기 위한 물질로 각광받고 있는 이유는? | 산화물 반도체 중 ITO(인듐-주석 산화물) 박막이 광전자 소자의 투명전극으로 이용되고 있으나, 인듐의 적은 매장량으로 인하여 인듐을 대체하기 위한 물질로 주석이 각광받고 있다. 주석의 전자 배치(electronic configuration) 는 5p 오비탈을 제외하면 인듐과 같아 전기적 특성이 유사하기 때문이다. ZTO(아연-주석 산화물)는 인듐을 사용 하지 않는 대신에 주석의 비율을 늘리고 아연을 첨가한 물질로서 ITO를 대체할 후보군으로 주목받고 있다. | |
ZnO 산화물 반도체의 특징은? | ZnO 산화물 반도체는 용액공정이 가능하고 가시광선 영역에서 투명하며 자체적으로 발생한 캐리어에 의한 n형 반도체 특성 등 기존 비정질 실리콘과 비교하여 큰 장점이 있다. ZnO는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체로 2 K에서 약 3. | |
Li-ZTO 용액 제조 시 각 원소의 비율과 농도는? | Li-ZTO 용액 제조에 사용된 금속 전구체는 Zn acetate dihydrate [Zn(C2H3O2 ) 2 ·2H 2 O], Sn chloride dihydrate [SnCl 2 ·2H 2 O] 그리고 Li acetate dihydrate [CH 3 COOLi· 2H 2 O]을 사용하였다. Zn:Sn 비율은 1:2로 고정하였으며 Li의 전체 용액의 3 at%를 첨가하여 0.5 M 농도의 전구체 용액을 제작하였다. 용액은 핫플레이트에서 60 °C, 2 시간 동안 교반하였다. |
T. Minami, H. Sato, H. Nanto and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys., 24, 781 (1985).
E. Ziegler, A. Heinrich, H. Oppermann and G. Stoever, Phys. Status Solidi, 66, 636 (1981).
K. I. Hagemark, J. Solid State Chem., 16, 293 (1976).
S. J. Kim, S. H. Yoon and H. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., 53, 02BA02 (2014).
I.-H. Cho, H.-W. Park, K.-B. Chung, C.-J. Kim and B.-H. Jun, Semicond. Sci. Technol., 33, 085004 (2018).
International Atomic Energy Agency, Neutron Transmutation Doping of Silicon at Research Reactors, IAEATECDOC-1681, IAEA, Vienna (2012).
L. Lv, P. Li, X. Ma, L. Liu, L. Yang, X. Zhou, J. Zhang, Y. Cao, Z. Bi, T. Jiang, Q. Zhu and Y. Hao, IEEE Trans. Nucl. Sci., 64, 643 (2017).
A. Reisman, M. Walters and G. H. R. Kegel, J. Electron. Mater., 20, 935 (1991).
A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, S. J. Pearton, N. G. Kolin, D. I. Merkurisov, V. M. Boiko, M. Skowronski and I.-H. Lee, Phys. B (Amsterdam, Neth.), 376-377, 523 (2006).
J. J. Kim, J. M. Ha, H. M. Lee, H. S. Raza, J. W. Park and S. O. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 19192 (2016).
H. J. Moon, S. H. Jung, M. K. Ryu, K. I. Cho, E.-J. Yun and B. S. Bae, J. Korean Phys. Soc., 60, 254 (2012).
Y.-K. Moon, S. Lee, D.-Y. Moon, W.-S. Kim, B.-W. Kang and J.-W. Park, Surf. Coat. Technol., 205, 109 (2010).
B. D. Ahn, J.-S. Park and K. B. Chung, Appl. Phys. Lett., 105, 163505 (2014).
S. Kwon, H.-W. Park and K.-B. Chung, J. Electron. Mater., 46, 1210 (2017).
L. Petti, N. Munzenrieder, C. Vogt, H. Faber, L. Buthe, G. Cantarella, F. Bottacchi, T. D. Anthopoulos and G. Troster, Appl. Phys. Rev., 3, 021303 (2016).
Y. J. Kim, B. S. Yang, S. Oh, S. J. Han, H. W. Lee, J. Heo, J. K. Jeong and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 3255 (2013).
Y. J. Tak, B. D. Ahn, S. P. Park, S. J. Kim, A. R. Song, K.-B. Chung and H. J. Kim, Sci. Rep., 6, 21869 (2016).
H. W. Park, J. S. Park, J. H. Lee and K. B. Chung, Electrochem. Solid State Lett., 15, H133 (2012).
B. D. Ahn, D.-W. Choi, C. Choi and J.-S. Park, Appl. Phys. Lett., 105, 092103 (2014).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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