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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.3, 2020년, pp.177 - 180
김세영 (극동대학교 에너지IT공학과) , 안병섭 (극동대학교 에너지IT공학과) , 강이구 (극동대학교 에너지IT공학과)
This paper focuses on the 1,200-V level reverse conducting-insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT). The structure of the RC-IGBT has an n+ collector at the collector terminal. The breakdown voltage, Vth, Vce-sat, and turn-off time, and the electrical characteristics of a field-stop IGBT (FS-IGBT...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전력 IGBT 소자가 가장 많이 이용되는 분야는 무엇인가? | 전력 IGBT 소자가 가장 많이 이용되는 분야는 전기 자동차, 신재생에너지 인버터산업 분야 등이며, 600~3,300 V 이하의 전력 IGBT 소자가 사용되고 있다 [2,3]. | |
전력반도체 소자의 장점은 무엇인가? | 전력반도체 소자는 하이브리드, 전기자동차 등 첨단기기의 핵심으로 활용되는 첨단기술로, 전체 발전 에너지 중 60~70% 정도를 소모하는 전동기 에너지를 약 20~40%가량 절감시킬 수 있다 [4-6]. | |
IGBT 소자의 특징은 무엇인가? | 본 논문에서는 전력장치용의 반도체 소자인 파워 소자(power device) 중 하나로 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있어서 전력 전자공학의 핵심 소자이며 고전압화 ⋅ 고전류화 ⋅ 고주파수화된 것이 특징인 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 소자에 관한 연구이다 [1]. |
E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 29, 263 (2016). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2016.29.5.263]
J. Won, J. G. Koo, T. Rhee, H. S. Oh, and J. H. Lee, Electron. Telecommun. Res. Inst., 35, 603 (2013). [DOI: https://doi.org/10.4218/etrij.13.1912.0030]
J. M. Geum, E. S. Jung, E. G. Kang, and M. Y. Sung, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 253 (2012). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2012.25.4.253]
E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 29, 523 (2016). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2016.29.9.523]
E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 21, 1 (2017). [DOI: https://doi.org/10.7471/ikeee.2017.21.1.1]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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