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문제 정의
" data-ocr-fix="">있다. I9H1 이, H5]는 고주파 공진형 컨버터를 설게하기 위해 필요한 자성 물질에 관한 연구로 코아에서 발생하는 철손, 발열 등을 고려하여 코아를 선 정하는 연구를 진행했다. 고주파 스위칭 컨버터의 스위칭 주파수를 계속 늘리는 연구도 진행되고
섹션 3에서는 현재 진행되고 있는 고주파 스위칭 컨버터에 관한 연구에 대해서 설I병한다. 국내외에서 진행 되고 있는 연구를 소개하고 현재 고주파 스위 칭 컨버터 기술의 한계와 향후 전망에 대해서 서술하였다.
있다. 본 논문에서는 수동소자 4개를 이용하여 Zds 값을 그림 6과같이 만들 수 있는 가능한 토폴로지를 조사하였다. 여러 가지구조가 가능하지만 대표적으로 그림 7과 같은 구조를 사용하여 수岳소자 4개로 값을 설계할 수 있다.
본고에서 는 컨버터 의 스위 칭 주파수를 고주파 대 역으로 늘리는 기술에 대해서 서술한다. 섹션 2에서는 현재 많이 사용되는 고주파 스위 칭 컨버터 기술에 관하여 설명한다.
본고에서 는 컨버터 의 스위 칭 주파수를 고주파 대 역으로 늘리는 기술의 구성과 연구 근황을 알아보았다. 고주파 스위칭컨버터가 현재보다 더 다양한 ■응용 분야에시 활용되기 위하여, 앞으로는 지-성체관한 연구와 넒은 전압 범위에서도 제어가 가능한 컨버터 기술에 관한 연구가 활발히 이루질 것으로에상돈I다.
대상 데이터
MOSFET를 비교한 것이다. 비교 대상으로 정격 전압, 정격전류 그리고 온 저항 값이 비슷한 소자로 선정하였다. 표에서 볼 수 있듯이 GaN 소자는 Si MOSFET보다 훨씬 직은 게이트 전하, 출력 캐패시턴스 그리고 역 회복 전하를 가지고 있다.
성능/효과
이 같은 분석 방법을 통해서 수동소자의 개수를 늘리지 않고 스위치에 인가되는 전압을 줄일 수 있었다. 또한 기존의 class E 컨버터와 달리 크기가 큰 소자가 들어가지 않아 전력 밀도를 디줄일 수 있었고 동적 특성을 크게 늘려서 그림 9와 같이 빠르게 on/off가 가능하게 되었다.
이때 그림 7(a) 구조는 class-E 컨버터 구조와 동일하고 그림 7(b) 구조는 그림 8과 같은 절연형 컨버터 구조로 설계가 가능하다. 이 같은 분석 방법을 통해서 수동소자의 개수를 늘리지 않고 스위치에 인가되는 전압을 줄일 수 있었다. 또한 기존의 class E 컨버터와 달리 크기가 큰 소자가 들어가지 않아 전력 밀도를 디줄일 수 있었고 동적 특성을 크게 늘려서 그림 9와 같이 빠르게 on/off가 가능하게 되었다.
입의 인덕터 설게에 관하어연구하였다. 해당 연구에서는 적절한 자성체 선정으로 효과적 인 자성소자의 부피를 줄일 수 있다는 깃을 보였다. 앞으로 더욱더 많은 고주파에 활용 가능한 자성체가 개발 되어 더욱더 많은 코아타입의 고주파 컨버터가 등장할 것으로 예상된다(그림 12).
후속연구
고주파 스위칭컨버터가 현재보다 더 다양한 ■응용 분야에시 활용되기 위하여, 앞으로는 지-성체관한 연구와 넒은 전압 범위에서도 제어가 가능한 컨버터 기술에 관한 연구가 활발히 이루질 것으로에상돈I다. 또한 수십MHz 대역에서 동작하는 브릿지 형태의 고주파 컨버터에 관한 실계 및 연구도 활발히 진행될 것으로 기대한다. 儡
수 변동폭이 메우 좁아, 가변주파수 제어를 활용하기 어 럽다는 문제가 있다. 해당 주파수 규징이 1947느。에 이루어졌다는 것을 고려하여 볼 때, 앞으로 산업 계에서 활용 가능한 주파수 대 역폭을 넓히도록 하는 논의가 활발히 이루어져야 할 것으로 생각된다.
이때 네트워크를 CR 모드로 설계하여 부하의 변동을 압축하이 더 넓은 부하의 변동 범위에시 영 전압스위칭을 달성해 효율적으로 동작하게 만들 수가 있다. 이 연구를 동해 여러 응용에서 네트워크를 체계적으로 설계하는 방안을 제시해 좀 더 효율적인 네트워크 설계가 가눙하도록 방안을 제시해준다. 그 외 공진형 컨버터에 관한 많은 연구가 진행되고
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