최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.33 no.5, 2020년, pp.16 - 25
이바울 (성균관대학교 신소재공학과) , 김찬호 (성균관대학교 신소재공학과) , 김명길 (성균관대학교 신소재공학과)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
광신호 검출기란 무엇인가? | 광융합기술 고도화를 위한 고성능, 저비용 소자의 구현은 광신호 검출기(photo siganl detector)를 이해하는 것으로부터 출발한다. 광신호 검출기는 빛 에너지로부터 발생한 광자 (photon)를 전하 운반체(charge carrier)로 전환시키는 소자를 일컫으며, 소자의 구조 및 동작원리에 따라 크게 광트랜지스터, 광다이오드(photodiode), 광전도체(photoconductor)로 구분할 수 있다. 개별 소자들은 각각의 장단점을 가지고 다양한 분야에 용용이 되어왔다. | |
광융합기술의 주요 분야에는 어떠한 것들이 있는가? | 가까운 미래에 의료, 전자, 정보통신 산업과의 융합을 통해 광의료기기, 디지털 홀로그램 등 다양한 신시장이 개척될 것으로 예상된다. 광융합기술의 주요 분야로는 광센서(photosensors), 광트랜지스터(phototransistors), LED 등이 있으며, 전통적 방식의 광소자 대비 우수한 성능을 확보함과 동시에 저비용 (low-cost), 저온(low-temperature), 대면적화 (large-scale) 등 다양한 공정 특성을 요구하고 있다 [1-3]. | |
광다이오드가 빛 에너지를 받게 되면 어떤 현상이 발생하는가? | 광다이오드는 평상 시 역방향전압에서 전류가 흐리지 않는다. 하지만 빛 에너지를 받게 되면 전자의 들뜸(excitation) 현상으로 인해 역방향 전압에서도 전류가 흐르게 된다. 그림 2를 통해 알 수 있듯, 광다이오드는 광트랜지스터 대비 비교적 단순한 구조임으로 반응속도가 매우 빠르다. |
Ministry of Trade, Industry and, Energy, Comprehensive Development Plan for Photovoltaic Technology (Seoul, Korea, 2019) pp. 1.
K. J. Baeg, M. Binda, D. Natali, M. Caironi, and Y. Y. Noh, Advanced Materials , 25, 4270 (2013). https://doi.org/10.1002/adma.201204979.
H. R. Lim, H. S. Kim, R. Qazi, Y. T. Kwon, J. W. Jeong, and W. H. Yeo, Advanced Materials , 32, 2 (2019). https://doi.org/10.1002/adma.201901924.
T. N. Ng, W. S. Wong, M. L. Chabinyc, S. Sambandan, and B. A. Street, Appl. Phys. Lett., 92, 191 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2937018.
Bharadwaj, Phototransistor working principle, https://engineeringtutorial.com , 2016.
Y. S. Rim, K. C. Ok, Y. M. Yang, H. Chen, S. H. Bae, C. Wang, Y. Huang, J. S. Park, and Y. Yang, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 14665 (2016). https://doi.org/10.1021/acsami.6b02814.
J. Yu, K. Javaid, L. Liang, W. Wu, Y. Liang, A. Song, H. Zhang, W. Shi, T. C. Chang, and H. Cao, Appl. Mater. Interfaces, 8, 8102 (2018). https://doi.org/10.1021/acsami.7b16498.
Y. S. Rim, Y. M. Yang, S. H. Bae, H. Chen, C. Li, M. S. Goorsky, and Y. Yang, Advanced Materials, 27, 6885 (2015). https://doi.org/10.1002/adma.201502996.
H. J. Joo, M. G. Shin, H. S. Jung, H. S. Cha, D. Nam, and H. I. Kwon, Materials, 12, 3815 (2019). https://doi.org/10.3390/ma12233815.
S. Wei, F. Zou, L. Wang, C. Liu, X. Liu, W. Hu, Z. Fan, J. C. Ho, and L. Liao, Advanced Materials, 32, 1907527 (2020). https://doi.org/10.1002/adma.201907527.
Y. Wang, L. Wang, F. Liu, Z. Peng, Y. Zhang, and C. Jiang, Organic electronics, 83, 105778 (2020). https://doi.org/10.1016/j.orgel.2020.105778.
C. R. Kagan, E. Lifshitz, E. H. Sargent, and D. V. Talapin, Science, 353, aac5523 (2016). https://doi.org/10.1126/science.aac5523.
J. Kim, S. M. Kwon, Y. K. Kang, Y. H. Kim, M. J. Lee, K. J. Han, A. Facchetti, M. G. Kim, and S. K. Park, Sci. Adv., 5, eaax8801 (2019). https://doi.org/10.1126/sciadv.aax8801.
D. K. Hwang, Y. T. Lee, H. S. Lee, Y. J. Lee, S. H. Shokouh, J. H. Kyhm, J. Lee, H. H. Kim, T. H. Yoo, S. H. Nam, D. I. Son, B. K. Ju, M. C. Park, J. D. Song, W. K. Choi, and S. Im, NPG Asia Materials, 8, e233 (2016). https://doi.org/10.1038/am.2015.137.
X. Ding, F. Peng, J. Zhou, W. Gong, G. Slaven, K. P. Loh, C. T. Kim, and D. T. Leong, Nature Communications, 10,41 (2019). https://doi.org/10.1038/s41467-018-07835-1.
H. Moon, C. Lee, W. Lee, J. Kim, and H. Chae, Advanced Materials, 31, 1804294 (2019). https://doi.org/10.1002/adma.201804294.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.